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[发明专利]一种变压器直流偏磁仿真模拟方法及装置-CN201710082434.4有效
发明人：李书勇;邓焱;郭琦;袁艺;李鹏 -专利权人：南方电网科学研究院有限责任公司
申请日： 2017-02-15 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明的实施例提供一种变压器直流偏磁仿真模拟方法及装置，涉及变压器仿真领域，能够更为精确的模拟直流偏磁影响下磁化曲线的真实情况，从而以此磁化曲线为基础实现了直流偏磁下畸变励磁电流的准确仿真。包括：计算直流电流产生的直流偏置磁通密度△B0，并计算Bm‑△B0曲线，其中Bm为变压器的工作磁通密度；根据Bm‑△B0曲线修正变压器模型中的无偏磁磁化曲线，并根据修正后的无偏磁磁化曲线以及变压器模型确定变压器中的励磁电流大小、波形以及谐波成分。本发明用于仿真模拟变压器直流偏磁。
一种变压器直流仿真模拟方法装置

[发明专利]一种无变压器模型的大型电网直流偏磁风险评估方法-CN202111456749.3在审
发明人：陈晨;康祎龙;齐桓若;闫向阳;王顺然;刁旭;翟育新;薛文杰;郭放;宋晓帆;宋景博;李凯;张金凤 -专利权人：国网河南省电力公司经济技术研究院
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明涉及直流偏磁风险评估技术，具体涉及一种无变压器模型的大型电网直流偏磁风险评估方法，包括获取n个电站的经纬度信息和接地电阻Ri，i＝1，…，n信息，求n×nSub>gg]：整理线路电阻Li，i＝1，…，l信息，求l×l阶母线‑线路电导矩阵[Ybb]：进行无变压器的直流电流分布建模；进行无变压器的直流电流分布的求解；当从电网得到[Iac]数据以后，根据具体的变压器参数来确定直流偏磁的风险。该方法大幅降低了直流偏磁风险评估模型的计算规模和复杂程度，可以在不考虑变压器具体参数的情况下优先形成直流电流分布的计算结果，根据计算结果代入至具体的变压器模型，实现变压器的直流偏磁风险评估。
一种变压器模型大型电网直流风险评估方法

[发明专利]基于偏磁状态下改进J-A公式的变压器直流偏磁仿真模拟方法-CN201910676028.X有效
发明人：李胜文;澹台乐琰;常潇;王金浩;肖莹;侯哲晖;赵军;张敏;张世锋;李慧蓬;王锬;刘翼肇;樊瑞;王磊;韩肖清 -专利权人：国网山西省电力公司电力科学研究院;国网山西省电力公司;太原理工大学
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于偏磁状态下改进J‑A公式的变压器直流偏磁仿真模拟方法，涉及直流偏磁状态下的Jiles‑Atherton(J‑A)磁滞仿真建模领域。本发明首先对正常励磁状态下的J‑A公式进行推导修正。基于此引入直流分量，依据全电流定律和能量守恒原理改进了J‑A理论在直流偏磁状态下的无磁滞磁化曲线和磁化强度的微分表达式，并对其牵制系数k进行修正，提出仿真模拟方法在MATLAB的S‑function模块中利用M语言编写了仿真程序，在已知绕组端电压和直流电流的情况下，利用simulink仿真励磁电流值和磁滞曲线，基于改进J‑A公式建立的变压器直流偏磁模型所得励磁电流值与计算值的误差更小，磁滞曲线形状符合单相变压器磁滞曲线形同“阶跃”状的性状，可以更好的描述铁磁材料在偏磁状态下的磁化特性。
基于状态改进公式变压器直流仿真模拟方法

[发明专利]一种基于直流偏磁抑制的变压器降噪系统-CN202211542405.9在审
发明人：李敏;高鑫;赵文良;刁成武;任岩;药炜;韩炜;魏荣;葛令源 -专利权人：国网山西省电力公司太原供电公司;山东大学
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01F27/33 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于直流偏磁抑制的变压器降噪系统，包括：三相电流信号采集模块，所述三相电流信号采集模块获取变压器电力系统的三相电流信号；信号处理与控制模块，所述信号处理与控制模块对所述三相电流信号矢量相加，获得直流偏磁电流信号；直流补偿发生模块，根据直流偏磁电流信号，所述直流补偿发生模块产生相应的反向直流电流，通过反向直流电流抵消直流偏磁对变压器的影响；谐波补偿发生模块，根据直流偏磁电流信号，所述谐波补偿发生模块向变压器注入三相电流信号以抑制变压器本身的谐波分量其能够获得无谐波分量无直流偏磁的变压器信号，有效抑制变压器噪声，稳定性好。
一种基于直流抑制变压器系统

[发明专利]一种具有选择性滤波特性的自旋波起偏器-CN201611261990.X有效
发明人：余伟超;兰金;肖江 -专利权人：复旦大学
申请日： 2016-12-31 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： H01L43/00 文献下载
摘要：本发明属于磁性器件技术领域，具体为一种具有选择性滤波特性的自旋波起偏器。该自旋波起偏器基于具有DMI效应的反铁磁材料或人工反铁磁结构，其结构为一反铁磁纳米线，该纳米线中存在两块磁化方向相反的磁畴与介于两者之间的磁畴壁。当体系具有DMI效应时，平行于磁畴壁的线偏模式能够无反射通过，垂直于磁畴壁的线偏模式会被反射，由此对不同偏振模式自旋波的选择性过滤，达到了起偏器的效果。通过调控纳米线的排布方向以及磁畴壁在纳米线中的位置，本发明可以实现任意方向的线偏过滤。本发明结构简单，易于制备，功耗小，易与现有电子芯片技术结合，可用于有效操控自旋波的偏振特性并实现进一步的逻辑运算。
一种具有选择性滤波特性自旋波起偏器

[发明专利]一种基于无模型自适应控制器的主动磁补偿闭环控制系统和方法-CN202310648838.0在审
发明人：崔培玲;李衍宾;李海涛;王樱骏;刘嘉文;杨周强;周新秀 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G05B13/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于无模型自适应控制器的主动磁补偿闭环控制系统和方法，该系统包括磁屏蔽舱、磁通门传感器、无模型自适应控制器、伪偏导数估计器、扰动观测器、电流源、方形补偿线圈。建立主动磁补偿系统的动态线性数据模型，根据主动磁补偿系统输入的电流数据以及输出的补偿磁场数据估计伪偏导数，然后设计扰动观测器和无模型自适应控制器。扰动观测器可以估计并补偿外界扰动磁场，无模型自适应控制器可以实现存在输入输出非线性的主动磁补偿系统闭环控制。其中基于无模型自适应控制器的主动磁补偿闭环控制方法应用于所述主动磁补偿闭环控制系统。本发明降低了磁屏蔽舱的成本，提高了磁屏蔽舱内部磁场的稳定性。主动磁补偿闭环控制系统结构简单，易于实现。
一种基于模型自适应控制器主动补偿闭环控制系统方法

[发明专利]Boost无直流偏磁无电解电容的APFC方法-CN201510407521.3在审
发明人：石常青;常小霞;野娜;王希天 -专利权人：南宁常萌电子科技有限公司;石常青;王希天
申请日： 2015-07-13 - 公布日： 2015-10-14 - 主分类号： H02M1/42 文献下载
摘要：本发明公开了Boost无直流偏磁无电解电容的APFC方法，在Boost电路中接入磁集成的两组高频自激推挽振荡电路，使APFC过程包括受控于单片机MCU的两个低频的开关管分别调控两组高频自激推挽振荡电路的高频电感的本发明方法不使用电解电容而提高可靠性，实现逐个脉冲精确占空比控制，实现真正的“谷底开关QR”，降低发热，实现输出电流低纹波，实现高的功率因数及电功效率，成本低，且无直流偏磁问题和无电解电容污染问题。
boost 直流偏磁无电解电容 apfc 方法

[发明专利]一种单光束双轴闭环原子自旋陀螺仪-CN202210106537.0在审
发明人：邓意成;王学锋;刘院省;王天顺;韩涛宇;谭硕 -专利权人：北京航天控制仪器研究所
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： G01C21/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种单光束双轴闭环原子自旋陀螺仪，包括泵浦光源、光源控制单元、准直透镜、起偏器、1/4波片、三轴磁场线圈、多层磁屏蔽筒、原子气室、无磁恒温控制单元、无磁光电探测器、光电采集单元、X轴磁补偿单元、Y轴磁补偿单元、Z轴磁补偿单元和反正切计算单元；泵浦光源由光源控制单元控制，泵浦光源发射的光经第一准直透镜、起偏器和1/4波片后，转化为圆偏振光，经过原子气室，原子气室由无磁恒温加热单元进行加热，并使碱金属原子气化，极化惰性气体原子，光透过原子气室后，经第二准直透镜聚焦到无磁光电探测器上，转换为电信号。
一种光束闭环原子自旋陀螺仪

[发明专利]一种变压器直流偏磁耐受能力校核现场试验方法及系统-CN202111306186.X在审
发明人：曾文慧;邹斌;张榆;罗宁;倪江;王涵宇;李宇 -专利权人：国网四川省电力公司经济技术研究院
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种变压器直流偏磁耐受能力校核现场试验方法及系统，该方法包括：步骤1，进行直流偏磁耐受能力试验接线：变压器一侧开路，变压器另一侧依次串接可控方波电源和电流传感器，电流传感器信号传递到电源控制单元，电源控制单元控制可控方波电源输出；步骤2，变压器铁心磁通归零初始化；步骤3，进行变压器直流偏磁耐受能力检测：电源控制单元控制可控方波源输出+U电压，电流传感器检测电流，通过采集数据实时处理，形成变压器铁心实时励磁曲线；对变压器进行加压，使变压器铁心曲线实时斜率达到预设值，停止加压；并计算此时变压器直流偏磁耐受值。本发明解决了变压器现场无直流偏磁耐受能力试验方法的问题。
一种变压器直流耐受能力校核现场试验方法系统

[实用新型]阵列式无直流偏磁集成磁件-CN200720016711.3无效
发明人：李洪珠;荣德生;孟威;杨玉岗 -专利权人：辽宁工程技术大学
申请日： 2007-12-07 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： H01F17/06 文献下载
摘要：本实用新型属于电器磁件，特别涉及一种DC/DC(直流/直流)开关变换器四相电压调整模块(VRM)的阵列式无直流偏磁集成磁件，由电感绕组一L₁、电感绕组二L₂、电感绕组三L₃、电感绕组四L₄组成，矩形的磁芯一(1)、磁芯二(2)、磁芯三(3)、磁芯四(4)中心设有方形孔；导线或PCB覆铜的电感绕组L₁缠绕在磁芯一(1)和磁芯二(2)上，电感绕组L₂缠绕在磁芯二(2)和磁芯三(3)上，电感绕组L₃缠绕在磁芯三(3)和磁芯四(4)上，电感线圈L₄缠绕在磁芯四(4)和磁芯一(1)上，使变换器的体积减小，重量减轻；使变换器的动态响应速度大大加快，同时可实现动态响应及输出电流纹波可调节设计，过载能力增强。
阵列直流集成

[发明专利]基于扩展移相调制的无电流偏磁快速启动控制方法及系统-CN202210896057.9在审
发明人：张祯滨;孙孝哲;韩明昊;李真;叶荣;雷增卷;李智;唐雨晨 -专利权人：山东大学;国网福建省电力有限公司经济技术研究院;长江三峡集团福建能源投资有限公司
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本公开属于双有源桥变换器控制技术领域，具体涉及一种基于扩展移相调制的无电流偏磁快速启动控制方法及系统，包括：调整双有源桥变换器驱动信号启动时第一个周期内的开关信号，消除启动阶段所产生的电流偏磁；根据双有源桥变换器原边桥的外移相比之间的大小关系，分析扩展移相调制下双有源变换器在不同工作模式下的传输功率方程；基于所得到的传输功率方程，计算在预设电流应力约束下的最优移相比，得到启动阶段的最优移相比；通过所得到的最优移相比，控制双有源桥变换器的无电流偏磁快速启动
基于扩展调制电流快速启动控制方法系统

[发明专利]用于硬盘驱动器的磁头-CN01137195.1无效
发明人：哈达耶尔·S·吉尔 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2001-10-24 - 公布日： 2002-06-19 - 主分类号： G11B5/127 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于硬盘驱动器的、包括引线覆盖型读头部件的改进磁头,在这种引线覆盖型读头部件中,自由磁层区的无源区磁场受到牵制。在本发明的一个实施例中,诸如硬偏磁层等由磁性材料构成的附加薄膜层沉积GMR磁头中位于覆盖型电引线下面无源区中的自由层上面。当硬偏磁层被磁初始化时,在新薄膜层中建立起来的磁场起到牵制自由层无源区中的磁场的作用。因为自由层无源区被磁牵制住并因而不受来自相邻数据磁道的侧读磁场的影响,所以读头的工作特性提高了,从而,降低了噪声和侧读效应,提高了读头的性能。
用于硬盘驱动器磁头

[发明专利]采用无直流偏磁集成磁件的DC／DC开关变换器-CN200410021028.X无效
发明人：杨玉岗 -专利权人：杨玉岗
申请日： 2004-01-07 - 公布日： 2004-12-22 - 主分类号： H02M3/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用无直流偏磁集成磁件的DC/DC开关变换器，将DC/DC变换器实行两路并联，将这两条并联支路上的电感器集成在一个铁心上，形成一个无直流偏磁的集成磁件，两条支路的开关频率相同，工作脉冲的占空比相同当其中一条支路的开关导通，由直流电源传过来的功率通过该条支路的绕组时，通过磁耦合的方式使功率由另一个绕组直接传递给负载，流过两绕组的电流在铁心中产生的直流偏磁的大小相等，方向相反，铁心中不用开气隙；该换器体积小
采用直流集成 dc 开关变换器

[发明专利]磁阻效应膜与旋阀再生头-CN03119853.8有效
发明人：野间賢二 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2003-03-04 - 公布日： 2004-01-14 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：旋阀再生头包括：基层，包含磁感应部分的磁阻效应膜，在磁阻效应膜两侧形成的偏磁部分，端子部分，覆盖于所述组成部分之上的绝缘层，在绝缘层之上形成的顶层屏蔽层。磁阻效应膜按叠置次序包含固定磁层、无磁层、自由磁层。无磁导电层和蚀刻阻挡层依次堆叠在自由磁层之上，无磁导电层的电阻率比自由磁层的低，蚀刻阻挡层的溅射速率高于钽的、低于铜的。
磁阻效应再生

[实用新型]一种抗偏磁饱和的逆变全桥拓扑电路-CN200820004304.5无效
发明人：王广辉 -专利权人：王广辉
申请日： 2008-01-29 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种抗偏磁饱和的逆变全桥拓扑电路，属于电源装置技术领域，旨在解决现有全桥式电源电路存有剩磁积累，偏磁饱和的问题。它是由三相整流桥D1－3、功率场效应管Q1－4、变压器T、数字集成电路IC、电阻R1－7、电容C1－10、二极管D4－5和电抗器L连接组成的一种抗偏磁饱和的逆变全桥拓扑电路。其结构新颖，能使功率变压器初始磁导始终不变，无偏磁饱和现象，体积小、重量轻，使用方便，适用于大功率充电电源、电镀电源、大功率电焊机电源等，有着广阔的推广应用前景。
一种抗偏磁饱和逆变全桥拓扑电路

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