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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种非光刻技术制备倒金字塔结构硅表面的方法-CN201310708219.2有效
发明人：王富国;张俊彦 -专利权人：中国科学院兰州化学物理研究所
申请日： 2013-12-20 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明公开了一种非光刻技术制备倒金字塔结构硅表面的方法。本发明首先采用氢氟酸乙醇溶液中电化学刻蚀的方法在N型单晶硅表面制备多孔硅覆盖的倒金字塔结构界面，然后采用碱性溶液浸泡的方法去掉多孔硅层获得倒金字塔结构表面。获得的金字塔结构是由四个{111}晶面构成的倒金字塔结构，其尺寸在0.5‑15um范围内。
倒金字塔结构制备光刻技术硅表面金字塔结构氢氟酸乙醇多孔硅层化学刻蚀碱性溶液多孔硅晶面浸泡覆盖

[发明专利]纳米倒金字塔-准微米金字塔背钝化太阳电池及制法-CN201911046575.6在审
发明人：黄增光;高锟;刘莹;范源 -专利权人：江苏海洋大学
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：一种纳米倒金字塔‑准微米金字塔复合结构背钝化太阳电池，包括单晶硅基底，单晶硅基底正表面采用纳米倒金字塔‑准微米金字塔复合结构发射极，单晶硅基底背表面采用背钝化结构；纳米倒金字塔‑准微米金字塔复合结构发射极由硅纳米倒金字塔结构、准微米金字塔结构和2层钝化介质膜构成。本发明通过将纳米倒金字塔‑准微米金字塔复合结构和背钝化结构结合起来，同时对正面实施PECVD‑SiO
倒金字塔复合结构金字塔单晶硅发射极钝化背钝化结构叠层基底倒金字塔结构光电转换效率钝化介质膜基底背表面金字塔结构表面复合复合损失光谱响应反射率硅纳米减反射全波段正表面短波制备背面

[发明专利]单晶硅基纳米倒金字塔结构背钝化太阳电池-CN201610848701.X有效
发明人：黄增光;朱旭东 -专利权人：淮海工学院
申请日： 2016-09-26 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明是一种单晶硅基纳米倒金字塔结构背钝化太阳电池，其特征在于：包括单晶硅基底，所述单晶硅基底正表面采用纳米倒金字塔结构发射极，单晶硅基底的背表面采用背钝化结构；所述硅纳米倒金字塔结构发射极由硅纳米倒金字塔结构和本发明还涉及单晶硅基纳米倒金字塔结构背钝化太阳电池的制备方法。
一种单晶硅纳米金字塔结构钝化太阳电池及其制备方法

[发明专利]半导体模板衬底、使用半导体模板衬底的发光元件及其制造方法-CN201180026689.X无效
发明人：安亨洙;梁瑉;河弘周 -专利权人： CS解决方案有限公司
申请日： 2011-03-31 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：一种发光元件包括半导体层、发光叠层结构和形成在所述发光叠层结构的一个表面中的多个倒金字塔结构。当相对于所述发光叠层结构垂直延伸时，所述倒金字塔结构的横截面面积减小。由于所述倒金字塔结构所致，所述发光元件呈现出更易于制造。
半导体模板衬底使用发光元件及其制造方法

[发明专利]一种湿法腐蚀晶体硅倒金字塔结构和正金字塔结构制绒方法-CN202210369051.6在审
发明人：霍晨亮 -专利权人：北京师范大学珠海校区
申请日： 2022-04-08 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种湿法腐蚀晶体硅倒金字塔结构和正金字塔结构制绒方法，属于新材料与太阳能技术领域，包括如下步骤：(1)将表面清洁的晶体硅片放入含有处理液的容器中；(2)在20℃下反应10分钟即可在硅片表面腐蚀出大面积微纳米倒金字塔结构绒面；(3)在20℃下反应20分钟即可在硅片表面腐蚀出大面积微纳米正金字塔结构绒面；(4)将腐蚀后的硅片放入王水溶液里面浸泡去掉表面残存的金属。本申请方法腐蚀的硅片表面铜沉积量极少，所腐蚀的微纳米倒金字塔结构宏观均匀，微观表面光滑、缺陷少，因此在太阳能电池等领域具有广泛的应用前景。
一种湿法腐蚀晶体金字塔结构方法

[发明专利]改善HIT太阳能电池性能的微纳结构及制备方法-CN201410785507.2无效
发明人：袁国栋;吴瑞伟;李晋闽;王军喜 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-12-17 - 公布日： 2015-04-01 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：一种改善HTT太阳能电池性能的微纳结构，包括：一衬底；一倒金字塔结构，该倒金字塔结构是在衬底正面腐蚀形成的；一纳米线结构，该纳米线结构是在倒金字塔结构上腐蚀形成的；一绝缘层，该绝缘层制作在倒金字塔结构上，并覆盖纳米线结构；一本征非晶硅层，其制作在衬底的背面；一掺杂非晶硅层，其制作在本征非晶硅层上；多个电极层，其制作在掺杂非晶硅层上。
改善 hit 太阳能电池性能结构制备方法

[发明专利]一种单晶硅基类倒金字塔绒面结构背钝化太阳电池及其制备方法-CN201910054804.2在审
发明人：黄增光;高锟;王晓刚;顼浱;宋晓敏;史林兴;周朕 -专利权人：淮海工学院
申请日： 2019-01-21 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：一种单晶硅基类倒金字塔绒面结构背钝化太阳电池，属于太阳能电池技术领域，该电池包括单晶硅基底，单晶硅基底的正表面采用硅基类倒金字塔结构发射极，单晶硅基底的背表面采用背钝化结构；所述硅基类倒金字塔结构发射极由硅类倒金字塔结构和2层钝化介质膜构成；本发明还涉及单晶硅基类倒金字塔结构背钝化太阳电池的制备方法。
单晶硅倒金字塔结构钝化基底基类倒金字塔绒面结构光谱响应发射极硅基制备电池太阳能电池技术标准太阳电池光电转换效率硅基太阳电池太阳电池效率背钝化结构钝化介质膜背表面长波段短波段正表面波段优化

[发明专利]硅片复合绒面制作方法及由该方法制作的硅片-CN202010989107.9在审
发明人：叶晓亚;曹芳;周思洁;邹帅;王栩生 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅片复合绒面制作方法及由该方法制作的硅片，基于本发明所提供的硅片复合绒面制作方法，能够在硅片表面正金字塔结构的顶部形成倒金字塔腐蚀坑，即所获取的硅片表面形成有由正金字塔结构与倒金字塔腐蚀坑共同构成的复合绒面，在具体应用于太阳能电池片的场景中，该复合绒面具有正金字塔钝化效果好、开压高的优点；还能够兼具倒金字塔陷光效果好、电流高、与电极接触面积大、接触电阻小的优势。
硅片复合制作方法方法制作

[发明专利]一种多晶硅表面倒金字塔结构及其制备方法-CN201610005713.6有效
发明人：蒲天;罗旌旺;吴兢;芮春保 -专利权人：江苏辉伦太阳能科技有限公司
申请日： 2016-01-05 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅表面倒金字塔结构及其制备方法，本发明使用不同的方法进行黑硅制作，然后将样品置于双氧水和乙醇胺的混合液中浸洗，再将洗好的黑硅置于双氧水、氢氟酸、偏磷酸及氟化铵的混合液进行再处理，形成多晶硅表面倒金字塔结构本发明采用了一种不同于酸碱腐蚀的湿化学方法，该方法可以最大限度的减小各向异性的影响，可以将不同纳米结构的黑硅通过氧化腐蚀成具有规则的倒金字塔结构的纳米绒面结构。本发明的多晶硅倒金字塔陷光结构相对于传统多晶硅绒面，其对光的利用率更高，反射率更低，因其倒金字塔结构特点，相对于传统黑硅小而密结构的高表面复合，其表面复合明显降低，使得太阳能电池的效率更高。
一种多晶表面金字塔结构及其制备方法

[发明专利]一种多晶硅表面倒金字塔结构及其制备方法-CN201510536833.4无效
发明人：蒲天;罗旌旺;吴兢;芮春保 -专利权人：江苏辉伦太阳能科技有限公司
申请日： 2015-08-27 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅表面倒金字塔结构及其制备方法，本发明使用不同的方法进行黑硅制作，然后将样品置于双氧水和乙醇胺的混合液中浸洗，再将洗好的黑硅置于双氧水、氢氟酸、偏磷酸及氟化铵的混合液进行再处理，形成多晶硅表面倒金字塔结构本发明采用了一种不同于酸碱腐蚀的湿化学方法，该方法可以最大限度的减小各向异性的影响，可以将不同纳米结构的黑硅通过氧化腐蚀成具有规则的倒金字塔结构的纳米绒面结构。本发明的多晶硅倒金字塔陷光结构相对于传统多晶硅绒面，其对光的利用率更高，反射率更低，因其倒金字塔结构特点，相对于传统黑硅小而密结构的高表面复合，其表面复合明显降低，使得太阳能电池的效率更高。
一种多晶表面金字塔结构及其制备方法

[发明专利]硅衬底及其制备方法-CN201510266643.5有效
发明人：袁国栋;王克超;李晋闽;吴瑞伟;黄芳;王乐 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2015-05-22 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： C23F1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅衬底及其制备方法，由晶体硅构成，其表面为晶体硅的(100)晶面，硅衬底包括基底以及在基底之上形成的多个周期性排布的正金字塔结构。本发明成功制备出具有周期性正金字塔结构的硅衬底，为硅衬底器件提供了一种新的衬底结构，为硅基电力电子器件的制备提供了一种新的方法，周期性排布的正金字塔结构相对于倒金字塔结构更适合在硅衬底上进行外延。
衬底及其制备方法

[发明专利]一种硅片及其表面倒金字塔结构制备方法-CN202010201988.3在审
发明人：王东;金井升;熊诗龙;赵迎财 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2020-03-20 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种硅片表面倒金字塔结构制备方法，包括：获取去除损伤层及表面杂质的预处理硅片；利用预制溶液处理所述预处理硅片的表面，在所述表面形成倒金字塔结构，其中，所述预制溶液为硝酸铜、氢氟酸、双氧水的混合溶液可见，本申请中在得到预处理硅片后，只需要用预制溶液处理预处理硅片的表面这一步即可在处理预处理硅片表面形成倒金字塔结构，工艺简单，适合进行量产，同时，预制溶液为硝酸铜、氢氟酸、双氧水的混合溶液，成分简单，此外，本申请还提供一种具有上述倒金字塔结构的硅片。
一种硅片及其表面金字塔结构制备方法

[实用新型]具有绒面结构的硅片和太阳能电池-CN202221917177.4有效
发明人：童洪波;丁超;李华;靳玉鹏 -专利权人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本申请涉及太阳能电池技术领域，公开了一种具有绒面结构的硅片和太阳能电池，所述硅片的绒面结构包括复数个类金字塔结构，所述类金字塔结构为棱台形或棱锥形；所述类金字塔结构的塔高和所述类金字塔结构的塔底边长之间的高宽比0.6～0.85：1；或者，所述类金字塔结构的斜面与所述类金字塔结构的塔底之间夹角为55～60°；所述类金字塔结构的斜面为类金字塔结构的塔尖与所述类金字塔结构的塔底底边构成的平面。本实用新型的硅片的类金字塔结构绒面结构具有较大的高宽比，或者具有较大的斜面与塔底夹角，使得硅片具有更为陡峭的绒面结构，可以降低硅片表面的反射率，从而增大太阳能电池的短路电流，提升太阳能电池的光转换效率。
具有结构硅片太阳能电池

[发明专利]减反射表面结构以及相应的制备方法-CN201810384786.X有效
发明人：陈全胜;刘尧平;陈伟;吴俊桃;赵燕;王燕;杜小龙 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2018-04-26 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： H01L31/054 文献下载
摘要：本发明提供一种减反射表面结构，包括多个平行的倒金字塔链，其中，每个倒金字塔链中彼此相邻的两个倒金字塔结构单元相互重叠。该减反射表面结构的四次反射光线路径占的比例较高，大大降低表面结构的反射率。
反射表面结构以及相应制备方法

[发明专利]太阳能电池及其制造方法-CN201010623254.0有效
发明人：陈建勋;陈毓儒 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2010-12-27 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：太阳能电池包括：硅基材，在硅基材的表面形成金字塔结构。对金字塔结构进行激光处理，使金字塔结构的顶端呈现圆弧状，金字塔结构的棱线处形成外圆角；以及第一半导体层，设置于硅基材的第一面上，其中第一半导体层的导电型态与硅基材相反。本发明在硅基材的表面形成金字塔结构，对金字塔结构进行激光处理，使金字塔结构的顶端呈现圆弧状，金字塔结构的棱线处形成外圆角，因此后续所镀制的薄膜都具有均匀厚度，而可以提升太阳能电池转换效率。
太阳能电池及其制造方法

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