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[发明专利]一种工业硅降铁除磷的方法-CN202110126691.X有效
发明人：伍继君;何乾;马文会;魏奎先;陈正杰;雷云;李绍元 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明涉及一种工业硅降铁除磷的方法，属于冶金工业技术领域。本发明将工业硅细磨得到工业硅粉，工业硅粉置于酸溶液中搅拌反应除铁，清洗烘干得到低铁工业硅粉，低铁工业硅粉置于配有等离子体炬的真空感应炉内，真空条件下，感应加热工业硅粉至熔融态得到熔融硅，将电弧诱导的等离子体射流引导至熔融硅表面进行化学冶炼，等离子体射流搅动熔融硅产生高温点，使磷挥发从熔融硅中逸出得到低磷熔融硅，低磷熔融硅随炉冷却至室温得到硅锭，去除硅锭表面的浮渣，得到低磷工业硅。本发明方法的工艺、设备简单，操作方便，对原料的普适性高，除磷效果好。
一种工业硅降铁方法

[发明专利]感应和电子束熔炼去除多晶硅中杂质磷和硼的方法及装置-CN201010128923.7有效
发明人：战丽姝;李国斌;谭毅;董伟;姜大川 -专利权人：大连隆田科技有限公司
申请日： 2010-03-19 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及感应和电子束熔炼去除多晶硅中杂质磷和硼的方法及装置，所述方法包括：用电子束熔炼方式去除硅中的杂质磷获得低磷多晶硅的步骤，再用感应线圈对低磷多晶硅进行熔炼，通过蒸发的方式去除多晶硅中的杂质硼从而获得低磷低硼多晶硅的步骤它应用电子束和感应加热的方式去除多晶硅中杂质磷和硼，产量大，实现连续熔炼，磷硼杂质去除效果良好，去除效率高，同时有效应用了感应线圈加热温度高的特点，方法简单易行，集成了除磷和除硼的双重效果，提纯效果稳定
感应电子束熔炼去除多晶杂质方法装置

[实用新型]一种栅工艺处理中的多层膜结构-CN02261131.2无效
发明人：肖胜安;汪激洋;吴志丹;陈菊英;任昱 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2002-10-31 - 公布日： 2005-04-20 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：具体是在栅成长之后，依次成长一层掺磷浓度低的多晶硅、一层浓度高的多晶硅、一层掺磷浓度低或不掺磷的多晶硅。第一层掺磷低的多晶硅在回刻后表面比较平整，以保证栅附近在回刻后不出现凹陷，使栅不受到损伤。在第三层低掺磷或不掺磷多晶硅的回刻速率低，减少回刻后沟槽中心的凹陷深度，使之在后来成长金属膜时不形成空洞。同时通过调整第一，第二层多晶硅的掺磷浓度和厚度，可以保证在回刻后获得同等的栅极电阻。
一种工艺处理中的多层膜结构

[发明专利]一种去除工业硅中硼、磷及其它杂质的综合利用方法-CN201010581857.9有效
发明人：李柏榆;汪云华;李海艳;张济祥;许金泉;周金民;王钟钰;王春琴;陈小番;方来鹏;付刚 -专利权人：云南乾元光能产业有限公司
申请日： 2010-12-10 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明涉及一种去除工业硅中硼、磷及其它杂质的综合利用方法，本发明涉及采用湿法冶金、氧化造渣和电子束熔炼去除多晶硅中硼、磷及其它杂质。包括：用湿法冶金酸洗方式去除硅中的杂质获得低杂质多晶硅，再用中频感应加热对低杂质多晶硅进行氧化造渣熔炼，通过造渣剂的氧化方式去除多晶硅中的杂质硼，从而获得低硼多晶硅，再次用电子束熔炼去除低硼多晶硅中的磷杂质获得低金属低硼低磷多晶硅其特点是：低投入、低成本、环境污染小、工艺简单、回收率高，形成了一整套适合于工业化生产太阳能级多晶硅中间产品的可实施工艺。
一种去除工业硅中硼其它杂质综合利用方法

[发明专利]一种高碳低硅磷生铁及其应用-CN202211074039.9在审
发明人：曾岩东;何成;李玉浩;肖述兵;马军玺;杨虎军;王永胜;马清;郑爱平 -专利权人：国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司;黄河鑫业有限公司
申请日： 2022-09-02 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： C22C37/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种高碳低硅磷生铁及其应用，涉及铝电解技术领域，所述高碳低硅磷生铁的组分及质量百分含量为：碳含量为2.5％‑5.0％，硅含量为1％‑2.5％，锰含量为0.3‑2.0％，磷含量为≤0.5％，硫含量为所述高碳低硅磷生铁应用于铝电解阳极浇铸中。本发明的高碳低硅磷生铁容易实现，方便易行，能有效降低热态铁碳压降，大大提高了生产效率，降低了生产成本。
一种高碳低硅磷生铁及其应用

[发明专利]一种多层膜结构的半导体栅工艺处理方法-CN02137736.7无效
发明人：肖胜安;汪激洋;吴志丹;陈菊英;任昱 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2002-10-31 - 公布日： 2003-05-07 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明是一种多层膜结构的栅工艺处理方法，具体是在栅成长之后首先成长一层掺磷浓度低的多晶硅，然后再生成一层浓度高的多晶硅，在沟槽全部填满后，再生成一层掺磷浓度低或不掺磷的多晶硅，然后进行回刻。第一层掺磷低的多晶硅在回刻后表面比较平整，以保证栅附近在回刻后不出现凹陷，使栅不受到损伤。在第三层低掺磷或不掺磷多晶硅的回刻速率低，减少回刻后沟槽中心的凹陷深度，使之在后来成长金属膜时不形成空洞。同时通过调整第一，第二层多晶硅的掺磷浓度和厚度，可以保证在回刻后获得同等的栅极电阻。
一种多层膜结构半导体工艺处理方法

[发明专利]栅结构及其制造方法-CN200910057613.8无效
发明人：肖胜安;王飞;杨欣;韩峰;刘远良 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2009-07-20 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： H01L29/43 文献下载
摘要：本发明公开了一种栅结构，包括：在沟槽中形成的栅氧；在栅氧之上成长的第一层掺磷浓度低或不掺杂的多晶硅或无定型硅，所述第一层掺磷浓度低或不掺杂的多晶硅或无定型硅的掺磷浓度为0～4E19atm/cm3；在所述第一层掺磷浓度低或不掺杂的多晶硅或无定型硅之上成长的第二层掺磷浓度高的多晶硅，所述第二层掺磷浓度高的多晶硅的掺磷浓度为1.0E20～10E20atm/cm3。
结构及其制造方法

[发明专利]一种测定高纯硅中磷含量的方法-CN201010109814.0无效
发明人：罗学涛;陈文辉;李锦堂;陈朝 -专利权人：厦门大学
申请日： 2010-02-09 - 公布日： 2010-10-27 - 主分类号： G01N21/31 文献下载
摘要：一种测定高纯硅中磷含量的方法，涉及一种硅中磷含量的测定。提供一种所用设备简单，成本低廉，操作步骤标准化，检测限低，灵敏度以及精确度较高，适合于低磷含量硅检测，可利用分光光度计低成本快速精确检测低磷硅样的测定高纯硅中磷含量的方法。配制磷标准液；配制酸性显色液、2mol/L H2SO4的硫酸、硫代硫酸钠溶液和PVA溶液；绘制磷标准工作曲线；获得未被污染的硅样；依据样品的磷含量范围称取无污染样品；将样品放入聚四氟乙烯烧杯中溶解蒸发；将溶解蒸发的样液进行显色操作；测试显色液的吸光度并计算磷含量。
一种测定高纯硅中磷含量方法

[发明专利]磷石膏废渣反浮选脱硅制备低硅高品位磷石膏的方法-CN202211713810.2有效
发明人：李俊旺;呼振峰;张云海;路亮;冯晓燕;梁爽 -专利权人：矿冶科技集团有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： B03D1/02 文献下载
摘要：本申请提供一种磷石膏废渣反浮选脱硅制备低硅高品位磷石膏的方法，涉及固体废弃物处理领域。磷石膏废渣反浮选脱硅制备低硅高品位磷石膏的方法，包括：将磷石膏废渣与水混合得到矿浆，然后加入脱硅捕收剂进行反浮选粗选作业，得到反浮选粗选尾矿和反浮选粗精矿；将反浮选粗选尾矿和脱硅捕收剂混合，进行扫选作业，得到扫选精矿和尾矿；扫选精矿返回反浮选粗选作业；反浮选粗精矿和脱硅捕收剂混合，进行精选作业，得到精选尾矿和低硅高品位磷石膏精矿；精选尾矿返回所述反浮选粗选作业。本申请提供的方法，通过反浮选实现石膏和二氧化硅的分离，进一步提高磷石膏的品质，为磷石膏的资源化利用提供新的选矿方法和技术支撑。
石膏废渣浮选制备低硅高品位方法

[发明专利]高磷锰硅合金脱磷剂及脱磷方法-CN201911275607.X有效
发明人：朱子宗;孙灿;焦万谊;王开 -专利权人：重庆大学
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： C22C1/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种高磷锰硅合金脱磷剂，由以下质量百分比的组分组成：CaO 15％～50％、SiO21％～65％、Al2O还公开了一种高磷锰硅合金脱磷方法，包括如下步骤：(1)脱磷剂的制备：按量称取前述的脱磷剂各组分，混合均匀备用；(2)高磷锰硅合金脱磷：取高磷锰硅合金和步骤(1)的脱磷剂混合，进行高温脱磷反应，脱磷剂用量为高磷锰硅合金质量的本发明脱磷剂和脱磷方法，成本低、技术要求低、使用范围广，大大降低合金磷含量。
高磷锰硅合金脱磷剂方法

[发明专利]一种电子束除磷、除金属的耦合提纯多晶硅的方法及设备-CN201110031566.7有效
发明人：谭毅;姜大川;邹瑞洵 -专利权人：大连隆田科技有限公司
申请日： 2011-01-29 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种电子束除磷、除金属的耦合提纯多晶硅的方法，先通过电子束在低磷、低金属的高纯硅锭的顶部形成稳定熔池，后将需提纯的硅粉落入熔池熔炼，实现粉体的快速熔化去除硅粉中的挥发性杂质磷，同时进行定向拉锭使低磷多晶硅进行定向凝固生长，通过分凝效应去除多晶硅中金属杂质。本发明的显著效果是同时采取电子束熔炼粉体硅料和定向凝固的方式，用电子束快速去除杂质磷，用定向凝固将分凝系数较小的金属杂质去除，有效提高了多晶硅的纯度，达到了太阳能级硅的使用要求。本发明提纯效果好，技术稳定，工艺简单，生产效率高，节约能源，成本低，适合批量生产。
一种电子束金属耦合提纯多晶方法设备

[发明专利]一种高纯硅衬底下电子束熔炼提纯多晶硅的方法及设备-CN201110220767.1无效
发明人：谭毅;刘应宽;盛之林;李佳艳;石爽;刘振远;董伟;姜大川 -专利权人：大连理工大学;宁夏宁电光伏材料有限公司
申请日： 2011-08-03 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种高纯硅衬底下电子束熔炼提纯多晶硅的方法，第一步备料及预处理；第二步形成高纯硅衬底：然后开启电子束束流为200-500mA完全熔化高纯硅料，缓慢降低束流为零，即在水冷坩埚中形成高纯多晶硅锭，调节电子束束流为150-300mA熔化高纯多晶硅锭，2-5min后形成一层高纯硅衬底；第三步熔炼提纯：高磷硅料连续缓慢落入熔池中，加大束流至300-700mA，高磷硅料熔化后形成高磷硅液，杂质磷得到去除后从导流口流入坩埚之中，得到低磷硅液，凝固后得到低磷的多晶硅锭。本发明方法提纯效果好，工艺简单，节约能源，降低污染，适合批量生产，设备结构简单，构思独特，操作简单，成本低，可实现连续熔炼。
一种高纯衬底电子束熔炼提纯多晶方法设备

[发明专利]一种低磷硅铁的冶炼方法-CN201810626224.1在审
发明人：胡海东;李海英;赵海勇;杨小平;兰成元;卢光发 -专利权人：青海百通高纯材料开发有限公司
申请日： 2018-06-19 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： C22B4/06 文献下载
摘要：本发明提供一种低磷硅铁的冶炼方法，包括在矿热炉底吹铁水包中通入压缩空气及氧气，在硅铁熔液出炉的同时不断加入混合精炼材料，直至出炉前3分钟内加完，加完混合精炼材料后对矿热炉进行堵眼，堵眼后直接由天车调运至渣池中进行扒渣处理，扒完渣后加入防回磷保护渣，同时喂加30米脱磷包芯线，喂加完毕后扒渣进行浇注。本发明低磷硅铁的冶炼方法在硅铁熔液扒完渣后加入防回磷保护渣和脱磷包芯线，生产性价比高、硅铁含磷低，具有简单易行，容易控制，产品质量稳定可靠等优点。
低磷硅冶炼硅铁熔液精炼材料包芯线保护渣矿热炉扒渣出炉脱磷压缩空气质量稳定铁水包天车浇注底吹硅铁渣池氧气生产

[发明专利]一种低硅高磷铁水的转炉单渣冶炼方法-CN202011112581.X在审
发明人：史超;张志兵;刘南 -专利权人：包头钢铁（集团）有限责任公司
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： C21C5/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种低硅高磷铁水的转炉单渣冶炼方法，按照铁水Si≤0.3％和0.3％＜Si≤0.5％两个区间对铁水、废钢装入量以及白灰、白云石、铁皮球装入量进行细化控制，冶炼采用“低‑高‑低”枪位控制。本发明的目的是提供一种低硅高磷铁水的转炉单渣冶炼方法，对于低硅高磷铁水的冶炼，对不同的铁水硅含量细化了铁水、废钢的装入量，冶炼过程热量平衡，冶炼温度能够实现平稳控制，同时对不同铁水硅含量的渣料加入量进行了细化，提高了化渣效果，保证了炉渣碱度及氧化性，有效提高了转炉脱磷效果。
一种低硅高磷铁水转炉冶炼方法

[发明专利]一种低硼磷高纯硅的制备工艺-CN201811088653.4在审
发明人：章宇斌;杨少敏 -专利权人：南京合创工程设计有限公司
申请日： 2018-09-18 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明提供一种低硼磷高纯硅的制备工艺，涉及低硼磷高纯硅生产技术领域。包括以下步骤：制备原料、酸洗除金属杂质、氧化精炼除磷、改进型热交换法除硼、还原提纯。本发明采用酸洗的方式除去工业硅内的金属杂质，再通过氧化精炼和改进型热交换法除去工业硅内的磷和硼，使得磷和硼均被氧化形成易挥发物质，使得硅的纯度达到99.9％以上，除杂效果好，除杂效率高。
一种低硼磷高纯制备工艺

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