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[实用新型]一种移动式可拆卸板式换热器装置-CN202222175721.9有效
发明人：赵嵘峥;韩战旗;肖凯;田静;张宏伟;卓俭进;程庞玉;李海涛;彭鑫海;窦付伟;马国梁 -专利权人：河南中原黄金冶炼厂有限责任公司
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： F28D9/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种移动式可拆卸板式换热器装置，包括换热器本体、设于换热器本体上的四个介质通道、高温介质入口管、高温介质连接管道、低温介质入口管、低温介质连接管道，介质通道内设有滤网套筒，介质通道的前侧口处形成介质通道出入口，介质通道的后侧口处封堵，高（低）温介质入口管和高（低）温介质连接管道连通从而向高（低）温介质连接管提供高（低）温介质，高（低）温介质连接管的左端为高（低）温介质入口，右端为高温（低）介质备用入口，高温介质入口或高温介质备用入口分别通过膨胀节和换热器本体上端的左侧或右侧介质通道口相连，低温介质入口或低温介质备用入口分别通过膨胀节和换热器本体下端的左侧或右侧介质通道口相连。
一种移动式可拆卸板式换热器装置

[发明专利]晶圆级芯片封装结构及其制备方法-CN201710953079.3在审
发明人：陈彦亨;林正忠;吴政达 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请日： 2017-10-13 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆级芯片封装结构及其制备方法，晶圆级芯片封装结构包括半导体芯片；重新布线层，包括低k介质层、位于低k介质层内及低k介质层上表面的金属线层；沟槽，位于半导体芯片之间的低k介质层内；焊料凸块，位于重新布线层的上表面，且与金属线层电连接；保护层，填充于所述焊料凸块之间及外围，且覆盖裸露的所述低k介质层及所述金属线层。本发明通过在低k介质层及金属线层上表面及外围形成保护层，即可以有效避免外部的水汽渗入到低k介质层内使得低k介质层更易破裂，又可以起到稳固低k介质层，防止外力对低k介质层破坏的作用，从而使得低k介质层在切割过程中不会出现裂痕
晶圆级芯片封装结构及其制备方法

[实用新型]晶圆级芯片封装结构-CN201721319954.4有效
发明人：陈彦亨;林正忠;吴政达 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请日： 2017-10-13 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种晶圆级芯片封装结构，晶圆级芯片封装结构包括半导体芯片；重新布线层，包括低k介质层、位于低k介质层内及低k介质层上表面的金属线层；沟槽，位于半导体芯片之间的低k介质层内；焊料凸块，位于重新布线层的上表面，且与金属线层电连接；保护层，填充于所述焊料凸块之间及外围，且覆盖裸露的所述低k介质层及所述金属线层。本实用新型通过在低k介质层及金属线层上表面及外围形成保护层，即可以有效避免外部的水汽渗入到低k介质层内使得低k介质层更易破裂，又可以起到稳固低k介质层，防止外力对低k介质层破坏的作用，从而使得低k介质层在切割过程中不会出现裂痕
晶圆级芯片封装结构

[发明专利]晶圆级芯片封装结构及其制备方法-CN201710954010.2在审
发明人：陈彦亨;林正忠;吴政达 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请日： 2017-10-13 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆级芯片封装结构及其制备方法，所述晶圆级芯片封装结构包括半导体芯片；重新布线层，包括低k介质层、位于低k介质层内及低k介质层上表面的金属连接层；焊料凸块，位于重新布线层的上表面，且与金属连接层电连接本发明通过在半导体芯片及重新布线层的低k介质层外围形成保护层，即可以有效避免外部的水汽渗入到低k介质层内使得低k介质层更易破裂，又可以起到稳固低k介质层，防止外力对低k介质层破坏的作用，从而使得低k介质层在切割过程中不会出现裂痕
晶圆级芯片封装结构及其制备方法

[实用新型]晶圆级芯片封装结构-CN201721321262.3有效
发明人：陈彦亨;林正忠;吴政达 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请日： 2017-10-13 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种晶圆级芯片封装结构，所述晶圆级芯片封装结构包括半导体芯片；重新布线层，包括低k介质层、位于低k介质层内及低k介质层上表面的金属连接层；焊料凸块，位于重新布线层的上表面，且与金属连接层电连接本实用新型通过在半导体芯片及重新布线层的低k介质层外围形成保护层，即可以有效避免外部的水汽渗入到低k介质层内使得低k介质层更易破裂，又可以起到稳固低k介质层，防止外力对低k介质层破坏的作用，从而使得低k介质层在切割过程中不会出现裂痕，进而确保了封装芯片的性能。
晶圆级芯片封装结构

[发明专利]双频带介质谐振器滤波功分器-CN202310680278.7在审
发明人：徐凯;施金;林垄龙;徐宗铭;路易;赵瑞静;杨永杰 -专利权人：中天射频电缆有限公司;江苏中天科技股份有限公司
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01P5/16 文献下载
摘要：一种双频带介质谐振器滤波功分器，包括依次层叠设置的第一金属地、第一低介电常数介质基板、第二低介电常数介质基板、高介电常数介质基板、第三低介电常数介质基板、第四低介电常数介质基板及第二金属地，高介电常数介质基板包括第一、第二带状介质块，第二、第三低介电常数介质基板上均设置有多个通孔，第三低介电常数介质基板相对高介电常数介质基板的面上设有一对平衡式输入端口和一对平衡式输出端口，平衡式输出端口之间连接有电阻。本申请以两个带状介质块加载上下都引入若干通孔的低介电常数基板的谐振器，结合输出端加载隔离电阻的方式，实现了具备低损耗、高频率选择性、低剖面、易集成及高隔离等特点的双频带介质谐振器滤波功分器。
双频介质谐振器滤波功分器

[发明专利]晶圆级芯片封装结构及其制备方法-CN201710954741.7在审
发明人：陈彦亨;林正忠;吴政达 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请日： 2017-10-13 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆级芯片封装结构及其制备方法，晶圆级芯片封装结构包括半导体芯片；重新布线层，包括低k介质层、位于低k介质层内及低k介质层上表面的金属连接层；焊料凸块，位于重新布线层的上表面，且与金属连接层电连接；保护层，位于半导体芯片及重新布线层的外围；保护层的上表面不低于所述低k介质层的上表面，保护层的下表面与半导体芯片的下表面具有间距。本发明通过在半导体芯片及重新布线层的低k介质层外围形成保护层，即可以有效避免外部的水汽渗入到低k介质层内使得低k介质层更易破裂，又可以起到稳固低k介质层，防止外力对低k介质层破坏的作用，从而使得低k介质层在切割过程中不会出现裂痕
晶圆级芯片封装结构及其制备方法

[发明专利]晶圆级芯片封装结构及其制备方法-CN201710954749.3在审
发明人：陈彦亨;林正忠;吴政达 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请日： 2017-10-13 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆级芯片封装结构及其制备方法，晶圆级芯片封装结构包括半导体芯片；重新布线层，包括低k介质层、位于低k介质层内及低k介质层上表面的金属线层；焊料凸块，位于重新布线层的上表面，且与金属线层电连接；第一保护层，位于半导体芯片的外围；第二保护层，填充于焊料凸块之间及外围，且覆盖裸露的低k介质层及金属线层。本发明通过在低k介质层及金属线层上表面及外围形成第二保护层，即可以有效避免外部的水汽渗入到低k介质层内使得低k介质层更易破裂，又可以起到稳固低k介质层，防止外力对低k介质层破坏的作用，从而使得低k介质层在切割过程中不会出现裂痕
晶圆级芯片封装结构及其制备方法

[实用新型]晶圆级芯片封装结构-CN201721320704.2有效
发明人：陈彦亨;林正忠;吴政达 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请日： 2017-10-13 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种晶圆级芯片封装结构，晶圆级芯片封装结构包括半导体芯片；重新布线层，包括低k介质层、位于低k介质层内及低k介质层上表面的金属线层；焊料凸块，位于重新布线层的上表面，且与金属线层电连接；第一保护层，位于半导体芯片的外围；第二保护层，填充于焊料凸块之间及外围，且覆盖裸露的低k介质层及金属线层。本实用新型通过在低k介质层及金属线层上表面及外围形成第二保护层，即可以有效避免外部的水汽渗入到低k介质层内使得低k介质层更易破裂，又可以起到稳固低k介质层，防止外力对低k介质层破坏的作用，从而使得低k介质层在切割过程中不会出现裂痕
晶圆级芯片封装结构

[发明专利]低沸点介质蒸汽推动涡轮发动机-CN201510601748.1有效
发明人：章祖文 -专利权人：章祖文
申请日： 2015-09-21 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： F01K25/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种低沸点介质蒸汽推动涡轮发动机，特征是它由热源、介质蒸汽产生装置、低沸点介质蒸汽产生装置、低沸点介质蒸汽输送装置、低狒点介质蒸汽推动涡轮作功装置、涡轮轴通过涡轮轴、间隔永磁体或密封轴、传动轴、传动齿轮向外传送动力装置、低沸点介质蒸汽回收、冷却、循环利用装置构成。优点是结构简单、制作容易、低沸点介质液态二氧化碳或液态氮原料易得、节约能源。
沸点介质蒸汽推动涡轮发动机

[发明专利]用于多孔低k介质的紫外线照射装置和照射方法-CN201410138294.4在审
发明人：雷通;桑宁波 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-04-08 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提出了一种用于多孔低k介质的紫外线照射装置和照射方法，在反应腔室内设置具有不同波长的紫外线灯，在对低k介质进行紫外线照射处理时，先采用波长较长的紫外线灯对低k介质进行处理，再采用波长较短的紫外线灯对低k介质进行处理；由于波长较长的紫外线的光子能量更低，使低k介质的薄膜内部交联反应较弱，能够保证低k介质薄膜下层的致孔剂能够更彻底的被清除，然后再用波长较短的紫外线进行照射，促进低k介质薄膜的交联反应也彻底完成，从而形成多孔性较好的低k介质薄膜。
用于多孔介质紫外线照射装置方法

[发明专利]一种低K介质阻挡层及其形成方法-CN201210137455.9无效
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-05-03 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种低K介质阻挡层及其形成方法，其中，所述方法包括：提供具有低K介质层的衬底；在所述低K介质层上形成低K介质阻挡层，所述低K介质阻挡层包括碳硼化合物层，所述碳硼化合物层通过无氧等离子体工艺形成通过所述低K介质阻挡层包括碳硼化合物层，所述碳硼化合物层通过无氧等离子体工艺形成，由此，避免了现有工艺中氧气等离子体工艺形成低K介质阻挡层，从而造成对低K介质层的损伤的问题，进而提高了半导体工艺的可靠性
一种介质阻挡及其形成方法

[发明专利]低挥发性有机组分介质-CN201711041694.3在审
发明人：西鲁玛拉·杜赖萨米 -专利权人：费罗公司
申请日： 2012-05-31 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： C04B33/00 文献下载
摘要：本发明描述了一种低VOC介质。该介质包含低VOC溶剂如碳酸丙烯酯、碳酸二甲酯或其组合。该低VOC介质还包含一种或多种二醇醚。此外，该低VOC介质还包括一种或多种表面活性剂和/或分散剂。该低VOC介质还可以可选的包含一种或多种粘合剂。该低VOC介质可用于制备预期用于包括烧制步骤的用途的涂料组合物和糊料。
挥发性有机组分介质

[发明专利]低挥发性有机组分介质-CN201280026019.2在审
发明人：西鲁玛拉·杜赖萨米 -专利权人：费罗公司
申请日： 2012-05-31 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： C03C1/04 文献下载
摘要：本发明描述了一种低VOC介质。该介质包含低VOC溶剂如碳酸丙烯酯、碳酸二甲酯或其组合。该低VOC介质还包含一种或多种二醇醚。此外，该低VOC介质还包括一种或多种表面活性剂和/或分散剂。该低VOC介质还可以可选的包含一种或多种粘合剂。该低VOC介质可用于制备预期用于包括烧制步骤的用途的涂料组合物和糊料。
挥发性有机组分介质

[发明专利]一种基于石墨烯的混杂等离子波导-CN201911309163.7在审
发明人：贺雪晴;周夏飞;宁提纲;裴丽;郑晶晶;李晶 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： G02B6/10 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种基于石墨烯的混杂波导结构，包括：上半波导结构和下半波导结构；所述下半波导结构包括位于下层的低折射率电介质110和平铺在所述下层低折射率电介质的石墨烯120；所述上半波导结构包括位于石墨烯之上的低折射率电介质110和位于所述低折射率电介质110之上的高折射率电介质130；所述低折射率电介质110的宽度和高折射率电介质130的宽度均小于30μm；所述低折射率电介质110和高折射率电介质130的交界面处设置有向下凹陷的凹槽，凹槽内为高折射率电介质130；所述低折射率电介质110为高密度聚乙烯(HDPE)，所述高折射率材料130为砷化镓(GaAs)。
一种基于石墨混杂等离子波导

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