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[发明专利]太赫兹外差阵列接收机本振参考信号功率分配装置及其分配方法-CN201410538159.9有效
发明人：史生才;张文;缪巍;林镇辉 -专利权人：中国科学院紫金山天文台
申请日： 2014-10-14 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： G01N21/3581 文献下载
摘要：本发明波束分离器上装配有具有一定反射率和透射率的介质膜，介质膜与输出波束呈45°夹角，输出波束依次透射各个波束分离器上的介质膜，每个介质膜均反射部分输出波束与待测信号耦合后射至与之相应的混频器中，本振参考信号功率分配装置通过调整不同位置的波束分离器上的介质膜厚度改变介质膜反射率和透射率或调整混频器的最佳功率需求
赫兹外差阵列接收机参考信号功率分配装置及其方法

[发明专利]实现硅锗异质结晶体管基区窗口的方法-CN200910201936.X有效
发明人：陈帆;张海芳;徐炯 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2009-12-15 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现硅锗异质结晶体管基区窗口的方法，在硅衬底上形成有埋层、集电区、衬底隔离区的硅片上淀积复合介质膜；采用干法刻蚀所述复合介质膜，定义基区窗口，刻蚀停止在所述复合介质膜的氧化膜上；在基区窗口打开后，复合介质膜的氧化膜去除之前，再淀积一层介质膜层，利用介质膜层在基区窗口界面台阶处形成D形侧墙；同时，利用D形侧墙的保护，湿法去除基区窗口内剩余氧化膜，并外延生长SiGe基区。
实现硅锗异质结晶体管基区窗口方法

[发明专利]一种基于插入式介质膜片的毫米波定向耦合器-CN201610250359.3有效
发明人：陈振华;过铮;陈翔;葛俊祥 -专利权人：南京信息工程大学
申请日： 2016-04-21 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01P5/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于插入式介质膜片的毫米波定向耦合器，包括上腔体、介质膜片、中间段和承载腔体，上腔体、中间段、承载腔体从上至下顺序叠放；中间段的上表面开设有容置介质膜片的承载槽，下表面开设有输入端口、直通端口以及连通输入端口、直通端口的主波导传输通道；上腔体的下表面开设有隔离端口、耦合端口和连通隔离端口、耦合端口的副波导传输通道；介质膜片沿纵向中心线等间距开设有若干等半径的金属化通孔。本发明通过更换具有不同过孔参数的介质膜片，即可灵活地对耦合器的电性能指标进行调整，而除介质膜片以外的其余结构可以保留并通用；具有成本更低、实现周期更短、调整更为方便灵活的优点，可适用于毫米波频段的定向耦合器
介质膜片上腔体中间段毫米波定向耦合器传输通道隔离端口输入端口直通端口耦合端口插入式承载腔下表面连通电性能指标定向耦合器毫米波频段金属化通孔纵向中心线从上至下顺序叠放承载槽副波导灵活的上表面主波导耦合器容置灵活通用保留

[发明专利]防伪字模材料介质膜层用树脂组合物与防伪字模材料-CN201310732984.8有效
发明人：钟稳根;刘斌;谭铭 -专利权人：深圳市桑泰防伪材料有限公司
申请日： 2013-12-26 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： C09J7/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种防伪字模材料介质膜层用树脂组合物与防伪字模材料，该防伪字模材料依次包括面材、图案层、保护层、油墨层、介质膜层、胶黏剂层与离型纸，所述介质膜层由树脂组合物形成，所述树脂组合物包括：水性聚合物乳液与现有技术相比，首先，本发明介质膜层树脂组合物采用水性聚合物乳液，且没有添加任何助溶剂，使其对油墨没有腐蚀性；其次，水性聚合物乳液的官能团，有助于分子链在油墨表面的流动和润湿性，使得其形成的介质膜层与油墨层具有良好的附着力，并且其形成的介质膜层具有较高的表面能，能与胶黏剂较好地粘合在一起。
防伪字模材料介质膜层用树脂组合

[发明专利]一种基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器-CN201310461747.2有效
发明人：康俊勇;高娜;黄凯;陈雪;林伟;李书平;陈航洋;杨旭;李金钗 -专利权人：厦门大学
申请日： 2013-09-30 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：包括衬底、具有量子能级的二维晶格和金属叉指电极；所述二维晶格在衬底上交替生长，交替生长的周期为至少20个；每个交替生长周期的二维晶格由第一介质膜层与第二介质膜层形成，第一介质膜层的禁带落在第二介质膜层的禁带中，成为半导体Ⅰ类超晶格，第一介质膜层作为势阱，第二介质膜层作为势垒，金属叉指电极与二维晶格形成肖特基接触。
一种基于二维晶格紫外波长 msm 光电探测器

[发明专利]光刻尺寸超规格的修正刻蚀方法-CN200710094242.1有效
发明人：曾林华;刘鹏;吕煜坤 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2007-11-19 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻尺寸超规格的修正刻蚀方法，用于光刻尺寸超规格产生光刻尺寸偏差时，进一步刻蚀衬底上的主介质膜，达到设定的主介质膜线宽，其中主介质膜上有刻蚀阻挡层，刻蚀阻挡层上涂有光刻胶；具体包括如下步骤：(1)根据光刻尺寸偏差计算刻蚀阻挡层的刻蚀断面角度修正值；(2)根据刻蚀阻挡层的刻蚀断面角度修正值，通过改变刻蚀参数调整刻蚀阻挡层的刻蚀断面角度；(3)进一步刻蚀主介质膜，得到设定的主介质膜线宽。因为本发明用上述方法改变了光刻尺寸超规格后需要返工作业的工艺流程，经过修正后仍可得到设定的主介质膜线宽，进而可以大幅度增加光刻工艺窗口，减少因光刻线宽超规格的返工，降低生产成本。
光刻尺寸规格修正刻蚀方法

[发明专利]金属化膜的制造方法-CN201680059785.7有效
发明人：斯波将希;糸井真介;安达博;高本幸典 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2016-10-04 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01G4/015 文献下载
摘要：一种金属化膜的制造方法，所述金属化膜具备电介质膜，并且在该电介质膜的表面具备包含蒸镀金属的电阻值不同的多个金属蒸镀电极和不存在所述蒸镀金属的绝缘边缘，金属化膜的制造方法包括：在真空中，在使所述电介质膜的表面的形成所述电阻值不同的多个金属蒸镀电极的部分附着油之后，使附着了所述油的电介质膜的表面与金属蒸气接触的过程，在所述电介质膜的表面的形成所述电阻值不同的多个金属蒸镀电极中电阻值相对低的所述金属蒸镀电极的部分所附着的所述油的电介质膜表面的每单位面积的量，比形成电阻值相对高的所述金属蒸镀电极的部分所附着的油的量少
金属化制造方法

[实用新型]一种贴片电容-CN201821281381.5有效
发明人：杨骏颖 -专利权人：广东汇泰铭基科技有限公司
申请日： 2018-08-09 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01G2/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种贴片电容，包括陶瓷体和外电极，所述陶瓷体包括第一陶瓷介质膜片和第二陶瓷介质膜片，所述第一陶瓷介质膜片与第二陶瓷介质膜片间隔叠合设置，所述第一陶瓷介质膜片的上方印刷有第一内电极，所述第二陶瓷介质膜片的上方印刷有第二内电极
陶瓷介质膜片内电极陶瓷体本实用新型贴片电容焊接板吸音棉电容防震减小啸叫噪音交流电场作用针孔印刷产生振荡间隔叠合位置交错安装件填充盒外电极外置焊接震荡稳固吸收损害

[实用新型]双面防伪标签-CN201621320836.0有效
发明人：项云;陈华贵;张许松 -专利权人：深圳正峰印刷有限公司
申请日： 2016-12-02 - 公布日： 2017-07-11 - 主分类号： G09F3/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种双面防伪标签，包括基材，包括第一表面和第二表面；第一油墨层，印刷在所述第一表面上；透明的介质膜，可一次性分离地附着在所述基材的第二表面上；第二油墨层，附着在所述介质膜上；以及附着在所述第二油墨层上的双面胶层这种双面防伪标签在同一个基材上进行印刷，不会出现产品网站动态链接码与验证码不匹配的情况；当用户需要查询真伪时，可通过手机扫描网站动态链接码，之后从基材的第一表面将基材从介质膜上撕下，用户可以透过介质膜看到第二油墨层由于基材从介质膜撕下后，不能再黏附到介质膜上，因此改善了防伪功能。
双面防伪标签

[实用新型]一种基于插入式介质膜片的毫米波定向耦合器-CN201620338572.5有效
发明人：陈振华;过铮;陈翔;葛俊祥 -专利权人：南京信息工程大学
申请日： 2016-04-21 - 公布日： 2016-09-28 - 主分类号： H01P5/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于插入式介质膜片的毫米波定向耦合器，包括上腔体、介质膜片、中间段和承载腔体，上腔体、中间段、承载腔体从上至下顺序叠放；中间段的上表面设有容置介质膜片的承载槽，下表面开设有输入端口、直通端口以及连通输入端口、直通端口的主波导传输通道；上腔体的下表面开设有隔离端口、耦合端口和连通隔离端口、耦合端口的副波导传输通道；介质膜片沿纵向中心线等间距开设有若干等半径的金属化通孔。本实用新型通过更换具有不同过孔参数的介质膜片，即可灵活地对耦合器的电性能指标进行调整，而除介质膜片以外的其余结构可以保留并通用；具有成本更低、实现周期更短、调整更为方便灵活的优点，适用于毫米波频段的定向耦合器
一种基于插入介质膜片毫米波定向耦合器

[发明专利]一种气体净化方法及系统-CN201910199683.0在审
发明人：江艳存 -专利权人：招远市汇潮新能源科技有限公司
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： B01D50/00 文献下载
摘要：其中，所述方法包括以下步骤：向过滤板输送过滤介质，过滤介质在所述过滤板上形成流体介质膜；向所述流体介质膜输送待净化气体，使气体自下向上穿过所述流体介质膜。
一种气体净化方法系统

[发明专利]一种耐压修饰型钽电容器介质氧化膜材料的制备方法-CN201810651228.5在审
发明人：裘友玖;韩桂林;朱华 -专利权人：佛山陵朝新材料有限公司
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01G9/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种耐压修饰型钽电容器介质氧化膜材料的制备方法，属于介质氧化膜技术领域。本发明采用木质素改性制备聚电解质材料后，经自组装包覆至钽片表面，通过自组装形成的聚合物膜能够稳定地组装于氧化钽介质膜上，对介质膜进行表面修饰，由柔性聚合物组成的超薄膜不仅可以稳定地吸附于钽电容介质膜表面，有效降低介质氧化膜表面粗糙度，有效改善氧化钽电容发生短路的缺陷，使其具有优异的稳定性能；本发明通过自组装超薄膜修饰氧化钽介质膜，可以有效地隔离介质膜中的导电通道，改善氧化膜的承受电压能力，减小漏电流，通过静电自组装膜对介质氧化膜进行表面修饰后，隔离了介质氧化膜中的导电通道，从而有效改善材料的耐压性能。
介质氧化膜介质膜氧化钽自组装表面修饰导电通道钽电容器超薄膜修饰型耐压制备制备聚电解质表面粗糙度隔离介质膜介质膜表面静电自组装木质素改性柔性聚合物电压能力改善材料聚合物膜耐压性能稳定性能电容短路漏电流氧化膜有效地钽电容包覆减小吸附钽片修饰组装隔离

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202310219684.3在审
发明人：帅露;廖君玮 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制造方法，包括：提供基底、位于基底表面的栅介质膜以及位于栅介质膜部分表面的栅极导电层；形成覆盖栅极导电层露出的栅介质膜表面以及栅极导电层的顶面和侧面的绝缘层；干法刻蚀绝缘层以及栅介质膜，露出部分基底，保留位于栅极导电层侧面的绝缘层作为第一侧墙，剩余栅介质膜作为第一栅介质层；对第一侧墙以及基底进行清洗处理，去除部分宽度的第一栅介质层，剩余第一栅介质层作为第二栅介质层，且第一侧墙、第二栅介质层以及基底围成缺口，其中，缺口的宽度小于第一侧墙的最大宽度；刻蚀去除位于缺口正上方的第一侧墙，剩余的第一侧墙作为第二侧墙。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]柔性膜和包括该柔性膜的显示设备-CN200810099965.5无效
发明人：李相坤;金大成;张祐赫 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2008-05-29 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：该柔性膜包括电介质膜，设置在电介质膜上的金属层，和穿过电介质膜和金属层形成的至少一个孔。从而，能有利于将柔性膜上的电路图案与显示设备的面板的电极或显示设备的驱动单元的电路对准。
柔性包括显示设备

[发明专利]柔性膜和包括该柔性膜的显示设备-CN200810099955.1无效
发明人：李相坤;金大成;张祐赫 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2008-05-29 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：该柔性膜包括电介质膜；和设置在电介质膜上的金属层，其中金属层的厚度与电介质膜的厚度的比率约为1∶1.5至1∶10。柔性膜具有极好的镀特性、粘着强度、耐热性、耐折性和耐化学性等特性。
柔性包括显示设备