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- [发明专利]闪存存储单元的形成方法-CN201410114599.1有效
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张永兴
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中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
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2014-03-25
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2018-08-10
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H01L27/11521
- 一种闪存存储单元的形成方法,包括:提供表面具有第一介质膜的衬底;以第一成核工艺在第一介质膜表面形成分立的第一纳米浮栅,若干第一纳米浮栅具有第一分布密度;以第二成核工艺在若干第一纳米浮栅之间的第一介质膜表面形成若干分立的第二纳米浮栅,第一纳米浮栅和第二纳米浮栅具有第二分布密度,第二分布密度大于第一分布密度,且第一纳米浮栅和第二纳米浮栅之间相互分立;在第一介质膜、第一纳米浮栅和第二纳米浮栅表面形成第二介质膜和控制栅膜;去除部分控制栅膜、第二介质膜、第一纳米浮栅、第二纳米浮栅和第一介质膜以第一介质层、第二介质层和控制栅层;在控制栅层两侧的衬底内形成源区和漏区。
- 闪存存储单元形成方法
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