专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]弹性波器件和使用弹性波器件的天线双工器-CN201380040093.4有效
  • 岩崎智弘;中村弘幸;小松禎也 - 天工滤波方案日本有限公司
  • 2013-07-26 - 2017-04-12 - H03H9/145
  • 一种弹性波器件包括压电基板;梳形电极,其形成在所述压电基板上并且激励瑞利波作为主要弹性波;第一电介质,其形成在所述压电基板上以覆盖所述梳形电极;以及第二电介质,其一部分设置在所述梳形电极的电极指之间设置在所述电极指之间的所述部分设置在所述压电基板和所述第一电介质之间。设置在所述梳形电极上方的所述部分设置在所述梳形电极和所述第一电介质之间。通过所述第一电介质传播的横波的速度低于由所述梳形电极激励的瑞利波的速度。通过所述第二电介质传播的横波的速度高于由所述梳形电极激励的瑞利波的速度。
  • 弹性器件使用天线双工器
  • [发明专利]闪存存储单元的形成方法-CN201410114599.1有效
  • 张永兴 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2014-03-25 - 2018-08-10 - H01L27/11521
  • 一种闪存存储单元的形成方法,包括:提供表面具有第一介质的衬底;以第一成核工艺在第一介质表面形成分立的第一纳米浮栅,若干第一纳米浮栅具有第一分布密度;以第二成核工艺在若干第一纳米浮栅之间的第一介质表面形成若干分立的第二纳米浮栅,第一纳米浮栅和第二纳米浮栅具有第二分布密度,第二分布密度大于第一分布密度,且第一纳米浮栅和第二纳米浮栅之间相互分立;在第一介质、第一纳米浮栅和第二纳米浮栅表面形成第二介质和控制栅膜;去除部分控制栅膜、第二介质、第一纳米浮栅、第二纳米浮栅和第一介质以第一介质层、第二介质层和控制栅层;在控制栅层两侧的衬底内形成源区和漏区。
  • 闪存存储单元形成方法

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