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[实用新型]集成电路的输出管压点的金属连线结构-CN201120032581.9有效
发明人：林立桂;梅海军;熊爱华;江桂钦;石建武;林善彪 -专利权人：福建福顺微电子有限公司
申请日： 2011-01-30 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种集成电路的输出管压点的金属连线结构，包括输出管，所述输出管上设有压点区，所述输出管上设有一第一介质薄膜层，所述第一介质薄膜层上的接触孔正对压点区，所述第一介质薄膜层的接触孔及沟槽穿过第一介质薄膜层，其内填充有钛钨过度层及第一层输出管压点连线金属层，所述第一介质薄膜层上方设有第二介质薄膜层，所述第二介质薄膜层的接触孔正对压点区，所述第二介质薄膜层的接触孔及沟槽穿过第二介质薄膜层，其内填充有第二层输出管压点连线金属层，所述第二介质薄膜层上方设有一表面钝化保护层，所述表面钝化保护层对应压点区的位置设有输出管压点沟槽。
集成电路输出管压点金属连线结构

[发明专利]一种盲人图文显示单元及阅读器-CN202110260631.7有效
发明人：程昱川;赵自辉;邵迎春;方明权;龙菲;李志祥;孙爱华;高青青;许高杰;周钦钦 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所;宁波新福钛白粉有限公司
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： G09B21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种盲人图文显示单元及阅读器，所述显示单元包括触点、电极和介电单元，电极包括上下相对设置的上电极和下电极，上电极和下电极的电荷相反，介电单元包括上介电薄膜、下介电薄膜和介电液体，上介电薄膜和下介电薄膜相连接形成一密封腔，介电液体填充于密封腔内，上电极与上介电薄膜的外表面相贴合，下电极与下介电薄膜的外表面相贴合，且上电极设置有第一通孔，触点通过第一通孔与上介电薄膜的外表面相接触，触点在介电单元的作用下在第一通孔中上下移动
一种盲人图文显示单元阅读器

[发明专利]介孔二氧化硅薄膜-CN200880012081.X无效
发明人：矢野聪宏 -专利权人：花王株式会社
申请日： 2008-04-02 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： C01B37/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种介孔二氧化硅薄膜、将该介孔二氧化硅薄膜形成于基板上而成的结构体、以及介孔二氧化硅薄膜结构体的制造方法。其中，介孔二氧化硅薄膜是具有平均微孔周期为1.5～6nm的介孔结构的二氧化硅薄膜，该介孔在相对于膜表面呈75～90°的方向上取向；介孔二氧化硅薄膜结构体的制造方法为：调制含有特定含量的特定阳离子表面活性剂的水溶液，将基板浸在该水溶液中，添加特定含量的通过水解而生成硅烷醇的二氧化硅源，在10～100℃温度下搅拌，在基板表面形成介孔二氧化硅薄膜之后，除去阳离子表面活性剂。
二氧化硅薄膜

[发明专利]一种梯度复合结构多级孔薄膜及其制备方法-CN201610539332.6有效
发明人：罗国强;鄢凤麟;张联盟;黄静;阳晓宇;张建;沈强 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2016-07-11 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： B01J20/16 文献下载
摘要：本发明提供的梯度复合结构多级孔薄膜及其制备方法。该薄膜是一种微孔‑介孔体系的多级孔薄膜，具有微孔‑介孔体系、微孔‑大孔体系或微孔‑介孔‑大孔体系。该薄膜的制备方法是：在微孔层表面沉积形成具有三维孔道的介孔层而获得微孔‑大孔结构样品，或在微孔层表面沉积形成具有开放孔道的大孔层而获得微孔‑大孔结构样品，或依次在微孔层表面沉积形成数层介孔层和大孔层获得微孔‑介孔‑大孔梯度孔结构样品；将梯度孔结构薄膜样品放入气氛炉中，一步煅烧去除所有模板剂，再用低浓度无机酸浸泡去除金属基板，得到梯度复合结构多级孔薄膜。
一种梯度复合结构多级薄膜及其制备方法

[发明专利]介孔钙钛矿薄膜的制备方法-CN202111655211.5有效
发明人：宋丹丹;路遥;徐征;赵谡玲;乔泊 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： C09K11/66 文献下载
摘要：本发明提供一种介孔钙钛矿薄膜的制备方法，属于介孔材料薄膜制备技术领域，包括将钙钛矿的前驱体盐与双长链季铵盐一起加入极性溶剂中，搅拌至澄清透明备用；采用旋涂法，选择合适的转速和时间旋凃成膜，然后转移至加热平台上，退火去除残留的有机溶剂，完成钙钛矿介孔钙钛矿薄膜的制备。本发明通过在前驱液中加入双长链季铵盐调控，制备出缺陷少且具有均匀介孔形貌的钙钛矿薄膜；介孔结构钙钛矿薄膜具有优异的光学性能，可以调控光传输路径、在器件中调节光入射和光耦合输出特性；介孔结构钙钛矿薄膜孔洞可以负载更多材料，在制备复合薄膜方面具有独特的优势；介孔钙钛矿薄膜具有更大的比表面积，在光化学领域有极大应用潜力。
介孔钙钛矿薄膜制备方法

[发明专利]双层有序垂直介孔薄膜修饰的金属锂负极及其制备方法和应用-CN202210917859.3在审
发明人：严敏;王照云;於国伟;刘治田 -专利权人：武汉工程大学
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01M4/134 文献下载
摘要：本发明公开了一种双层有序垂直介孔薄膜修饰的金属锂负极及其制备方法和应用。该双层有序垂直介孔薄膜修饰的金属锂负极，包括依次叠层设置的大孔单层有序垂直介孔薄膜、小孔单层有序垂直介孔薄膜和金属锂层。本发明通过在金属锂层表面依次设置小孔单层有序垂直介孔薄膜和大孔单层有序垂直介孔薄膜，能够对锂负极在充放电过程的锂离子输运行为进行调节，引导均匀的锂沉积，可以有效的抑制锂枝晶的生长，解决现有技术中金属锂沉积中锂枝晶生长的问题
双层有序垂直薄膜修饰金属负极及其制备方法应用

[实用新型]电力电子器件的压点的金属连线结构-CN201120570416.9有效
发明人：林立桂;梅海军;熊爱华;江桂钦;石建武;林善彪 -专利权人：福建福顺微电子有限公司
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种电力电子器件的压点的金属连线结构，包括设有体区和压点区的电力电子器件，所述体区上设有第一介质薄膜层，所述第一介质薄膜层中部设有深度穿透第一介质薄膜层至压点区的沟槽和接触孔；所述第一介质薄膜层的沟槽和接触孔内由下往上依次设有钛钨过渡层和第一层压点连线金属层；所述第一介质薄膜层上设有第二介质薄膜层，所述第二介质薄膜层中部设有深度穿透第二介质薄膜层至第一介质薄膜层的沟槽和接触孔；所述第二介质薄膜层的沟槽内设有第二层压点连线金属层；所述第二介质薄膜层上设有表面钝化保护层，所述表面钝化保护层的中部设有深度穿透表面钝化保护层至第二介质薄膜层的压点凹槽。
电力电子器件金属连线结构

[发明专利]采用模板技术的无裂纹微/介孔薄膜的制造方法及其薄膜-CN200610117777.1无效
发明人：李庆华;袁昊;解丽丽;王利军 -专利权人：上海第二工业大学
申请日： 2006-10-31 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： C01B39/04 文献下载
摘要：本发明提供一种采用紫外光解技术去除模板剂的无裂纹微/介孔薄膜的制造方法及其无裂纹微/介孔薄膜。本发明藉由紫外光解技术去除无机微/介孔孔道内的以有机模板剂为主的有机质(包括有机结构导向剂、模板剂、表面活性剂和生物中的有机质等)，制备无裂纹微/介孔薄膜。该技术不仅避免微/介孔薄膜裂纹的产生，而且操作方便，节能，大大缩短了脱除有机模板剂的时间。
采用模板技术裂纹薄膜制造方法及其

[发明专利]染料敏化太阳能电池光阳极及其制备方法-CN201511024447.3有效
发明人：黄富强;陈盎然 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：本发明涉及染料敏化太阳能电池光阳极及其制备方法，所述制备方法包括：将预先制备的包括钛源的前驱体溶液附着在透明导电玻璃的导电面上，蒸发使形成介孔结构二氧化钛薄膜层；将形成有所述介孔结构二氧化钛薄膜层的透明导电玻璃低温焙烧，得到亚稳定状态的介孔结构二氧化钛薄膜层；重复前述2个步骤得到具有多层的亚稳定状态的介孔结构二氧化钛薄膜层的透明导电玻璃；将具有多层的亚稳定状态的介孔结构二氧化钛薄膜层的透明导电玻璃进行高温焙烧，制得稳定状态的介孔结构二氧化钛薄膜光阳极
染料太阳能电池阳极及其制备方法

[实用新型]中大功率半导体器件压点的金属连线结构-CN201120570411.6有效
发明人：林立桂;梅海军;熊爱华;江桂钦;石建武;林善彪 -专利权人：福建福顺微电子有限公司
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种中大功率半导体器件压点的金属连线结构，包括设有体区和压点区的中大功率半导体器件，所述体区上设有第一介质薄膜层，所述第一介质薄膜层中部设有深度穿透第一介质薄膜层至压点区的沟槽和接触孔；所述第一介质薄膜层的沟槽和接触孔内由下往上依次设有钛钨过渡层和第一层压点连线金属层；所述第一介质薄膜层上设有第二介质薄膜层，所述第二介质薄膜层中部设有深度穿透第二介质薄膜层至第一介质薄膜层的沟槽和接触孔；所述第二介质薄膜层的沟槽内设有第二层压点连线金属层；所述第二介质薄膜层上设有表面钝化保护层，所述表面钝化保护层的中部设有深度穿透表面钝化保护层至第二介质薄膜层的压点凹槽。
大功率半导体器件金属连线结构

[发明专利]一种低介电、低损耗聚酰亚胺薄膜及其制备方法-CN202011372180.8有效
发明人：曹河文;许辉;祝春才 -专利权人：浙江中科玖源新材料有限公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C08G73/10 文献下载
摘要：本发明提出了一种低介电、低损耗聚酰亚胺薄膜及其制备方法，包括将介孔分子筛与正硅酸乙酯、含氨基硅烷化偶联剂和氨水进行反应，得到表面氨基修饰的介孔材料；将所述表面氨基修饰的介孔材料与二胺以及二酐单体进行缩聚反应后，再进行热亚胺化并成膜，即得到所述低介电、低损耗的聚酰亚胺薄膜。本发明提出的一种低介电、低损耗聚酰亚胺薄膜及其制备方法，通过在聚酰亚胺中引入尺寸均一且表面具有氨基修饰的介孔材料，使所得聚酰亚胺薄膜的介电常数和介电损耗都得到有效降低。
一种低介电损耗聚酰亚胺薄膜及其制备方法

[发明专利]一种碳纳米管导电薄膜的制作方法、显示面板和显示装置-CN202010744356.1有效
发明人：夏玉明;卓恩宗;袁海江 -专利权人：北海惠科光电技术有限公司;惠科股份有限公司
申请日： 2020-07-29 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本申请公开了一种碳纳米管导电薄膜的制作方法、显示面板和显示装置。碳纳米管导电薄膜的制作方法中，包括步骤：形成介孔二氧化硅；通过原子层沉积技术在介孔二氧化硅孔道内沉积催化层；将孔道内沉积有催化层的介孔二氧化硅制作成介孔二氧化硅薄膜；通过化学气相沉积技术在介孔二氧化硅薄膜的孔道内通入碳源前驱体，在催化层的催化下发生反应形成碳纳米管薄膜；去除碳纳米管薄膜中的介孔二氧化硅和催化层，形成透明的碳纳米管导电薄膜。本申请通过结合原子层沉积技术和化学气相沉积技术得到致密性和柔韧性优良的碳纳米管导电薄膜。
一种纳米导电薄膜制作方法显示面板显示装置

[发明专利]制备金属硫化物纳米粒子与介孔薄膜复合材料的方法-CN200610018119.7无效
发明人：郭丽萍;刘为;雷家珩;童辉;刘丹 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2006-01-09 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种以有机/无机杂化介孔薄膜为基体，通过浸渍法组装金属离子制备金属硫化物纳米粒子与介孔薄膜复合材料的方法。与现有技术的差异在于：通过共缩聚法一步制备出在介孔孔道内表面均匀分布巯基的有机/无机杂化薄膜，以此组装金属离子，并通过焙烧一步得到金属硫化物纳米粒子与介孔薄膜的复合材料。杂化薄膜内掺量可控的巯基不仅可以通过配位作用分散和锚固金属离子，解决制备金属硫化物纳米粒子在介孔管口的堵塞问题，还可以作为潜在的硫源，使得制备硫化物只需引入金属元素。该工艺过程简单、耗时短，可以通过介孔材料的孔径有效地控制纳米粒子的尺寸及其分布，制得的金属硫化物纳米粒子与介孔薄膜复合体具有优异的光学和电学特性。
制备金属硫化物纳米粒子薄膜复合材料方法

[发明专利]一种基于SiO₂介孔薄膜的隔热玻璃及其制备方法-CN201510225974.4有效
发明人：赵高凌;张馨文;赵翔宇;李金;孟伟杰;詹凌曈;韩高荣 -专利权人：浙江大学
申请日： 2015-05-06 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： C03C17/23 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于SiO2介孔薄膜的隔热玻璃，该材料是在玻璃基底上具有SiO2介孔薄膜层，所述的介孔孔径为2‑10nm，SiO2介孔薄膜层中的介孔孔道平行于玻璃基底。其制备方法是在常温下进行如下步骤：先配置TEOS、乙醇和稀盐酸的混合溶液并陈化，再配置CTAB与乙醇的混合溶液，将上述两种混合溶液混合陈化获得旋涂液，最后旋涂获得基于SiO2介孔薄膜的隔热玻璃。本发明的基于SiO2介孔薄膜的隔热玻璃，与其他隔热材料相比，在同等厚度下具有更好的隔热性能，且其制备方法简单，在常温下即可实现，成本较低，具有很好的应用前景和推广价值。 1
介孔薄膜隔热玻璃混合溶液制备玻璃基常温下乙醇隔热材料隔热性能混合陈化介孔孔道介孔孔径稀盐酸旋涂液再配置陈化旋涂平行配置应用

[发明专利]一种提高金属-绝缘体-金属电容器介电质质量的方法-CN201210135983.0有效
发明人：徐强 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-05-04 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高金属-绝缘体-金属电容器介电质质量的方法，其中，包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底的前段部分为晶体管制作区域，后段部分为金属互连区域；在所述衬底上制作下电极，在所述下电极表面沉积一层介电质薄膜，在所述介电质薄膜中加入有机成孔剂；对所述介电质薄膜进行紫外光照射；在所述介电质薄膜上制备上电极。采用该方法制备的电容介电质薄膜，薄膜的应力增加，薄膜质量好，从而将该经过紫外光照射后的含有有机成孔剂的氮化硅薄膜作为MIM电容介电质薄膜，能够很好的提高其电学性能。
一种提高金属绝缘体电容器介电质质量方法

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