“交替层叠”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果235025个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]交替层叠式托盘-CN201010163701.9无效
发明人：黄建峰 -专利权人：杭州迅达包装有限公司
申请日： 2010-05-04 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： B65D85/86 文献下载
摘要：本发明涉及机械技术领域，尤其是涉及一种交替层叠式托盘。它解决了现有技术易于对电子元件造成挤压，机械强度不高，难以准确叠放等技术问题。与现有的技术相比，本交替层叠式托盘的优点在于：1、设计合理，结构简单，易于加工制造，生产成本较低。2、在叠放时不会对装于其内的电子元件造成损伤。3、操作简便，不会造成误叠放，便于摆放和搬运。
交替层叠托盘

[发明专利]垂直半导体装置及其制造方法-CN201911241895.7在审
发明人：金钟勋 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L27/11563 文献下载
摘要：一种用于制造垂直半导体装置的方法可以包括以下步骤：制备包括第一区域和第二区域的基板；在基板上形成下交替层叠；蚀刻下交替层叠以在第二区域中形成下开口；在下开口和下交替层叠上形成上交替层叠，以在第二区域中形成由于填充下开口而导致的凹进部分；使用凹进部分作为对准键而在上交替层叠上形成掩模层；并且通过使用掩模层作为阻挡件蚀刻上交替层叠以在第一区域中形成图案。
垂直半导体装置及其制造方法

[发明专利]垂直半导体装置及其制造方法-CN202010503428.3在审
发明人：金镇河 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-06-05 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：一种半导体装置包括：交替层叠物，其设置在下结构上方并且包括交替地层叠的多个栅电极和多个介电层；存储器层叠结构，其包括延伸以穿透交替层叠物的沟道层以及围绕沟道层的存储器层；源极接触层，其与垂直沟道层的下外壁接触并且设置在下结构和交替层叠物之间；源极接触插塞，其与存储器层叠结构间隔开并且延伸以穿透交替层叠物；以及密封间隔物，其被设置为密封栅电极并且设置在源极接触插塞和栅电极之间，该密封间隔物的抗蚀刻性不同于介电层的抗蚀刻性。
垂直半导体装置及其制造方法

[发明专利]一种陶瓷连接件及其制备方法与应用-CN202310269721.1在审
发明人：周小兵;单旭;蒋龙飞;黄庆 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C04B37/00 文献下载
摘要：所述陶瓷连接件包括：至少两个陶瓷基体、中间层及金属交替层叠层，所述中间层用于连接陶瓷基体，所述金属交替层叠层形成于陶瓷基体连接处的中间层的表面，所述金属交替层叠层由复数个金属层交替层叠形成。本发明中的陶瓷连接件由于金属交替层叠层在氧化过程中形成致密混合氧化物层，并抑制氧元素的扩散，保证了陶瓷连接件有着优良的抗氧化性能，所得连接件可应用在核燃料包壳、航空航天或电子元器件等领域。
一种陶瓷连接及其制备方法应用

[发明专利]用于制造半导体装置的方法和硬掩模-CN202210107373.3在审
发明人：金场院 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种用于制造半导体装置的方法包括：在基板上形成蚀刻目标层，其中蚀刻目标层包括交替层叠层和在交替层叠层上的牺牲层叠层，并且其中牺牲层叠层包括与交替层叠层相同的材料；在牺牲层叠层上形成硬掩模图案；使用硬掩模图案作为蚀刻屏障对蚀刻目标层进行蚀刻以形成多个初始高纵横比特征，初始高纵横比特征贯穿蚀刻目标层；以及去除硬掩模图案和牺牲层叠层以形成多个高纵横比特征。
用于制造半导体装置方法硬掩模

[发明专利]层叠片材-CN202080078535.4在审
发明人：松居久登;远山秀旦;合田亘 -专利权人：东丽株式会社
申请日： 2020-11-11 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：本发明的课题是提供电磁波屏蔽性优异的层叠片材，是包含由A层和B层交替地层叠共计5层以上而成的交替层叠单元的层叠片材，主要内容是在所述层叠片材的频率‑反射衰减量曲线中，峰顶的反射衰减量为最大的反射衰减峰在峰顶处的反射衰减量为5.0dB以上的层叠片材。
层叠

[发明专利]半导体装置及该半导体装置的制造方法-CN202110691540.9在审
发明人：金在泽 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：一种半导体装置包括单元层叠结构，该单元层叠结构包括交替层叠的第一单元层叠层和层叠导电层。半导体装置还包括虚设层叠结构，该虚设层叠结构包括交替层叠的第一虚设层叠层和第二虚设层叠层。半导体装置还包括贯穿单元层叠结构的单元插塞以及贯穿虚设层叠结构的单元芯片保护件，其中，单元芯片保护件围绕单元层叠结构和单元插塞。单元芯片保护件的底表面的高度与单元插塞的底表面的高度基本相同。
半导体装置制造方法

[发明专利]电感器-CN201910852850.7在审
发明人：白井正刚;佐藤嘉千安 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2019-09-10 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01F17/04 文献下载
摘要：电感器具备：芯体，其包括磁性层和绝缘层交替层叠而成的层叠部；线圈，其包括卷绕在芯体的周围的卷绕部，卷绕部的卷轴与层叠部的层叠方向大致正交地配置；以及坯体，其收纳芯体和线圈。层叠部包括：第1磁性层和绝缘层交替层叠而成的第1层叠部、以及第2磁性层和绝缘层交替层叠而成的第2层叠部和第3层叠部。第1层叠部具有：与层叠方向正交且相互对置的第1面和第2面、以及为与层叠方向和卷轴方向平行的面且相互对置的第3面和第4面，例如第2层叠部配置于第1面，第3层叠部配置于第2面。
电感器

[发明专利]一种纳米复合涂层及其制备方法与应用-CN202110625413.9有效
发明人：王永欣;汪艺璇 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：所述纳米复合涂层包括在基底表面依次形成的金属过渡层和CrAlSiN/Zr交替层叠层，其中所述CrAlSiN/Zr交替层叠层由CrAlSiN层和Zr层交替层叠形成，所述CrAlSiN层包括由AlSiN层和CrN层交替层叠形成的纳米多层涂层，所述金属过渡层包括Zr过渡层和/或Cr过渡层。
一种纳米复合涂层及其制备方法应用

[发明专利]电感器-CN201910851943.8在审
发明人：白井正刚;佐藤嘉千安 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2019-09-10 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01F17/04 文献下载
摘要：电感器具备：芯体，其包括磁性层和绝缘层交替层叠而成的层叠部；线圈，其包括卷绕在芯体的周围的卷绕部，卷绕部的卷轴与层叠部的层叠方向大致正交地配置；以及坯体，其收纳芯体和线圈。层叠部包括：第1磁性层和绝缘层交替层叠而成的第1层叠部、以及第2磁性层和绝缘层交替层叠而成的第2层叠部和第3层叠部。第1层叠部具有：与层叠方向正交且相互对置的第1面和第2面、以及为与层叠方向和卷轴方向平行的面且相互对置的第3面和第4面。例如，第2层叠部配置于第1面，第3层叠部配置于第2面。
电感器

[发明专利]半导体装置以及该半导体装置的制造方法-CN202110183760.0在审
发明人：金在泽;郑蕙英 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-02-10 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：一种半导体装置包括：第一层叠结构，其具有交替地层叠的多个第一绝缘图案和多个第一导电图案，该第一层叠结构具有由第一绝缘图案和第一导电图案限定的第一阶梯结构；第二层叠结构，其具有在第一层叠结构上交替地层叠的多个第二绝缘图案和多个第二导电图案；以及第一突起层叠结构，其从第二层叠结构朝着第一阶梯结构横向突出，该第一突起层叠结构具有在第一层叠结构上交替地层叠的多个第一突起绝缘图案和多个第一突起导电图案。第一突起层叠结构的侧壁包括形成公共表面的第一突起绝缘图案的侧表面和第一突起导电图案的侧表面。
半导体装置以及制造方法

[实用新型]一种用微层叠技术制备的POF热收缩膜-CN201220098277.9有效
发明人：杨卫民;钟雁;王德禧;王笃金;田岩;丁玉梅 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2012-03-15 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： B32B27/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用微层叠技术制备的POF热收缩膜，所述POF热收缩膜具有多层交替结构，以PP和LLDPE为基材，通过采用微层叠技术将两种聚合物进行交替复合，得到交替多层POF热收缩膜，外表层均为PP层，内部为PP层与LLDPE层交替分布，具有很好的力学强度及阻隔性能，成型过程中，先将PP和LLDPE分别加入两台挤出机中熔融塑化，在汇流器处合成一股熔体，然后进入连接口模内分配，经过层叠器及成型口模后得到多层交替结构采用此新型微层叠技术，减少了挤出机台数，从而降低生产成本，同时减少了熔体流动阻力，更有利于工业化生产。
一种层叠技术制备 pof 收缩

[发明专利]硬质被膜和硬质被膜被覆构件-CN201580082832.5有效
发明人：樱井正俊;王媺;杉田博昭 -专利权人： OSG株式会社
申请日： 2015-09-04 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：在工具母材(30)的表面所被覆的硬质被膜(24)是采用物理蒸镀法将A层(34)与使B层(36)和C层(38)以纳米级的厚度交替地层叠而成的纳米层交替层(40)交替地层叠、以成为0.5～20μm的总膜厚的方式构成的
硬质被膜氮化物原子比组成式交替地层交替层纳米层被覆构件工具母材物理蒸镀纳米级总膜厚

[发明专利]硬质被膜和硬质被膜被覆构件-CN201580082833.X有效
发明人：樱井正俊;王媺 -专利权人： OSG株式会社
申请日： 2015-09-04 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：在工具母材(30)的表面所被覆的硬质被膜(24)采用物理蒸镀法将A层(34)与使B层(36)和C层(38)以纳米级的厚度交替层叠而成的纳米层交替层(40)交替地层叠、以成为0.5～20μm的总膜厚的方式构成
原子比硬质被膜氮化物组成式交替层纳米层被覆构件工具母材交替层叠交替地层物理蒸镀纳米级总膜厚

[发明专利]电极组件-CN201980006638.7在审
发明人：李信和;李宇镕;成耆殷 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2019-07-09 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01M10/04 文献下载
摘要：根据本发明的一种电极组件，其中，正极和负极交替层叠，并且在所述正极和所述负极之间布置有隔膜，所述电极组件包括：折叠单元，在该折叠单元中负极单元和正极单元交替插入在隔膜的各层之间，所述隔膜的一侧和另一侧在与所述正极和所述负极层叠的方向垂直的方向上以之字形交替折叠；以及层叠单元，在该层叠单元中均切割成预定尺寸的所述正极、所述隔膜和所述负极顺序地层叠，其中，所述负极布置在所述负极单元的最外层，并且所述正极布置在所述正极单元的最外层，并且所述层叠单元层叠在所述折叠单元的最上层和最下层中的每一者上根据具有上述构造的本发明，具有Z形折叠结构的折叠单元和具有层压和层叠结构的层叠单元可以彼此结合。因此，在折叠单元中，正极相对于负极可以增加面积以增大容量，并且层叠单元可以布置在折叠单元的最外层上以提高稳定性。
电极组件

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条