专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]组合开关、输入电路-CN202020248036.2有效
  • 朱书成;徐迪;康文举;屠红选;李荷;庞威;朱先兴;袁高俭;任义 - 南阳汉冶特钢有限公司
  • 2020-03-04 - 2020-07-14 - H03K19/20
  • 它包括机械触发式或非门,所述机械触发式或非门包括第一层触点模块、第层触点模块,所述第一层触点模块包括串联连接的常闭触点模块S2和常闭触点模块S3,所述第层触点模块包括并联连接的常开触点模块S4、常开触点模块S5,所述第一层触点模块与所述第层触点模块重叠设置,以使常闭触点模块S2的机械动触点与常开触点模块S4的机械动触点能够连动触发,常闭触点模块S3的机械动触点与常开触点模块S5的机械动触点能够连动触发。一种输入电路,包括前述的组合开关。通过机械触发式硬件实现逻辑校验,降低了错误几率。
  • 组合开关输入电路
  • [实用新型]一种儿童游戏毯的控制系统-CN201420147724.4有效
  • 宫亚梅;傅晓亮;邓现领 - 常州信息职业技术学院
  • 2014-03-31 - 2014-08-06 - G05B19/04
  • 本实用新型涉及一种儿童游戏毯的控制系统,包括双极开关、有五个端口的切换开关、两竞赛按钮、准备按钮、同步加/减法计数器、一六组反相器、连接计数器的译码器、位于游戏毯毯面且分别与译码器15个输出端连接的15个发光极管,双极开关的两开关的一端分别接计数器加计数时钟输入端、第端口,两竞赛按钮一端各接两开关另一端,另一端及准备按钮一端接地,准备按钮另一端接第三端口,第一端口接脉冲信号,第四、五端口各接计数器减计数时钟输入端、置数端,计数器连接一四输入或非门,该或非门连接六组反相器中一反相器,该反相器接第三端口。
  • 一种儿童游戏控制系统
  • [发明专利]阵列基板栅极驱动电路-CN201611260111.1在审
  • 汪丽芳;赵莽 - 武汉华星光电技术有限公司
  • 2016-12-30 - 2017-03-08 - G09G3/36
  • 本发明提供一种阵列基板栅极驱动电路,包括多级驱动单元,每一级驱动单元包括或非门信号处理模块、锁存模块、与非门信号处理模块、缓冲模块;或非门信号处理模块根据接收的上一级驱动单元的级传信号和下一级驱动单元的级传信号输出本级的第一控制信号和本级的第控制信号;锁存模块根据接收的上一级驱动单元的锁存模块输出的电平信号、本级的第一控制信号和本级的第控制信号输出本级的电平信号;与非门信号处理模块根据接收时钟信号和本级的电平信号输出本级的处理信号;缓冲模块对本级的处理信号进行反相
  • 阵列栅极驱动电路
  • [实用新型]电机变频控制系统-CN200920209420.5有效
  • 张家宁;龚红兵;张钊;姚烈;李超;周俊;施思明 - 上海汽车集团股份有限公司
  • 2009-09-08 - 2010-06-09 - H02P27/06
  • 本实用新型公开了一种电机变频控制系统,包括电源驱动传感电路和控制电路;所述控制电路与电源驱动传感电路相连,包括:带CAN控制器单片机,波形发生器,模拟开关,IGBT光耦隔离驱动器,第一接口适配电路,第接口适配电路,或非门,及反向斯密特触发器;带CAN控制器单片机分别与波形发生器、模拟开关相连;波形发生器分别与模拟开关、第一接口适配电路、或非门相连;模拟开关与第一接口适配电路相连;第一接口适配电路的输出端与IGBT光耦隔离驱动器的输入端相连,IGBT光耦隔离驱动器与第接口适配电路相连。
  • 电机变频控制系统
  • [发明专利]硅基低漏电流悬臂梁栅金属氧化物场效应晶体管或非门-CN201510379527.4有效
  • 廖小平;陈子龙 - 东南大学
  • 2015-07-01 - 2017-12-19 - H03D7/16
  • 本发明的硅基低漏电流悬臂梁栅金属氧化物场效应晶体管或非门由两个悬臂梁栅NMOS管即第一NMOS管(1)和第NMOS管(2)以及一个负载电阻(3)组成,两个NMOS管的源极连接在一起共同接地,漏极也连接在一起随后通过负载电阻(3)与电源电压相连接,两路输入信号A、B分别在两个NMOS管的栅极上输入,输出信号在两个NMOS管的漏极和负载电阻(3)之间输出;引线(4)用Al制作,NMOS管的栅极悬浮在氧化硅层(5)的上方形成悬臂梁栅(6),悬臂梁栅(6)的一端固定在锚区(7)上,另一端悬浮在氧化硅层(5)的上,当所加电压小于NMOS管的阈值电压时悬臂梁栅就不能下拉,使本发明中的或非门具有较小的直流漏电流。
  • 硅基低漏电悬臂梁金属氧化物场效应晶体管非门
  • [发明专利]基于位晶体管存储器的可进行四进制逻辑运算的集成电路-CN202111213587.0在审
  • 王伟华 - 吉林大学
  • 2021-10-19 - 2022-01-11 - G11C7/10
  • 本发明公开了基于位晶体管存储器的可进行四进制逻辑运算的集成电路,属于集成电路技术领域,分别为非门、与非门或非门三种集成电路,所述三种集成电路均以位晶体管存储器为核心元器件;三种集成电路均能完成相应的、四进制逻辑(非、与非、或非)运算;非门电路是由一个电阻与一个位晶体管存储器串联组成;与非门是由两个位晶体管存储器与一个电阻依次串联组成;或非门是由两个位晶体管存储器先并联、再与一个电阻串联组成。本发明的位晶体管存储器的工作电压不高于15伏特,场效应迁移率大于5cm2/Vs,可倍增存储器的信息存储容量。
  • 基于晶体管存储器进行四进制逻辑运算集成电路

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