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[发明专利]一种含有混合磨料的低介电材料抛光液-CN200610030459.1有效
发明人：陈国栋;宋伟红;荆建芬;宋成兵;杨凯平 -专利权人：安集微电子（上海）有限公司
申请日： 2006-08-25 - 公布日： 2008-02-27 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种含有混合磨料的低介电材料抛光液，该抛光液包括两种或两种以上的抛光磨料，其中一种磨料为掺铝二氧化硅，第二种磨料包括二氧化硅、氧化铝、氧化铝包裹二氧化硅或氧化锆包裹二氧化硅中的一种或多种。本发明的抛光液可以较好地调整低介电材料掺碳氧化硅(CDO)与二氧化硅(TEOS)的抛光速率的同时，防止金属抛光过程中产生的局部和整体腐蚀，提高产品良率。而且能应用在同时含有金属、金属阻挡层、掺碳二氧化硅和二氧化硅结构的集成电路中。
一种含有混合磨料低介电材料抛光

[发明专利]InP单晶片双面抛光方法及装置-CN201310046388.4有效
发明人：林健;赵权;杨洪星;王云彪;武永超;刘春香;张伟才;吕菲;佟丽英 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2013-02-05 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： B24B37/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种InP单晶片双面抛光方法，包括将InP单晶片在双面抛光机上依次进行粗抛光、中抛光和精抛光；粗抛光液包括碱性胶体二氧化硅悬浮液、去离子水和二氯异氰尿酸钠，且碱性胶体二氧化硅悬浮液:去离子水:二氯异氰尿酸钠的体积比为1:10:(1.0～1.8)，所述粗抛光液的PH值是10-11；中抛光液包括碱性胶体二氧化硅悬浮液、去离子水和次氯酸钠，且碱性胶体二氧化硅悬浮液:去离子水:次氯酸钠的体积比为1:15:(0.1～0.5)，所述中抛光液的PH值是8-9；精抛光液包括碱性胶体二氧化硅悬浮液和去离子水，且碱性胶体二氧化硅悬浮液:去离子水的体积比为1:（40～60），所述精抛光液的PH值是7-8。通过采用本发明方法抛光后得到的InP单晶片表面质量一致，无桔皮、无划伤并且无雾。
inp 晶片双面抛光方法装置

[发明专利]一种含有混合磨料的低介电材料抛光液-CN200910247664.7无效
发明人：俞昌;肖正龙;王淑敏 -专利权人：安集微电子(上海)有限公司
申请日： 2009-12-30 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种含有混合磨料的低介电材料抛光液，该抛光液包括：两种或两种以上的抛光磨料、速率增助剂、表面活性剂和pH调节剂，其中一种磨料为掺铝二氧化硅，第二种磨料包括二氧化硅、氧化铝、氧化铝包裹二氧化硅或氧化锆包裹二氧化硅中的一种或多种本发明的抛光液可以较好地调整低介电材料掺碳氧化硅(CDO)与二氧化硅(TEOS)的抛光速率的同时，防止金属抛光过程中产生的局部和整体腐蚀，提高产品良率。而且能应用在同时含有金属、金属阻挡层、掺碳二氧化硅和二氧化硅结构的集成电路中。
一种含有混合磨料低介电材料抛光

[发明专利]一种化学机械抛光液-CN200910247665.1无效
发明人：俞昌;肖正龙 -专利权人：安集微电子(上海)有限公司
申请日： 2009-12-30 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学机械抛光液，其含有溶胶型二氧化硅、速率增助剂、表面活性剂和水，所述溶胶型二氧化硅粒径为10～25nm。本发明克服现有的用于抛光氧化物介电质的化学机械抛光液中抛光液磨料含量高、抛光表面缺陷高的缺陷，提供了一种抛光液磨料含量低、二氧化硅去除速率高、氮化硅抛光速率低的化学机械抛光液。
一种化学机械抛光

[发明专利]单面抛光机用蓝宝石衬底抛光液-CN201210590477.0无效
发明人：高如山 -专利权人：天津西美半导体材料有限公司
申请日： 2012-12-27 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种单面抛光机用蓝宝石衬底抛光液，其特征在于：所述单面抛光机用蓝宝石衬底抛光液是专门针对单面抛光机使用，涉及单面抛光机用蓝宝石衬底抛光液制备方法。该抛光液是一种含有几种不同粒径大小二氧化硅的抛光液，含有二氧化硅、碱性组合物、阴离子型表面活性剂及水。二氧化硅是胶体二氧化硅、气相二氧化硅或者沉淀法二氧化硅。碱性化合物是氢氧化锂、氢氧化钾、氢氧化钠、氨水、乙二胺、三乙醇胺、氢氧化四甲基铵等有机碱类。阴离子表面活性剂是磺酸型表面活性剂、羧酸型表面活性剂及硫酸脂型表面活性剂中的至少一种。本发明根据单面抛光机的抛光特点，将含有几种粒径规格二氧化硅作为磨料，可以降低抛光中的摩擦阻力并取得更佳的润滑作用，在提高抛光效率的同时有更佳抛光效果，并且可以降低生产成本。
单面抛光机蓝宝石衬底抛光

[发明专利]含有二氧化铈粉体与胶体二氧化硅混合磨料的抛光液及其制备工艺-CN201410195956.1有效
发明人：李维民;陈杏辉 -专利权人：杰明纳微电子股份有限公司;李维民
申请日： 2014-05-09 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种化学机械抛光液及其制备工艺，具体的说是一种含有二氧化铈粉体与胶体二氧化硅混合磨料的抛光液及其制备工艺，这种混合磨料抛光液制备工艺简单、实用、易于生产，采用的原料为：3％‑10％的粒径为100‑2000nm的二氧化铈粉体，5％‑50％的粒径为10‑200nm的胶体二氧化硅，0.001％‑0.5％分散剂，其余为水；制备时选取容器，先加入胶体二氧化硅溶液，然后加入二氧化铈粉体并搅拌均匀，并添加分散剂及水至所需体积并搅拌均匀即可其采用不同粒径的二氧化铈粉体与胶体二氧化硅作为磨料，所制备的抛光液中，小的二氧化硅颗粒降低划痕，凹坑等缺陷，改善表面质量，大的二氧化铈颗粒获得高的去除速率。 1
二氧化铈粉体胶体二氧化硅制备工艺抛光液混合磨料粒径分散剂制备化学机械抛光液磨料二氧化硅颗粒二氧化铈颗粒凹坑划痕去除生产

[发明专利]适用于精细雾化CMP的一种碱性二氧化硅抛光液-CN201110073546.6无效
发明人：李庆忠;翟靖 -专利权人：江南大学
申请日： 2011-03-25 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明公开了适用于精细雾化CMP的一种碱性二氧化硅抛光液，其特征在于包括二氧化硅、氧化剂、表面活性剂，所述氧化剂为过氧化氢溶液，所述表面活性剂为聚乙二醇，所述二氧化硅的质量百分比为28%-32%，所述氧化剂的质量百分比为1%-3%，所述表面活性剂的质量百分比为1.5%-3.5%，所述二氧化硅包括硅溶胶和白碳黑，所述二氧化硅抛光液的pH值为9.5-11.5。本发明通过实验研究和分析，得到了适合雾化抛光工艺的SiO2抛光液。
适用于精细雾化 cmp 一种碱性二氧化硅抛光

[发明专利]改性二氧化硅溶胶及其制备方法和应用-CN200710043556.9无效
发明人：陈国栋;宋伟红;姚颖;宋成兵 -专利权人：安集微电子（上海）有限公司
申请日： 2007-07-06 - 公布日： 2009-01-07 - 主分类号： C09C1/28 文献下载
摘要：本发明公开了改性二氧化硅溶胶及其制备方法，以及含有该改性二氧化硅溶胶的抛光液。该改性二氧化硅溶胶的二氧化硅表面键合了含环氧基基团的硅烷偶联剂。将二氧化硅溶胶、表面活性剂、以及含有环氧基基团的硅烷偶联剂混合后，进行改性反应即可。本发明的改性二氧化硅溶胶中，二氧化硅粒子表面接枝了环氧基团，一方面改变了二氧化硅粒子的亲水性，另一方面改变了二氧化硅粒子与晶圆、抛光垫表面的相互作用。基于以上两种性能改进，采用本发明所述的改性二氧化硅配制的CMP抛光液可具有较高的TEOS和BD抛光速率，同时对Ta、Cu抛光影响不大。
改性二氧化硅溶胶及其制备方法应用

[发明专利]改性二氧化硅溶胶及其制备方法和应用-CN200880023341.3有效
发明人：陈国栋;宋伟红;姚颖;宋成兵 -专利权人：安集微电子（上海）有限公司
申请日： 2008-07-01 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： C01B33/14 文献下载
摘要：本发明公开了改性二氧化硅溶胶及其制备方法，以及含有该改性二氧化硅溶胶的抛光液。该改性二氧化硅溶胶的二氧化硅表面键合了含环氧基基团的硅烷偶联剂。将二氧化硅溶胶、表面活性剂、以及含有环氧基基团的硅烷偶联剂混合后，进行改性反应即可。本发明的改性二氧化硅溶胶中，二氧化硅粒子表面接枝了环氧基团，一方面改变了二氧化硅粒子的亲水性，另一方面改变了二氧化硅粒子与晶圆、抛光垫表面的相互作用。基于以上两种性能改进，采用本发明所述的改性二氧化硅配制的CMP抛光液可具有较高的TEOS和BD抛光速率，同时对Ta、Cu抛光影响不大。
改性二氧化硅溶胶及其制备方法应用

[发明专利]一种化学机械抛光液及其应用-CN201811635542.0有效
发明人：周文婷;荆建芬;姚颖;蔡鑫元;马健;李恒 -专利权人：安集微电子（上海）有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种化学机械抛光液，包括二氧化硅研磨颗粒，含一个或多个羧基的含氮杂环化合物，乙氧基化丁氧基化的烷基醇。本发明的还提供了一种上述的化学机械抛光液二氧化硅、多晶硅、氮化硅的抛光中的应用。本发明的抛光液对氮化硅的抛光速率远远大于对二氧化硅、多晶硅的抛光速率，从而能够很好地应用于二氧化硅/多晶硅为停止层的化学机械抛光之中，可以较好地控制抛光过程中基板表面上的氧化物及多晶硅的去除量。
一种化学机械抛光及其应用

[发明专利]一种改性纳米二氧化硅复合抛光液及其应用-CN201810711364.9有效
发明人：石峰;张万里;戴一帆;彭小强;宋辞;宋家亮 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2018-07-03 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：公开了一种改性纳米二氧化硅复合抛光液，由下列质量重量份的原料制备：金刚石微粉、纳米二氧化硅、表面活性剂、分散剂、去离子水、稳定剂、PH调节剂组成；其制备步骤如下：(1)改性：将表面活性剂、纳米二氧化硅依次置于水中超声分散；(2)分散：将金刚石微粉加入分散后的纳米二氧化硅溶液中超声分散；(3)混合：依次向分散好的复合抛光液中加入分散剂、稳定剂；(4)调PH：使用pH调节剂调节复合抛光液的PH值；(5)过滤、保存：将改性纳米二氧化硅复合抛光液反复过滤，过滤完毕的抛光液于PE材质塑料桶中密封保存。本发明产品应用于熔石英元件表面的纳米射流抛光，抛光后的熔石英镜面表面质量高，镜面损伤低，激光损伤阈值高。
一种改性纳米二氧化硅复合抛光及其应用

[发明专利]用于精细表面平整处理的抛光液及其使用方法-CN200610026938.6有效
发明人：陈国栋;王淑敏;俞昌;宋伟红;顾元 -专利权人：安集微电子（上海）有限公司
申请日： 2006-05-26 - 公布日： 2007-11-28 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于精细表面平整处理的抛光液及其使用方法，本发明的用于精细表面平整处理的抛光液包括磨料和水，其特征在于：所述的磨料是溶胶型掺铝二氧化硅磨料，该溶胶型掺铝二氧化硅磨料为掺铝二氧化硅的水分散液本发明的用于精细表面平整处理的抛光液在进行化学机械抛光时，向下压力为0.5～3psi。本发明的含溶胶型掺铝二氧化硅磨料的抛光液可以有效去除Ta、TaN、TEOS、FSG、BD或其它低介电材料等各种材料，并且对低介电材料的除去速率可提高2倍以上，并可获得优异的平坦效果。
用于精细表面平整处理抛光及其使用方法

[发明专利]一种乙酸在STI抛光中的用途-CN201811627090.1有效
发明人：李守田;尹先升;贾长征;王雨春 -专利权人：安集微电子（上海）有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种乙酸在STI抛光中的用途。其中，所述乙酸与化学机械抛光液混合使用，所述化学机械抛光液包括氧化铈磨料，所述氧化铈磨料为胶体纳米氧化铈磨料。所述乙酸的浓度为25‑500ppm。所述抛光液的pH为4.5‑4.8，所述pH条件下，氧化铈磨料表面带正电荷。本发明的抛光液不仅具有较高的二氧化硅抛光速率，还具有较高的二氧化硅/氮化硅抛光速率选择比，在抛光过程中，能够在高效地去除二氧化硅介质层的同时，使抛光停止在氮化硅层，从而得到满足工业生产要求的抛光产品。
一种乙酸 sti 抛光中的用途

[发明专利]一种SIC晶圆CMP抛光用二氧化硅抛光液及其制备方法-CN202211179183.9在审
发明人：向定艾 -专利权人：德阳展源新材料科技有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种SIC晶圆CMP抛光用二氧化硅抛光液，包括：以质量份计，胶体二氧化硅10‑20份、碳化硅粉末3‑5份、消泡剂0.5‑1份、分散剂0.5‑1份、表面活性剂0.5‑2份、PH调节剂1‑2份、氧化剂0.1‑0.3份、去离子水50‑100份，所述抛光液呈碱性。本发明含有碳化硅粉末，可以提高二氧化硅抛光液的抛光效率，且不会增加晶圆损伤。本发明呈弱碱体系，便于后期抛光液处理，且整个悬浮液体系稳定，不聚集、沉降。
一种 sic 晶圆 cmp 抛光二氧化硅及其制备方法

[发明专利]一种化学机械抛光液-CN200810041287.7无效
发明人：陈国栋;姚颖;宋伟红;包建鑫;荆建芬 -专利权人：安集微电子（上海）有限公司
申请日： 2008-08-01 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： C09G1/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学机械抛光液，其含有溶胶型二氧化硅、速率增助剂、表面活性剂和水。本发明克服现有的用于抛光氧化物介电质的化学机械抛光液中抛光液磨料含量高、抛光表面缺陷高的缺陷，提供了一种抛光液磨料含量低、二氧化硅去除速率高、氮化硅抛光速率低的化学机械抛光液。
一种化学机械抛光

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