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[发明专利]在质谱仪的离子检测器中运行二次电子倍增器的方法-CN201910250030.0有效
发明人：塞巴斯蒂安·博姆;安德烈亚斯·哈泽;延斯·赫恩多尔夫 -专利权人：布鲁克·道尔顿有限及两合公司
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01J49/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种在质谱仪的离子检测器中运行二次电子倍增器以延长使用寿命的方法，其中向二次电子倍增器提供工作电压，使得产生每个撞击离子少于106个二次电子的放大率，而使用安装在二次电子倍增器附近的电子前置放大器放大二次电子倍增器的输出电流，其噪声水平很低，使得被检测到的撞击离子检测器的单个离子的电流脉冲高于数字化单元输入端的噪声。本发明进一步公开了用于成像薄组织切片的质谱分析或质谱高通量分析/质量平行分析的方法的使用，以及其控制单元被编程用于执行这些方法的飞行时间质谱仪。
质谱仪离子检测器运行二次电子倍增器方法

[发明专利]具备离子选择和存储功能的二次离子质谱一次离子源-CN201110067118.2无效
发明人：王亮;徐福兴;丁传凡 -专利权人：复旦大学
申请日： 2011-03-21 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01J49/06 文献下载
摘要：本发明属于分析技术领域，具体为一种具备离子选择和存储功能的二次离子质谱一次离子源。具体为采用四极杆电极系统对一次离子源产生的离子进行质量选择和离子存储。二次离子质谱中，二次离子的离子化效率和对样品深度的分析能力取决于一次离子的能量。四极杆电极系统一方面可以实现选择特定质荷比的离子作为二次离子质谱的一次离子；另一方面可以通过存储特定质荷比的离子来增加二次离子质谱的一次离子流的大小。相比于传统的二次离子质谱仪，本发明能够提高二次离子的离子化效率，同时优化了仪器结构。
具备离子选择存储功能二次一次离子源

[发明专利]一种时间-动能二次压缩的离子飞行时间质谱仪-CN202310788906.3在审
发明人：杨岩;杨帆;赵启旭;唐鹏;李雪莹;孙海涛;孙真荣 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01J49/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种时间‑动能二次压缩的离子飞行时间质谱仪，包括：离子加速电极、离子水平偏转电极、离子竖直偏转电极、离子聚焦透镜、离子二次压缩电极、离子飞行时间探测器和离子飞行管道。离子水平偏转电极和离子竖直偏转电极用于矫正离子的飞行方向，离子聚焦透镜用于约束离子的径向分布，离子二次压缩电极用于调控离子的轴向焦点位置或动能分布。调整离子轴向焦点的位置可以实现离子的空间和时间聚焦，提高离子飞行时间质谱仪的质量分辨率并拓展与其它探测技术的结合。调整离子的动能分布可以消除掉离子初始能量分布和空间分布对质量分辨率的影响，消除离子飞行距离的限制，进一步提高离子飞行时间质谱的质量分辨率。
一种时间动能二次压缩离子飞行质谱仪

[发明专利]一种质谱仪-CN201710249171.1有效
发明人：张小华;胡莉莉;徐伟 -专利权人：苏州安益谱精密仪器有限公司
申请日： 2017-04-17 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H01J49/02 文献下载
摘要：本发明提供一种质谱仪，涉及质谱检测技术领域。其中，该质谱仪包括：离子源、四级杆质量分析器、反射器组件和检测器，离子源设置于四极杆质量分析器的首端，用于将样品电离成离子，并使得离子进入四极杆质量分析器的腔室，四极杆质量分析器用于对进入腔室的离子进行第一次过滤，得到第一目标离子，反射器组件安装于四极杆质量分析器的尾端，用于通过在四极杆质量分析器的尾端产生静电场，反射第一目标离子，四极杆质量分析器还用于对反射的第一目标离子进行第二次过滤，得到第二目标离子，检测器设置于四级杆分析器的首端，用于检测第二目标离子。上述质谱仪可对离子进行二次过滤，得到质荷比更为一致的离子，进而提高了质谱仪的质量分辨率。
一种质谱仪

[发明专利]一种利用二次离子质谱进行斜锆石铀铅定年的方法-CN201010103432.7无效
发明人：刘宇;李秋立;唐国强;李献华;郭春华 -专利权人：中国科学院地质与地球物理研究所
申请日： 2010-02-01 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： G01N27/62 文献下载
摘要：一种利用二次离子质谱测定斜锆石铀铅年龄的方法，属于地质年代学二次离子质谱定年方法范畴。尤其指应用在具有吹氧条件的大型二次离子质谱仪上的方法。本文描述的测量方法中，首先将质谱仪样品腔中真空度达到1E-8Torr，然后打开氧气漏阀，在离样品表面吹入纯度为99.99％的氧气，使样品腔的氧气分压达到1E-5Torr。本发明采用的方法可以降低二次离子质谱在对斜锆石进行铀-铅定年时所表现出的光轴效应到2％以下。从而显著提高斜锆石在进行二次离子质谱分析时铀-铅年龄的精度。
一种利用二次离子进行斜锆石铀铅定年方法

[发明专利]判定半导体结构的检测系统和检测方法-CN201980043490.4在审
发明人： B.路易斯;W.库恩;D.夏;S.麦克维;U.曼茨 -专利权人：卡尔蔡司SMT有限责任公司;卡尔蔡司显微镜有限责任公司
申请日： 2019-06-07 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01J49/00 文献下载
摘要：该检测系统具有离子束源(2)，用于用离子束(3)对要判定的结构进行空间解析展示。进一步，二次离子侦测装置(12)包括质谱仪(13)。该质谱仪(13)能够测量给定带宽内的离子质荷比。
判定半导体结构检测系统方法

[发明专利]用于通过质谱仪进行亚微米元素图像分析的设备和方法-CN201580020875.0在审
发明人： S·C·本多尔;R·M·安吉洛;G·P·诺兰 -专利权人：斯坦福大学托管董事会
申请日： 2015-03-30 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： H01J49/02 文献下载
摘要：本发明提供一种用于对平面样本进行元素分析的质谱仪系统。在一些实施方案中，所述质谱仪系统包括：原离子源，其能够利用直径小于1mm的原离子束来照射平面样本上的区段；c)正交离子质荷比分析器，其定位在样本接口下游，所述分析器被配置来通过飞行时间根据二次元素原子离子的质荷比来将所述二次元素原子离子进行分离；d)离子检测器，其用于检测所述二次元素原子离子并且产生质谱测量结果；以及e)同步器，其中所述系统被配置成使得所述原离子束跨所述平面样本进行二维扫描，并且所述同步器将所述质谱测量结果与所述平面样本上的位置相关联
用于通过质谱仪进行微米元素图像分析设备方法

[发明专利]一种通过SIMS对超低温离子注入设备监测的方法-CN202111594109.9有效
发明人：关天祺;王振辉;肖嘉星;孙世豪;张晓伟;雷晓刚;查泽奇;张欣;王亚;张彦彬;张林凯;刘金涛;郑皓文;侯爽 -专利权人：北京凯世通半导体有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： G01N27/62 文献下载
摘要：本发明提供一种通过SIMS对超低温离子注入设备监测的方法，其适用于超低温离子注入设备；其包括晶圆W1在基准机台上进行离子注入、取样之后，利用二次离子质谱仪进行检测，以及包括晶圆W2在待测机台上进行离子注入、取样之后，利用二次离子质谱仪进行检测；此后将二者的检测结果进行处理、分析，进而判定待测机台的工艺环境是否合格。本发明方法可以定期监测，实现了对超低温离子注入过程中的水汽或二氧化碳等气体含量是否存在的监测；依据监测结果，可以调整机台工作状态。
一种通过 sims 超低温离子注入设备监测方法

[发明专利]一种应用于质谱仪的质谱接口装置-CN202110392882.0在审
发明人：宣兆康;章贤骏;方涌;翟致超 -专利权人：杭州安誉科技有限公司
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01J49/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于质谱仪的质谱接口装置，包括质谱仪主体和开设在质谱仪主体内部的质谱内部真空区域与离子源调节区域，所述质谱内部真空区域设置有用于对质谱内部真空区域进行预封闭以防止进气的功能密封机构，所述离子源调节区域设置有用于对质谱内部真空区域进行二次密封且防止功能密封机构松动的移位密封机构，此应用于质谱仪的质谱接口装置，以区别于现有技术，使得工作人员在进行更换离子源工作时，通过功能密封机构，进行预先密封，然后通过移位密封机构与之配合，防止滑动板在两侧压差作用下出现松动，并进行二次密封，降低了内部零件相互之间的磨损，避免了离子源更换初期质谱内部真空区域进入空气的现象，极大地提高了密封效果。
一种应用于质谱仪接口装置

[发明专利]一种应用于质谱仪的质谱接口装置-CN202210046660.8有效
发明人：宣兆康;章贤骏;方涌;翟致超 -专利权人：杭州安誉科技有限公司
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01J49/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于质谱仪的质谱接口装置，包括质谱仪主体和开设在质谱仪主体内部的质谱内部真空区域与离子源调节区域，所述质谱内部真空区域设置有用于对质谱内部真空区域进行预封闭以防止进气的功能密封机构，所述离子源调节区域设置有用于对质谱内部真空区域进行二次密封且防止功能密封机构松动的移位密封机构，此应用于质谱仪的质谱接口装置，以区别于现有技术，使得工作人员在进行更换离子源工作时，通过功能密封机构，进行预先密封，然后通过移位密封机构与之配合，防止滑动板在两侧压差作用下出现松动，并进行二次密封，降低了内部零件相互之间的磨损，避免了离子源更换初期质谱内部真空区域进入空气的现象，极大地提高了密封效果。
一种应用于质谱仪接口装置

[发明专利]一种用于InP、GaN中痕量杂质浓度及分布的SIMS优化检测方法-CN201811565080.X有效
发明人：齐俊杰;胡超胜;李志超;卫喆;许磊 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：该方法包括以下步骤：在试样表面转移石墨烯；将试样放置于二次离子质谱仪的样品腔室内，并抽真空；从试样溅射出二次离子；调节提取电压的脉冲宽度以及每个循环周期的分析帧数；收集所述二次离子；对二次离子进行分析获得质谱图和二次离子深度分布图像；根据质谱图和二次离子深度分布图像获得所述试样中痕量杂质元素的检测结果。
一种用于 inp gan 痕量杂质浓度分布 sims 优化检测方法

[发明专利]使用串联飞行时间质谱仪测量碎片离子质谱-CN201610076521.4有效
发明人：克劳斯·克斯特 -专利权人：布鲁克道尔顿有限公司
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： H01J49/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种使用飞行时间质谱仪获得碎片离子质谱的方法，其中获得不同母离子种类的碎片离子的混合质谱并相互比较，从而确定源自相同母离子种类的碎片离子的信号。所述飞行时间质谱仪包含离子源、飞行路径、反射器和离子检测器。飞行路径最好无场并位于反射器之前，且反射器最好具有以二次方增加的反射电势。
使用串联飞行时间质谱仪测量碎片离子

[发明专利]二次离子质谱仪的样品保护装置和保护方法-CN201110119568.1有效
发明人：唐国强;刘宇 -专利权人：中国科学院地质与地球物理研究所
申请日： 2011-05-10 - 公布日： 2011-10-26 - 主分类号： H01J49/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种二次离子质谱仪的样品保护装置和保护方法，所述二次离子质谱仪包括电子发射装置和电子偏转装置，所述电子发射装置发射的电子经所述电子偏转装置偏转后到达所述样品的表面，所述样品保护装置和保护方法采用取样电路
二次离子质谱仪样品保护装置保护方法

[实用新型]一种用于二次离子质谱仪磁场控制系统的测量与校正装置-CN202320322415.5有效
发明人：李春生;王宇天;田地;司刘震;刘慧 -专利权人：吉林大学
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G01N27/62 文献下载
摘要：本实用新型属于高分辨率二次离子质谱仪(HR‑SIMS)技术领域，具体涉及一种用于二次离子质谱仪磁场控制系统的测量与校正装置；包括磁场测量单元、核磁共振高斯计和模数转换器，其中核磁共振高斯计设置在磁场测量单元之间
一种用于二次离子质谱仪磁场控制系统测量校正装置

[发明专利]一种与质谱仪联用测量电池电压和气体分析的装置和方法-CN202110645033.1在审
发明人：杨纯臻;顾龙;黄治;欧宝;崔志洋;肖煜华 -专利权人：中山大学
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： G01N27/62 文献下载
摘要：本发明涉及二次离子电池充放电安全检测技术领域，公开了一种与质谱仪联用测量电池电压和气体分析的装置，包括第一载气瓶、电池模组、多位阀、六通阀、电磁阀、废气模组、质谱仪和第二载气瓶；所述第一载气瓶与电池模组的进气端连接，所述电池模组的出气端与多位阀的进气端连接，所述多位阀的出气端与六位阀的第五接口连接，所述六位阀的第六接口通过电磁阀与废气模组连接，所述六位阀的第二接口与质谱仪连接，所述六位阀的第三接口与第二载气瓶连接本发明还公开了一种与质谱仪联用测量电池电压和气体的分析方法。其有益效果在于能够对多个二次离子电池进行气体监测，提高试验效率。
一种质谱仪联用测量电池电压气体分析装置方法