专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种电磁烹饪器具-CN202320336503.0有效
  • 朱泽春;寿东升;曹然;金立旺 - 杭州九阳小家电有限公司
  • 2023-02-16 - 2023-09-01 - F24C7/00
  • 本实用新型公开了一种电磁烹饪器具,包括上盖和面板,所述上盖包括框体、用于容纳第一胶的弹性打胶部和用于容纳第二胶的打胶槽,所述第一胶的固化速度大于所述第二胶的固化速度,所述面板通过第二胶与所述上盖密封粘接,容纳所述第一胶的弹性打胶部受压并相对框体向下形变。本实用新型的电磁烹饪器具,通过设置弹性打胶部使其受压后相对框体下沉,可以使面板下沉进而减小面板与上盖之间的外观缝隙。
  • 一种电磁烹饪器具
  • [实用新型]下沉式卫生间的沉降池结构-CN200920133869.8有效
  • 蓝继晓 - 深圳市名雕装饰股份有限公司
  • 2009-07-16 - 2010-05-26 - E04F15/12
  • 本实用新型公开一种下沉式卫生间的沉降池结构,其包括有一设置于基层楼板上的第一找平,所述第一找平之上设置有一第一防水层,所述第一防水层之上设置有一回填,所述回填之上设置有一钢筋钢丝网,所述钢筋钢丝网之上设置有一第二找平,所述第二找平之上设置有一地面防水层。由于沉降池的回填上设置有钢筋钢丝网,可提高沉降池的整体承重能力,有效杜绝沉降池地面开裂、地面空鼓、地面下沉等现象的出现。
  • 下沉卫生间沉降结构
  • [实用新型]一种下沉式不锈钢井盖-CN202222318383.X有效
  • 刘俊敏;赵洪;董满和;陈金有;林建发;饶明水;张妍 - 安徽承固金属制品有限公司
  • 2022-08-31 - 2022-12-20 - E02D29/14
  • 本实用新型公开了一种下沉式不锈钢井盖,包括下沉井盖本体、井盖外框、耳块、不锈钢边框和钢丝网,所述不锈钢边框设置在下沉井盖本体的内部,所述钢丝网设置在不锈钢边框的内部,且所述钢丝网与不锈钢边框的内壁焊接,所述钢丝网下方的下沉井盖本体内部皆设置有等间距的第一加强杆,且所述第一加强杆的两端皆与下沉井盖本体的内部焊接,所述第一加强杆的内部皆穿设有等间距的第二加强杆,所述井盖外框设置在下沉井盖本体的外部,所述井盖外框的顶部皆设置有凹槽,所述耳块设置在凹槽位置处的下沉井盖本体外壁上。本实用新型不仅提升了井盖的抗压强度,保证铺设的平整性,提升了井盖的隔音效果,而且提高了井盖打开的便捷性。
  • 一种下沉不锈钢井盖
  • [发明专利]底部阳极肖特基二极管-CN201310029746.0有效
  • 弗兰茨娃·赫尔伯特 - 万国半导体股份有限公司
  • 2008-06-12 - 2013-06-05 - H01L29/872
  • 本发明公开了一种底部阳极肖特基二极管,该肖特基二极管包括设置在半导体衬底的底表面上的阳极电极,该底部阳极肖特基二极管进一步包括设置在半导体衬底深处并基本延伸到设置在半导体底表面的阳极电极的下沉掺杂区域,所述下沉掺杂区域由具有肖特基阳极功能的埋设肖特基势垒金属覆盖。所述底部阳极肖特基二极管进一步包括从与肖特基势垒金属相对的半导体衬底的顶表面附近的阴极电极横向延伸的横向阴极区域,其中,该横向阴极区域掺以与下沉掺杂区域相反的杂质并邻接该下沉掺杂区域,从而在施加正向偏压下通过横向阴极区域和下沉掺杂区域从阴极电极到阳极电极形成电流路径,在施加反向偏压下下沉掺杂区域耗尽阴极区域从而阻断漏电流。
  • 底部阳极肖特基二极管
  • [发明专利]底部阳极肖特基二极管的结构和制造方法-CN200810125145.9有效
  • 弗兰茨娃·赫尔伯特 - 万国半导体股份有限公司
  • 2008-06-12 - 2009-01-21 - H01L29/872
  • 本发明公开了一种底部阳极肖特基二极管,该肖特基二极管包括设置在半导体衬底的底表面上的阳极电极,该底部阳极肖特基二极管进一步包括设置在半导体衬底深处并基本延伸到设置在半导体底表面的阳极电极的下沉掺杂区域,所述下沉掺杂区域由具有肖特基阳极功能的埋设肖特基势垒金属覆盖。所述底部阳极肖特基二极管进一步包括从与肖特基势垒金属相对的半导体衬底的顶表面附近的阴极电极横向延伸的横向阴极区域,其中,该横向阴极区域掺以与下沉掺杂区域相反的杂质并邻接该下沉掺杂区域,从而在施加正向偏压下通过横向阴极区域和下沉掺杂区域从阴极电极到阳极电极形成电流路径,在施加反向偏压下下沉掺杂区域耗尽阴极区域从而阻断漏电流。
  • 底部阳极肖特基二极管结构制造方法
  • [实用新型]一种水锤缓冲装置-CN201620210924.9有效
  • 赵莉;孙乃聪 - 西安航空学院
  • 2016-03-11 - 2016-08-03 - F16L55/045
  • 本实用新型公开了一种水锤缓冲装置,包括连接管、缓冲管、下沉台阶a、缓冲气罐、冲击板和进水口;所述连接管上侧安装有止水阀,且连接管上侧安装有缓冲管,所述缓冲管内部安装有进水口,且缓冲管右侧安装有压力表,所述缓冲管上侧安装有缓冲气罐,且缓冲气罐内部两侧安装有下沉台阶a,所述下沉台阶a上侧安装有缓冲弹簧,且缓冲弹簧上侧安装有冲击板,所述下沉台阶a上侧设置有下沉台阶b,且下沉台阶b上侧安装有橡胶缓冲,所述缓冲气罐上侧安装有电源箱,且电源箱前侧设置有电源总开关
  • 一种缓冲装置

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