[发明专利]半导体晶片处理过程中消除晶片电弧的方法与装置无效
| 申请号： | 99809732.2 | 申请日： | 1999-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN1359471A | 公开（公告）日： | 2002-07-17 |
| 发明（设计）人： | 萨蒂什·D·阿萨瓦尔;莱斯利·G·杰德;约翰·A·迈耶 | 申请（专利权）人： | 泰格尔公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种在半导体处理工序中减少或消除电弧,即,晶片(26)表面介电击穿的方法与装置,包括控制晶片(26)两面的电压,以使电弧或介电击穿不会发生。利用本发明中的静电电极(50)并控制特定的吸附电压,晶片两面电压保持低于阈值电压,因此,电弧或介电击穿得到减少或消除。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 处理 过程 消除 电弧 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种减少在等离子体中跨过半导体晶片的电弧的方法，包括以下各步骤：将半导体晶片放置在反应室中的吸盘上；在反应室内产生等离子体；控制跨过晶片的电压，以将电弧减至最小。
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