[发明专利]薄膜淀积系统无效
| 申请号： | 99805938.2 | 申请日： | 1999-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN1300328A | 公开（公告）日： | 2001-06-20 |
| 发明（设计）人： | 詹姆斯·F·洛恩;杰克·P·萨勒诺 | 申请（专利权）人： | CVD系统公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;C23C16/54;H01L21/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种化学气相淀积装置,该装置包括用来把母料分配给位于汽化舱内的蒸发器的分配器。输送导管与处理舱一起参与蒸发。流量计位于输送导管内,以便测定通过输送导管的母料流量。另外,流量控制器也位于输送导管内,以便根据实测流速控制母料的流量。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 系统 | ||
【主权项】：
1．一种化学处理装置，其中包括：一个包括蒸发器的汽化舱；一个与汽化舱流体连通的处理舱；以及一个流量控制器，它在处理舱中控制蒸汽从蒸发器至热基材的流动，其中所述热基材具有这样的反应表面以致薄膜将在该表面上形成。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
