[发明专利]薄膜淀积系统无效
申请号: | 99805938.2 | 申请日: | 1999-04-14 |
公开(公告)号: | CN1300328A | 公开(公告)日: | 2001-06-20 |
发明(设计)人: | 詹姆斯·F·洛恩;杰克·P·萨勒诺 | 申请(专利权)人: | CVD系统公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/54;H01L21/00 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 过晓东 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 系统 | ||
1.一种化学处理装置,其中包括:
一个包括蒸发器的汽化舱;
一个与汽化舱流体连通的处理舱;以及
一个流量控制器,它在处理舱中控制蒸汽从蒸发器至热基材的流动,其中所述热基材具有这样的反应表面以致薄膜将在该表面上形成。
2.根据权利要求1的装置进一步包括:
分配器,该分配器的位置适合把母料分配给蒸发器;
输送导管,该输送导管把汽化舱与处理舱连接起来;
流量计,它测定通过输送导管的蒸汽流量;以及
借助通信联络与流量计和流量控制器耦合的处理器,该处理器是编程的以便控制根据实测蒸汽流量支配通过输送导管的蒸汽流量的流量控制器。
3.根据权利要求2的装置,其中所述流量计包括至少一个压力传感器。
4.根据权利要求2的装置,其中所述流量计包括层流单元。
5.根据权利要求4的装置,其中所述层流单元是有一对开口端的管。
6.根据权利要求2的装置,其中所述流量计包括一对压力传感器,所述每个压力传感器与层流单元的开口端一一对准。
7.根据权利要求2的装置,其中所述压力传感器是电容测压计。
8.根据权利要求1的装置,其中流量控制器是借助通信联络与所述流量计耦合的比例控制阀。
9.根据权利要求1的装置,进一步包括向分配器供应母料的储舱,所述蒸发器包括一个使来自该储舱的母料一经分配就汽化的热表面。
10.根据权利要求2的装置,其中所述分配器受所述处理器控制。
11.根据权利要求1的装置,进一步包括至少一个置于处理舱中的压力传感器,所述压力传感器借助通信联络与所述处理器耦合。
12.根据权利要求2的装置,其中所述输送导管包括被置于处理舱中的出口,并且所述装置进一步包括:
定位在处理舱中的基材夹盘;
把处理舱分为上游部分和下游部分的喷头,所述出口在上游部分,而所述的基材夹盘在下游部分;
为测量上游部分的蒸汽压力而定位的上游压力传感器;以及
为测量下游部分的蒸汽压力而定位的下游压力传感器。
13.根据权利要求1的装置,其中所述舱室包括舱室外壳和舱室外壳内的处理空间,基材的温度高于舱室外壳的内表面温度。
14.根据权利要求12的装置,其中上游压力传感器和下游压力传感器两者都借助通信联络与处理器耦合。
15.根据权利要求12的装置,其中所述喷头是主动的。
16.根据权利要求10的装置,进一步包括至少一个定位在汽化舱中的压力传感器,在汽化舱中的压力传感器借助通信联络与所述的处理器耦合。
17.根据权利要求1的装置,进一步包括与输送导管有热接触的加热器。
18.根据权利要求1的装置,其中位于处理舱中的基材夹盘被连接到直流或交流电源上。
19.根据权利要求1的装置,进一步包括位于处理舱中的基材夹盘和升降装置,该升降装置受处理器控制,而基材夹盘可以借助该升降装置升高和下降。
20.根据权利要求1的装置,其中所述处理器与压力传感器相连并且被编程以便控制实测蒸汽压力的函数和蒸发器产生蒸汽的速率。
21.一种用于半导体加工的群集式工具,其中包括:
晶片处理中心;
与晶片处理中心结合的处理舱;
汽化舱;
在汽化舱内定位的蒸发器;
连接汽化舱和处理舱的输送导管;
流量计,该流量计的位置适合测量从汽化舱进入处理舱的气体流量;以及
借助通信联络与所述流量计耦合的处理器,所述处理器是编程的,以便作为来自蒸发器的实测气体流量的函数实施控制。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的