[发明专利]存储单元装置及其制造方法

摘要

一种存储单元装置，具有若干设置在半导体基片(10)上的优选铁电的存储单元(S)，基片(10)的主平面上沿纵向平行延伸交错的沟槽(1a-1e)和隔片(2a-2d)；在隔片内埋入沟道隔断层(20)，它将基片(10)分成包括沟槽底部在内的下部区域(10a)和包括隔片在内的上部区域(10b)；沿基片(10)的下部区域(10a)内的沟槽底部设置第一平面选择晶体管(T1)，它们之间设置沟槽沟道隔断区域(22)；沿基片(10)的上部区域(10b)内的隔片顶部设置第二平面选择晶体管(T2)，它们之间设置隔片-沟道隔断区域(24)。

主权项

1.一种具有设置在半导体基片(10)上的很多铁电或动态存储单元(S)的存储单元装置，具有在半导体基片(10)的主平面上纵向延伸的交替的沟槽(1a-1e)和隔片(2a-2d)；其中，在隔片(2a-2d)中埋入沟道隔断层(20)，半导体基片(10)分为一包括沟槽底部在内的下部区域(10a)和一包括隔片顶部在内的上部区域(10b)；在半导体基片(10)的下部区域(10a)内沿着沟槽底部设置第一平面选择晶体管(T1)，这些晶体管之间是沟槽沟道隔断区域(22)；在半导体基片(10)的上部区域(10b)，沿隔片顶部设置第二平面选择晶体管(T2)，这些晶体管之间设置隔片沟道隔断区域(24)；第一和第二选择晶体管(T1、T2)分别具有源、栅、沟道和漏极区，它们沿纵向彼此错位，使得在半导体基片(10)的主平面上，第一和第二选择晶体管(T1、T2)的源和漏极区(582、551)沿横向交错分布；绝缘的字线(61-64)沿着半导体基片(10)的主平面在横向上延伸，以控制第一和第二选择晶体管(T1、T2)的各栅区域；绝缘的位线(91-94)沿半导体基片(10)的主平面在倾斜的方向上延伸，以连接第一和第二选择晶体管(T1、T2)的各源区域(80)；各存储单元具有一个优选为铁电的电容器，各电容器通过一电容器接点(70)与所涉及的选择晶体管(T1、T2)的漏极区连接。