[发明专利]半导体器件和制作方法无效
| 申请号： | 99105730.9 | 申请日： | 1999-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN1232300A | 公开（公告）日： | 1999-10-20 |
| 发明（设计）人： | 今井清隆 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/12;H01L21/336;H01L21/84 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 刘晓峰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一个包含具有优异特性的、在同一衬底上的一个全耗尽型SOIMOSFET和一个部分耗尽型SOIMOSFET的半导体器件。在图2E中,通过用元件隔离膜4隔离,半导体器件10被提供了在同一SOI衬底上的全耗尽型SOIMOSFET12和部分耗尽型SOIMOSFET14。SOI衬底包括在硅衬底上顺序提供的被埋入氧化膜2和SOI层3。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
1．一个于同一衬底上被提供了一个部分耗尽型SOIMOSFET和一个全耗尽型SOIMOSFET的半导体器件，包括：一个硅衬底；一层被埋入的氧化膜；一层在全耗尽型SOIMOSFET中的膜厚小于在部分耗尽型SOIMOSFET中的膜厚的栅氧化膜；一个在上述全耗尽型SOIMOSFET中的膜厚小于在上述部分耗尽型SOIMOSFET中的膜厚的SOI层；一个沟道区杂质浓度，它在上述全耗尽型SOIMOSFET中的浓度低于在上述部分耗尽型SOIMOSFET中的浓度；一个源/漏区；和一个栅电极。
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