[发明专利]真空处理方法及其装置无效
| 申请号： | 98806501.0 | 申请日： | 1998-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN1149646C | 公开（公告）日： | 2004-05-12 |
| 发明（设计）人： | 葛西优 | 申请（专利权）人： | 芝浦机械电子装置股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 卢新华 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 利用真空处理装置本身激活至少包含氟原子的氟化处理气体，生成氟基团，在将被处理物(S)装入处理室(2)之前，利用氟基团氟化处理在处理室(2)的内部暴露的有机材料(32)的表面。在氟化处理后，将被处理物(S)装入处理室(2)。利用至少包含氧基团的处理气体处理被处理物(S)。通过氟化处理在处理室(2)的内部暴露的有机材料(32)，可以防止有机材料(32)的蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 处理 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
1.一种在真空处理装置的真空容器限定的处理室内利用氧基团处理至少一个被处理物的真空处理方法，该方法包括下列工序：a)在与处理室分离的等离子体发生室中，激活至少含有氟原子的氟化气体和至少含有氧原子的气体，生成氟基团；b)将氟基团和氧基团导入处理室，所述处理室中还未含有所述至少一个被处理物；c)用氟基团氟化该处理装置的部件的表面，所述部件由有机材料构成并暴露于处理室的环境中；d)在部件表面已被氟化后将至少一个被处理物移入处理室中；和e)用在等离子体发生室中激活处理气体生成的氧基团处理该至少一个被处理物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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