[发明专利]具有阻挡层的断路闸流管有效
| 申请号： | 98123435.6 | 申请日： | 1998-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN1126181C | 公开（公告）日： | 2003-10-29 |
| 发明（设计）人： | S·林德;A·韦伯 | 申请（专利权）人： | ABB瑞士控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/744 | 分类号： | H01L29/744 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 马铁良,王忠忠 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 具有单阳极发射极和阻挡层的GTO在边缘连接区域含有一装置，其使阻挡层与阳极短接。以此GTO在截止状态下在边缘区域表现为二极管结构，并且去掉了截止电流的放大。边缘区域的热负载被降低，并且在上述电压的情况下该器件可以承受较高的工作温度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 阻挡 断路 流管 | ||
【主权项】：
1.断路闸流管(GTO)，含有a)在半导体(1)中的具有阴极发射极区域(2)、p-基极(3)、n-基极(4)和单阳极发射极(5)的npnp四层结构，b)一个比n-基极(4)掺杂强度大的阻挡层(6)，其设置在n-基极(4)和阳极发射极(5)之间，c)一个边缘连接区域(7)，其不含有阴极发射极区域并且是特别倾斜的，d)一个阴极(8)，其与阴极发射极区域(2)接触，一个阳极(9)，其与一个阳极发射极(5)接触和一个栅极(10)，其与p-基极(3)接触，其特征在于，e)在边缘连接区域(7)含有一装置，其使阻挡层(6)与阳极(5)相连。
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