[发明专利]提供双功函数掺杂的方法无效
| 申请号： | 98122391.5 | 申请日： | 1998-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN1113402C | 公开（公告）日： | 2003-07-02 |
| 发明（设计）人： | G·B·布龙纳;J·P·甘比诺;C·J·拉登斯;J·A·曼德尔曼;W·R·通蒂 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/3215 | 分类号： | H01L21/3215;H01L21/3115;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 邹光新,王忠忠 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种提供双功函数掺杂的方法通过至少各栅结构的一个侧壁，将具有各结构上的自对准绝缘层的所选数目的各栅结构掺杂为第一导电类型，从而提供栅结构阵列，由此使某些所说栅结构掺杂成第一导电类型，而另外一些栅结构掺杂成不同的第二导电类型。另外，提供一种栅结构阵列，使各栅结构含有于其上部的自对准的绝缘层，其中某些所说栅结构掺杂成第一导电类型，而另外一些栅结构掺杂成不同的第二导电类型。 | ||
| 搜索关键词： | 提供 函数 掺杂 方法 | ||
【主权项】：
1·一种提供双功函掺杂的方法，包括：提供半导体衬底；在所说半导体衬底上形成第一绝缘层；在所说绝缘层上淀积栅导体；在所说栅导体上淀积第二绝缘层；划定所说第二绝缘层和所说栅导体，形成栅结构，及所说栅结构上自对准的所说第二绝缘层；至少通过所说选定数目的所说栅结构的一个侧壁，将少于所有所说栅结构的所选数目的栅结构掺杂为第一导电类型，从而提供栅结构阵列，由此使某些所说栅结构掺杂成第一导电类型，而另外一些栅结构掺杂成不同的第二导电类型；其特征在于所述方法还包括形成栅氧化物侧壁和氮化物栅侧壁间隔层并为栅结构提供源和漏选择注入的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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