[发明专利]介质分隔式半导体器件无效
| 申请号： | 98122333.8 | 申请日： | 1998-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN1110858C | 公开（公告）日： | 2003-06-04 |
| 发明（设计）人： | 小林研也 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/76 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 傅康,陈景峻 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 将第一和第二P-型半导体衬底通过在其间夹上一绝缘膜胶合起来，构成SOI衬底。在P型SOI层中两衬底的表面形成沟道分隔区，供选择各元件用，从而通过用氧化膜埋设沟道将元件形成区封闭起来。在此由介电区分隔的元件形成区中形成具有P+型漏极扩散层和P-型漏极扩散层的MOS晶体管。向由沟道分隔区所封闭的元件形成区外的P+扩散层连接的电极和漏极扩散层上加同样的电位。这样做的结果是，无需在SOI衬底背面形成电极就可以避免耐压变差。 | ||
| 搜索关键词： | 介质 分隔 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种介质分隔式半导体器件，其特征在于，它包括：一个SOI衬底，衬底的正面和反面彼此绝缘，由一埋设的绝缘膜分隔开；和在所述SOI衬底表面上集成的多个元件，彼此由介电区(13)分隔开，所述元件包括：第一导电类型扩散层(11)，由所述介电区(13)分隔着；第二导电类型扩散层(10)，更细薄地在所述第一导电类型扩散层的表面形成；一个电极(22)，设在与所述第一导电类型扩散层(11)相邻横跨所述介电区的区域(14)；和偏压施加装置，用以往所述第二导电类型扩散层的结加反向偏压，并往所述电极(22)加与所述第二导电类型扩散层(10)相同的电位。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
