[发明专利]半导体陶瓷和使用该半导体陶瓷的半导体陶瓷元件无效
| 申请号： | 98121544.0 | 申请日： | 1998-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN1093106C | 公开（公告）日： | 2002-10-23 |
| 发明（设计）人： | 川瀬洋一;中山晃庆;上野哲;石川辉伸;新见秀明 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | C04B35/50 | 分类号： | C04B35/50;H01C7/04 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 白益华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体陶瓷，其常数B在升高温度下保持在约4000K或更高以减少电能损耗，常数B在低温下降至低于4000K以避免电阻不必要的增加；以及使用该半导体陶瓷的半导体陶瓷元件。所述半导体陶瓷由氧化钴镧作为主组分，至少一种Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Ni、Cu和Zn的氧化物作为次要组分形成。所述半导体陶瓷元件是用该半导体陶瓷和形成于其上的电极来制造。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 陶瓷 使用 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体陶瓷，包括(a)氧化钴镧作为主组分和(b)至少一种选自Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Ni、Cu和Zn的元素的氧化物，所述氧化物(b)的含量按其元素计约为0.001-1摩尔％。
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