[发明专利]晶体管及其制造方法

摘要

一种制造薄膜晶体管的方法，该方法包括：使非晶硅膜结晶化；在其上形成栅绝缘膜和栅电极、以自对准方式注入杂质，粘附一含有加速硅膜结晶化的催化元素的被覆层，以及将所得结构在低于衬底变形温度的温度下退火，以激活已掺入的杂质。按另一方案，可用离子注入法或类似法将催化元素引入杂质区而掺入该结构。

主权项

1.绝缘栅场效应晶体管的一种制造方法，其特征在于，它包括下列步骤：在衬底上制取栅极；在所述栅极上制取栅绝缘层；在所述栅极上方制取半导体层，所述栅绝缘层夹在所述栅极与所述半导体层之间将栅极与所述半导体层彼此绝缘起来；在所述半导体层上方制取掩模，其中所述掩模相对于所述栅极自行调整形成；往所述半导体层的第一区中以相对于所述掩模自行调整的方式引入金属离子；往所述半导体层的第二区中以相对于所述掩模自行调整的方式引入杂质离子以制取源区和漏区，其中，所述第一区和所述第二区彼此相同。