[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 98116149.9 | 申请日： | 1998-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN1218297A | 公开（公告）日： | 1999-06-02 |
| 发明（设计）人： | 牧幸生 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/43 | 分类号： | H01L29/43;H01L27/11;H01L21/331;H01L21/8244 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 姜郛厚,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在SRAM存储单元中,在使MOS晶体管的源/漏区和双极晶体管的发射区兼用的情况下实现SRAM存储单元工作特性的提高。在基区6内,形成由在第一深度有杂质浓度峰值的p型第一杂质层9a和在第二深度有杂质浓度峰值的p型第二杂质层9b构成的发射区9,在p型第二杂质层9b中设有欧姆接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．一种半导体器件，包括：第一导电型的半导体基片；从所述半导体基片的主表面至第一深度位置形成的第二导电型的集电区；从所述半导体基片的主表面至比第一深度浅的第二深度位置形成的第一导电型的基区；和包括第一杂质层和第二杂质层的发射区，所述第一杂质层在从所述半导体基片的主表面至比所述第二深度浅的第三深度位置有第二导电型杂质浓度峰值，所述第二杂质层在所述第二深度与所述第三深度之间的位置上有第二导电型杂质浓度峰值，并且形成所述第二杂质层，使其被所述第一杂质层包围。
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