[发明专利]减少了衬底缺陷的CMOS集成电路有效
| 申请号： | 98114860.3 | 申请日： | 1998-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN1143388C | 公开（公告）日： | 2004-03-24 |
| 发明（设计）人： | 约翰·阿尔斯迈耶;克劳斯·万吉曼 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | H01L27/00 | 分类号： | H01L27/00;H01L27/105;H01L21/70 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 杨梧 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种用来在制造过程中减少硅衬底中硅缺陷形成的互补金属氧化物(CMOS)集成电路。硅缺陷以间隙原子的形式形成于硅衬底中。该CMOS集成电路包括形成在硅衬底内的深注入区。还包括至少一个形成在硅衬底中的垂直沟槽。这样形成的沟槽，使得至少部分沟槽穿透到硅衬底的深注入区，以在深注入区中形成垂直表面，由此使硅间隙原子在垂直表面复合。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 衬底 缺陷 cmos 集成电路 | ||
【主权项】：
1.种在制造CMOS集成电路过程中减少硅衬底中硅缺陷形成的方法，形成的硅缺陷以间隙原子的形式存在于硅衬底中，该方法包括：将硅衬底设置在衬底处理室中，其中硅衬底有深注入区；在硅衬底中形成多个垂直沟槽，至少部分垂直沟槽穿透进硅衬底的深注入区，以在深注入区中形成垂直表面，由此使硅间隙原子在垂直表面复合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
