[发明专利]清洗装置及清洗方法无效
| 申请号: | 98106441.8 | 申请日: | 1998-01-24 |
| 公开(公告)号: | CN1194454A | 公开(公告)日: | 1998-09-30 |
| 发明(设计)人: | 上川裕二;上野钦也;中敏 | 申请(专利权)人: | 东京电子株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/302 | 分类号: | H01L21/302;H01L21/304;B08B3/04 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 杨丽琴 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 本发明的目的是提供一种在干燥处理时不受药液处理的恶劣影响,能够实现设计自由度高,清洗装置高速化及装置小型化的清洗装置及清洗方法。该装置构成是,将干燥室42和清洗槽41分别上下分离,同时使干燥室42的空间与清洗槽41的空间可以由氮气幕59c及闸门72遮蔽,清洗槽41中的清洗处理由氮气幕59c进行遮蔽,而干燥室42中的干燥处理则由闸门72来封闭·遮蔽。 | ||
| 搜索关键词: | 清洗 装置 方法 | ||
【主权项】:
1、一种清洗装置,其特征是,具有下述机构:贮留处理液,将被处理的基板浸入贮留的处理液中的处理槽,配置在上述处理槽的上方,在与处理槽之间设置有输送被处理基板用开口部的干燥室,通过上述开口部在上述处理槽与干燥室之间输送被处理基板的输送机构,防止从上述处理槽朝干燥室内流入气体,而向上述干燥室内导入惰性气体的机构,将上述干燥室内充满有机溶剂气体的机构。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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