[发明专利]清洗装置及清洗方法

说明书

本发明涉及一种对例如半导体晶片或LCD(液晶显示器)用的玻璃基板等被处理的基板浸渍药液或洗涤液并进行干燥的清洗装置及清洗方法。

在例如以LSI等半导体装置的制造工艺中的清洗处理为例进行说明时，以往，使用了除去半导体晶片(以下称为晶片)的表面颗粒、有机污染物、金属杂质等污染物的清洗装置，其中，特别是湿式清洗装置，能够有效地除去上述污染物，并且可以通过成批处理获得良好的产量，因而有广泛的普及。

在这种湿式清洗装置中，是通过对作为被清洗处理体的晶片进行氨处理、氟酸处理、硫酸处理等药液清洗处理，由纯水等进行的水洗清洗处理，由异丙醇(以下称为IPA)等进行的干燥处理等的构成。例如将各种药液、纯水、IPA供给到按处理顺序配置的处理槽、干燥室中的构成，例如采用将50片为单位的晶片依次浸入处理槽中，进行干燥的成批处理方法已广泛采用。

然而，在各处理中的每一个都设置处理槽或干燥室，就会导致设备的大型化，而且，晶片输送的机会，即，暴露在大气中的机会就会变多，从而使得附着颗粒的可能性变高。

为此，在例如特开昭64-81230号公报或特开平6-326073号公报等中，提出了一种将处理槽与干燥室一体化，将药液处理等和干燥处理在同一腔室内进行的清洗装置。这种清洗装置主要如图1所示，在腔室200的下部201中贮留药液202等，将晶片W浸渍，然后在将晶片W提起，在腔室200的上部203中使用IPA等进行干燥处理的构成。

然而，上述结构的清洗装置中，在干燥处理时，腔室的上部残留有药液的气体，因而，有对晶片W产生不良影响的疑虑，另外，必须同时满足液体处理和干燥处理的使用要求，因而限制了其设计自由度，从而出现对于实现清洗处理的高速化和腔室小型化的各种构思的取舍非常困难的问题。而且，在使用上述IPA等的干燥处理中，通常使用真空泵等同时进行减压，在上述结构的清洗装置中，在兼作药液处理等和干燥处理的腔室内必须有很大的容积，因此会出现腔室壁的厚度必须做得很厚、使其耐压性变高、且必须使用大功率的真空泵的问题。

本发明目的是鉴于上述问题，提供一种不受干燥处理时药液处理中的恶劣影响的清洗装置及清洗方法。

本发明的另一目的是提供一种能够实现设计自由度高，清洗处理高速化，装置小型化的清洗装置及清洗方法。

本发明的再一目的是提供一种能够实现腔室等的容积小，腔室等的壁厚薄，并且真空泵等的输出低的清洗装置及清洗方法。

本发明的还一目的是提供一种能够进行较高效率的干燥处理的清洗装置及清洗方法。

本发明的还一目的是提供一种在被处理的基板表面上不会出现水渍的清洗装置。

另外，本发明的还一目的是提供一种通过分置的处理槽部和干燥室，防止了处理液的蒸汽等进入干燥室，从而获得稳定的干燥性能的清洗装置及清洗方法。

本发明的第1特征是一种带有下述部分的清洗装置：贮留处理液，将被处理的基板浸入贮留的处理液中的处理槽，配置在处理槽的上方，在与处理槽之间设置有输送被处理基板用开口部的干燥室，通过开口部在处理槽与干燥室之间输送被处理基板的输送机构，防止从处理槽朝干燥室内流入气体，而向干燥室内导入惰性气体的机构，以及将干燥室内充满有机溶剂气体的机构。

本发明的第2特征是一种具有以下机构的清洗装置：贮留处理液，将被处理的基板浸入贮留的处理液中的处理槽，配置在处理槽的上方，在与处理槽之间设置有输送被处理基板用开口部的干燥室，通过开口部在处理槽与干燥室之间输送被处理基板的输送机构，将开口部通过惰性气体气流层进行遮蔽的遮蔽机构，以及使干燥室内充满有机溶剂气体的机构。

本发明的第3特征的清洗装置由下述部分组成：贮留处理液，将被处理的基板浸入贮留的处理液中的处理槽，配置在处理槽的上方，在与处理槽之间设置有输送被处理基板用开口部的干燥室，通过开口部在处理槽与干燥室之间输送被处理基板的输送机构，使干燥室内充满有机溶剂气体的机构，和切断开口部的切断机构；该切断机构带有可自由开闭开口部而设置的一对第1门和第2门，该第1门在与第2门相对的前端部上带有惰性气体排出孔，第2门则在与第1门相对的前端部上带有惰性气体吸入口，在第1门和第2门处于关闭状态时，通过从第1门的前端排出孔排出惰性气体，同时，从第2门前端的吸入口吸入惰性气体，而在第1门的前端与第2门的前端之间形成惰性气体气流层，从而切断开口部分。

本发明的第4特征是一种带有开口部的开闭机构的清洗装置。

本发明的第5特征是一种带有开闭开口部，在关闭时封闭住干燥室的开闭机构的清洗装置。