[发明专利]生产多晶半导体晶锭的工艺和设备无效
| 申请号： | 98103133.1 | 申请日： | 1998-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN1107746C | 公开（公告）日： | 2003-05-07 |
| 发明（设计）人： | 山崎基治;奥野哲启 | 申请（专利权）人： | 夏普公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 马莹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种生产多晶半导体晶锭的工艺和设备。把半导体原料(15)装入由外坩埚(1)和内坩埚(2)组成的双层坩埚内。坩埚从上面加热，以便使硅半导体原料熔化。坩埚(1)的底部固定在用冷却水冷却的支撑台(4)上。硅半导体材料(15)在内坩埚(2)中熔化，并从其底部开始固化。硅半导体材料(15)在固化时发生体积膨胀。但是，由于在内坩埚(2)和外坩埚(1)之间形成间隙，内坩埚(2)随着半导体材料的向外扩展减少了固化时产生的应变。因此，改善了多晶半导体晶锭的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 生产 多晶 半导体 工艺 设备 | ||
【主权项】：
1.生产多晶半导体晶锭的工艺，包括以下工序：将固化时会发生膨胀的半导体原料(15)装入坩埚(1，31，41)内；加热坩埚的顶部，同时冷却该坩埚的底部，因此可使半导体原料(15)在坩埚(1，31，41)内自下而上单向固化；其特征在于：所述坩埚具有包括内部部分和外部部分的双层结构，在内部部分和外部部分之间提供有间隙，并且所述内部部分根据所述半导体的膨胀而可以移动。
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