[发明专利]半导体器件制造工艺无效
| 申请号： | 98100376.1 | 申请日： | 1998-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN1109356C | 公开（公告）日： | 2003-05-21 |
| 发明（设计）人： | 占部耕児 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283;H01L21/3205;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏,黄敏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种具有钛膜的半导体器件的制造工艺包括以下步骤通过化学汽相淀积法在衬底上形成钛膜，以及在钛膜形成步骤后，用含有卤素的气体除去形成钛膜的反应室内淀积的钛。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件制造工艺，包括步骤：通过化学气相淀积法在衬底上形成钛膜；其特征在于，该制造工艺还包括步骤：在所述钛膜形成步骤后，在保持所述衬底在所述反应室内的情况下，用含有卤素的气体除去形成所述钛膜的反应室内和半导体衬底上所淀积的钛。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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