[实用新型]L波段硅脉冲功率晶体管无效
| 申请号： | 97243256.6 | 申请日： | 1997-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN2327072Y | 公开（公告）日： | 1999-06-30 |
| 发明（设计）人： | 王因生;张树丹;林金庭 | 申请（专利权）人： | 电子工业部第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/72 | 分类号： | H01L29/72 |
| 代理公司： | 东南大学专利事务所 | 代理人： | 沈廉,王之梓 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | L波段硅脉冲功率晶体管是一种应用于微波的硅脉冲功率晶体管,该晶体管采用多晶硅发射极覆盖树枝伏的双镇流结构,其中发射极E支条为覆盖树枝状,在发射极E支条的上面设有多晶硅电阻层,在多晶硅电阻层的上面整个覆盖有发射极金属条,在发射极金属条的根部设有硼扩散电阻,金属发射极位于硼扩散电阻的上方,金属基极位于发射极E支条的外侧。其工作结温低、工作寿命长,实现双发射极电流双镇流。 | ||
| 搜索关键词： | 波段 脉冲 功率 晶体管 | ||
【主权项】：
1．一种L波段硅脉冲功率晶体管，由金属发射极、金属基极和镇流部分所组成，其特征在于采用多晶硅发射极复盖树枝状的双镇流结构，其中发射极E支条(4)为复盖树枝状，在发射极E支条(4)的上面整个复盖有多晶硅电阻层(3)，在多晶硅电阻层(3)的上面整个复盖有发射极金属条(2)，在发射极金属条(2)的根部设有硼扩散电阻(1)，金属发射极(5)位于硼扩散电阻(1)的上方，金属基极(6)位于发射极E支条(4)的外侧。
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