[发明专利]利用单元库方式进行布局设计的半导体集成电路装置无效
| 申请号： | 97182030.9 | 申请日： | 1997-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN1151552C | 公开（公告）日： | 2004-05-26 |
| 发明（设计）人： | 冈本泰 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L27/118 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 预先在连通单元(40)及顶盖单元(41)中形成由栅电极(13)和一对P型扩散层(10a、10b)和N型扩散层(11a、11b)构成的基本对。由此，因为即使在制成布局图之后产生了设计变更，也可由上述基本对形成逻辑电路，故可灵活地与设计变更相对应。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 单元 方式 进行 布局 设计 半导体 集成电路 装置 | ||
【主权项】：
1.一种备有单元库方式布局的半导体集成电路装置，其特征在于，具备：标准单元，各标准单元包括逻辑电路；具备一基本对的顶盖单元，基本对包括：P沟道MOS晶体管形成用的m2个第1栅电极、在该第1栅电极的相应侧配置的(m2+1)个P型扩散层、N沟道MOS晶体管形成用的n2个第2栅电极和在该第2栅电极的相应侧配置的(n2+1)个N型扩散层，顶盖单元与上述标准单元一起构成单元列，对该标准单元进行电源供给和接地，其中，m2、n2都是自然数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
