[发明专利]在集成电路上互连的接触及其制造方法

摘要

一种位于制定多晶硅化层之间、接触电阻很低的介层接触的制造方法，先沉积一层第一多晶硅层，并加以掺杂，其上有第一硅化钨层。随即制定第一多晶硅／硅化物层图案，形成第一多晶硅化物互连导电层。该层上沉积一层绝缘层，在绝缘层内以电浆蚀刻挖出接触窗。在以氢氟酸蚀刻后，接着沉积第二掺杂多晶硅层，然后制定图案形成覆盖在接触窗上的第二导电互连层。在接触窗内所形成的第二多晶硅对第一多晶硅介面，接触电阻很稳定，也很低。

主权项

1.一种集成电路上互连的接触的制造方法，其特征在于，该方法的步骤包括：预备一面半导体基片，在元件区周围具有场氧化物区作为电性隔绝；在该场氧化物区与元件区上，沉积第一多晶硅层；掺杂该第一多晶硅层，使成为导电层；在该第一多晶硅层上沉积第一硅化物层；利用光掩膜并对该第一硅化物层与第一多晶硅层进行非均向性蚀刻，形成制定好的第一多晶硅化物层；在该制定好的第一多晶硅化物层上，沉积一层绝缘层，电性隔绝该制定好的第一多晶硅化物层；利用光掩膜和各向异性等离子体蚀刻，在该绝缘层内蚀刻接触窗，并继续该等离子体蚀刻，选择性地除去该接触窗内的第一硅化物层，并蚀去部份的该第一多晶硅层，使得除去该第一硅化物层之后，得到一个表面可供制作电阻很低、很一致的接触；沉积第二多晶硅层，并加以掺杂成为导电层，该第二多晶硅层会与该接触窗内的第一多晶硅层有电性接触；在该第二多晶硅层上沉积第二硅化物层，形成第二多晶硅化物层；利用光掩膜与各向异性等离子体蚀刻，制定该第二多晶硅化物层，完成该具有改良电性接触的制定好的多晶硅化物多层结构。