[发明专利]通过化学汽相淀积生产碳化硅的方法和装置无效
| 申请号： | 97102232.1 | 申请日： | 1997-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN1123651C | 公开（公告）日： | 2003-10-08 |
| 发明（设计）人： | 罗兰·鲁普;约翰尼斯·韦尔克 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 杨梧 |
| 地址： | 联邦德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种提高气体利用率的通过CVD生产SiC的方法和装置，其中，产生一股过程气流(2)，在基底(4)上通过CVD从过程气流(2)中离析出SiC。此外还产生由一种惰性气体组成的第二股气流(3)，它沿流动方向完全包围过程气流(2)。由此获得过程气体的高的产出率。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 化学 汽相淀积 生产 碳化硅 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种产生碳化硅的方法，其中，提供一个反应器(10)，该反应器具有至少一个设置在反应器(10)的入口区域的中心区中的喷嘴(20)，并具有布置在该喷嘴(20)周围的多个入口(13)；向所述至少一个喷嘴(20)提供至少一种工作气体和至少一种载气，该工作气体包括用于提供硅(Si)的SiZ和用于提供碳(C)的CY，该载气包括氢，并将包含所述至少一种工作气体和所述至少一种载气的第一股气流(2)指向一基底(4)，籍此所述基底(4)为适于通过CVD工艺沉积SiC的基底，且籍此碳化硅通过CVD工艺由第一股气流(2)沉积到基底(4)上；向所述多个入口(13)供给不化学干扰基底(4)上形成碳化硅的生长过程的一种气体或一种气体混合物，以产生平行于第一股气流(2)的流动方向、并在第一股气流(2)侧部充分围绕该第一股气流(2)的第二股气流(3)。
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