[发明专利]利用等离子体处理大面积衬底基片的系统无效
申请号: | 96196235.6 | 申请日: | 1996-07-02 |
公开(公告)号: | CN1192788A | 公开(公告)日: | 1998-09-09 |
发明(设计)人: | 陈聪 | 申请(专利权)人: | 陈聪 |
主分类号: | C23C16/00 | 分类号: | C23C16/00;C23F1/02 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 邵伟 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一个用于处理大面积衬底基片的等离子体系统(10)。在一个实施例中,该系统包括多个射频等离子体源(40),它们被可拆卸地连接在处理腔(14)的射频可透过的窗(26)上。源的数量和分布是可以变化的,以提供处理衬底基片所需要的尺寸大小和均匀性的等离子体场。许多等离子体探针(74),例如朗谬尔探针、法拉弟凹坑和光学传感器被放置在腔内,并与等离子体源以电连接的方式,调节各个源所产生的射频场,以保持所需要的场的均匀性程度。 | ||
搜索关键词: | 利用 等离子体 处理 大面积 衬底 系统 | ||
【主权项】:
1、一种利用等离子体处理衬底基片的系统,所说的系统包括:一个真空腔,在所说的腔的表面上有多个射频可透过的窗;一个射频发生器;至少两个等离子体源,每个所说的等离子体源都与所说的射频发生器电连接,并被并置于所说的许多射频可透过的窗中相应的一个上。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的