[发明专利]一种制备具有低漏电流和低极化疲劳性能的电器件的方法无效
申请号: | 96192611.2 | 申请日: | 1996-03-14 |
公开(公告)号: | CN1103116C | 公开(公告)日: | 2003-03-12 |
发明(设计)人: | 吾妻正道;拉里·D·麦克米兰;卡洛斯·A·帕斯·德·阿劳约;迈克尔·C·斯科特 | 申请(专利权)人: | 塞姆特里克斯公司;松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L21/3205 | 分类号: | H01L21/3205 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 甘玲 |
地址: | 美国科*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 由溶剂中的液体聚烷氧基化的金属复合物形成的前体溶液(P22)被涂布到基片上形成金属氧化物薄膜(P26)。液体薄膜在空气中在高至500℃的温度下烘烤(P28),同时用波长为180nm-300nm的UV进行辐射。薄膜在提高的温度下二次烘烤,同时在一次或二次烘烤进行UV辐射。然后,薄膜在700℃-850℃的温度下退火(P32)以产生薄膜固体金属产品。或者,对液体前体进行UV辐射,薄膜可以用UV辐射退火,或对前体、在烘烤之前或之后对薄膜结合使用UV辐射和/或UV退火。 | ||
搜索关键词: | 一种 制备 具有 漏电 极化 疲劳 性能 器件 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制造低漏电流、薄膜金属氧化物电学器件(20)的方法,所述方法包括以下步骤:提供(P24,P22)基片(11,12,13,14)和一液体前体,该液体前体含有相应于从其得到固体金属氧化物层状超晶格材料(15)的金属含量;将所述液体前体涂布(P26)到所述基片上,在所述基片上形成液体薄膜;和在足以形成干燥金属氧化物薄膜的条件下干燥(P28)所述基片上的液体薄膜;所述方法的特征在于以下步骤:将所述液体薄膜和所述干燥金属氧化物薄膜的至少一种曝光(P28)于紫外辐射源,以增加从下述退火得到的晶体材料的c-轴取向;和以具有如下通式的聚烷氧基化金属复合物的形式供应所述液体前体(R′-COO-)aM(-O-M′(-O-C-R″)b-1)n,其中M是外价态(outervalence)为(a+n)的金属,M′是外价态为b的金属,M和M′分别选自钽、钙、铋、铅、钇、钪、镧、锑、铬、铊、铪、钨、铌、锆、钒、锰、铁、钴、镍、镁、钼、锶、钡、钛、和锌;R′是具有4-9个碳原子的烷基;R是具有3-8个碳原子的烷基。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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