[发明专利]形成铁电薄膜的方法及其设备无效
申请号: | 96121174.1 | 申请日: | 1996-10-04 |
公开(公告)号: | CN1069112C | 公开(公告)日: | 2001-08-01 |
发明(设计)人: | 白鎔求 | 申请(专利权)人: | 现代电子产业株式会社 |
主分类号: | C23C14/44 | 分类号: | C23C14/44 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 张政权 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种在可涂敷性、结构精细度和组成的均匀性方面都是优越的铁电薄膜是通过由下列步骤组成的方法获得的通过用RF能激发等离子体引发由多种元素组成的铁电反应物离解,使其能够参与沉积反应;建立最佳工艺条件,在该条件下,使通过激发等离子体由反应物的离解而得到的离子在高温低压下进行沉积作用;通过导管、集合管和喷头向反应器无损耗地供给反应物,集合管用于聚集反应物,喷头用于喷射混合的反应物;在反应器中沉积铁电薄膜,而从导管中清除残余气体。$#! | ||
搜索关键词: | 形成 薄膜 方法 及其 设备 | ||
【主权项】:
1、一种形成铁电薄膜的方法,该方法包括下列步骤:通过用RF能激发等离子体引发由多种元素组成的铁电反应物离解,使其能够参与沉积反应;建立一工艺条件,在该条件下,使通过激发等离子体由所说的反应物的离解而得到的离子在高温低压下进行沉积作用;通过导管、集合管和喷头向反应器无损耗地供给所说的反应物,所说的集合管用于聚集所说的反应物,所说的喷头用于喷射混合的反应物;和在所说的反应器中沉积铁电薄膜,而从导管中清除残余气体。
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