[发明专利]形成电子元件电极的设备和方法无效
| 申请号： | 96120168.1 | 申请日： | 1996-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN1078770C | 公开（公告）日： | 2002-01-30 |
| 发明（设计）人： | 水口隆史;竿下宗士;炭田学 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;H05K3/12;B41C1/14;B41M1/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 刘晓峰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种形成电子元件至少一个电极的方法，包括备制工作；将掩模置放在工件主平面上；和从掩模主平面侧涂覆电极材料以形成至少一个电极。该掩模最好包括基本上成矩形环的第一掩蔽部分及基本上成矩形的第二掩蔽部分，以及基本上成矩形条的四个伪掩蔽部分以支承第一掩蔽部分。此时通过第一、第二掩蔽部分和伪掩蔽部分的协作功能而在掩蔽件中形成四个通孔。$#! | ||
| 搜索关键词： | 形成 电子元件 电极 设备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成电子元件电极的设备，包括：一掩模，该掩模包括：至少一穿过其两个主平面之一到达另一个主平面的通孔；至少一个设置在掩模上，并适宜与电子元件上表面的预定部分相接触的掩蔽部分，以屏蔽电子元件的预定部分；以及至少有一伪掩蔽部分是位于掩模上，并具有下表面，此下表面在掩模的厚度方向上离开掩模的下表面一段距离，当将掩蔽部分和电子元件相接触时，此伪掩蔽部分伪掩蔽电子元件上表面的预定部分；其特征在于，该掩模具有结构使比率b/a小于3，其中a代表至少一个伪掩蔽部分的下表面和电子元件上表面之间的距离，b代表至少一个伪掩蔽部分的宽度。
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