[发明专利]快速EEPROM单元及其制造方法无效
| 申请号： | 96107303.9 | 申请日： | 1996-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN1100351C | 公开（公告）日： | 2003-01-29 |
| 发明（设计）人： | 安在春 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张志醒,王岳 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示一种快速EEPROM单元，特别是一种对于一个浮动栅极用使用掩模的蚀刻工艺将第一多晶硅膜形成图形，注入杂质离子形成一个源区和漏区，形成一个向沟道方向延伸的控制栅极，而使其尺寸减到最小的单元。此外，本发明提供一种独特的结构防止在自调节蚀刻过程中硅基片下陷，因此改善器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 快速 eeprom 单元 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种快速EEPROM单元阵列，包含：许多按行和列的方式排列在硅基片上的浮动栅极；许多按行的方式连续沉积于所说浮动栅极和所说硅基片上的控制栅极；许多形成在所说硅基片上，按列方向排列在所说浮动栅极之间的隔离区；以及许多形成在所说硅基片上，按行方向沉积在所说控制栅极之下并位于所说浮动栅极之间的源线和漏线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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