[发明专利]迁移率提高了的MOSFET器件及其制造方法无效
| 申请号： | 95117359.6 | 申请日： | 1995-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN1129358A | 公开（公告）日： | 1996-08-21 |
| 发明（设计）人： | 乔恩J·坎迪拉里亚 | 申请（专利权）人： | 摩托罗拉公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/02;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种迁移率提高了的MOSFET器件(10)，它包含一个形成在单晶硅层(11)上的沟道层(12)。沟道层(12)包含硅和第二种材料的合金，其中，第二种材料替位地出现在硅的晶格位置上，其原子百分比使沟道层(12)处于张应力之下。 | ||
| 搜索关键词： | 迁移率 提高 mosfet 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种迁移率提高了的MOSFET器件，其特征是：一个第一导电类型的单晶硅层(11)；一个形成在单晶硅层(11)上的载流子输运区(22)，其中的载流子输运区(12)由硅与第二半导体材料的合金组成，且其中的第二半导体材料替位地出现在载流子输运区(12)的晶格位置，其原子百分比要使载流子输运区处于张应力之下；一个延伸到载流子输运区(12)中的第二导电类型的源区(14)；一个延伸到载流子输运区(12)中的第二导电类型的漏区(16)，其中载流子输运区(12)的一部分位于源区(14)和漏区(16)之间；以及一个与载流子输运区(12)电隔离的控制电极(18)，其中的控制电极(18)排列在源区(14)和漏区(16)之间。
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