[发明专利]太阳能电池及其制造方法

摘要

一种太阳能电池包括一层形成于P型硅衬底(1)的上表面上的第一n型层(2a)，一层形成于衬底(1)背面并具有高于衬底(1)杂质浓度的P型层(7)，一层至少形成在衬底(1)侧面的第二n型层(2b，2c，2d)以将第一n型层(2a)与P型层(7)连接起来。第二n型层(2b，2c，2d)在与P型层(7)接壤的区域的杂质浓度低于第一n型层(2a)。

主权项

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：p型半导体衬底(1)，具有第一主表面，一个第二主表面及它们之间的侧面；形成于所述第一主表面上的n+型层(2a)；形成于所述第二主表面上、杂质浓度高于所述衬底(1)的p+型层(7)；至少形成于所述侧面上的n型层(2b，2c，2d)，该层将所述n+型层(2a)和所述p+型层(7)联接起来，其中，所述n型层(2b，2c，2d)至少在与所述p+型层(7)接壤的区域附近的杂质浓度低于所述n+型层(2a)；与所述p+型层(7)形成接触的电极(6)；与所述n+型层(2a)形成接触的电极(8)。