[发明专利]太阳能电池及其制造方法无效

专利信息
申请号: 95104877.5 申请日: 1995-04-28
公开(公告)号: CN1093690C 公开(公告)日: 2002-10-30
发明(设计)人: 浅井正人 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: H01L31/04 分类号: H01L31/04;H01L31/18
代理公司: 上海专利商标事务所 代理人: 张政权
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 太阳能电池 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种太阳能电池,其特征在于,包括:

p型半导体衬底(1),具有第一主表面,一个第二主表面及它们之间的侧面;

形成于所述第一主表面上的n+型层(2a);

形成于所述第二主表面上、杂质浓度高于所述衬底(1)的p+型层(7);

至少形成于所述侧面上的n型层(2b,2c,2d),该层将所述n+型层(2a)和所述p+型层(7)联接起来,其中,所述n型层(2b,2c,2d)至少在与所述p+型层(7)接壤的区域附近的杂质浓度低于所述n+型层(2a);

与所述p+型层(7)形成接触的电极(6);

与所述n+型层(2a)形成接触的电极(8)。

2.按照权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述n型层(2b,2c,2d)至少在与所述p+型层(7)接壤的区域附近的表面电阻在70-300Ω/□范围内。

3.按照权利要求1或2所述的太阳能电池,其特征在于,所述n型层(2b,2c,2d)不仅分布在侧面上而且也扩展到所述第二主表面的四周。

4.按照权利要求1至3中任何一项所述的太阳能电池,其特征在于,所述n型层(2b,2c,2d)和所述p+型层(7)在所述第二主表面上相接,相接的面采用波纹形状以增加相接界面。

5.一种制造太阳能电池的方法,其特征在于,包括以下步骤:

制备一片p型半导体衬底(1),它包含一个第一主表面,一个第二主表面和它们之间的侧面;

在所述第一主表面上涂一种n型掺杂剂(20);

对涂有所述掺杂剂(20)的所述衬底(1)进行第一次热处理以在所述第一主表面上形成一n+型层(2a),在所述第二主表面、所述侧面上形成一n型层(2b,2c,2d);

在所述第二主表面上涂一层含铝涂胶;

对涂有所述含铝涂胶的所述衬底(1)进行第二次热处理以在所述第二主表面上形成一层p+型层(7)和形成一个电极(6);以及

形成一个电极(8)与所述n+型层(2a)接触。

6.按照权利要求5所述的太阳能电池的制造方法,其特征在于,在涂所述的n型掺杂剂(20)于第一主表面的过程中有一层不完全掩膜层(23)涂在所述的第二主表面的四周边缘,通过所述的第一次热处理形成的所述的第二n型层(2b,2c,2d)的厚度和杂质浓底均低于在所述的掩膜层(23)下面的区域(2d)。

7.按照权利要求5或6所述的太阳能电池的制造方法,其特征在于,所述的掺杂剂(20)包括一种溶液,这种溶液含磷量每一摩尔TiO2为1.04-3.63克原子,通过所述的第一次热处理在第一主表面上形成所述的n+型层(2a),并形成一层TiO2抗反射膜(3)。

8.按照权利要求5至7中任何一项所述的太阳能电池的制造方法,其特征在于,在所述第一次热处理过程中通以预先确定分压的氧气,并在所述衬底的表面形成一层氧化钝化膜。

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