[发明专利]太阳能电池及其制造方法无效
| 申请号: | 95104877.5 | 申请日: | 1995-04-28 |
| 公开(公告)号: | CN1093690C | 公开(公告)日: | 2002-10-30 |
| 发明(设计)人: | 浅井正人 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
| 主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04;H01L31/18 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 张政权 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
1.一种太阳能电池,其特征在于,包括:
p型半导体衬底(1),具有第一主表面,一个第二主表面及它们之间的侧面;
形成于所述第一主表面上的n+型层(2a);
形成于所述第二主表面上、杂质浓度高于所述衬底(1)的p+型层(7);
至少形成于所述侧面上的n型层(2b,2c,2d),该层将所述n+型层(2a)和所述p+型层(7)联接起来,其中,所述n型层(2b,2c,2d)至少在与所述p+型层(7)接壤的区域附近的杂质浓度低于所述n+型层(2a);
与所述p+型层(7)形成接触的电极(6);
与所述n+型层(2a)形成接触的电极(8)。
2.按照权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述n型层(2b,2c,2d)至少在与所述p+型层(7)接壤的区域附近的表面电阻在70-300Ω/□范围内。
3.按照权利要求1或2所述的太阳能电池,其特征在于,所述n型层(2b,2c,2d)不仅分布在侧面上而且也扩展到所述第二主表面的四周。
4.按照权利要求1至3中任何一项所述的太阳能电池,其特征在于,所述n型层(2b,2c,2d)和所述p+型层(7)在所述第二主表面上相接,相接的面采用波纹形状以增加相接界面。
5.一种制造太阳能电池的方法,其特征在于,包括以下步骤:
制备一片p型半导体衬底(1),它包含一个第一主表面,一个第二主表面和它们之间的侧面;
在所述第一主表面上涂一种n型掺杂剂(20);
对涂有所述掺杂剂(20)的所述衬底(1)进行第一次热处理以在所述第一主表面上形成一n+型层(2a),在所述第二主表面、所述侧面上形成一n型层(2b,2c,2d);
在所述第二主表面上涂一层含铝涂胶;
对涂有所述含铝涂胶的所述衬底(1)进行第二次热处理以在所述第二主表面上形成一层p+型层(7)和形成一个电极(6);以及
形成一个电极(8)与所述n+型层(2a)接触。
6.按照权利要求5所述的太阳能电池的制造方法,其特征在于,在涂所述的n型掺杂剂(20)于第一主表面的过程中有一层不完全掩膜层(23)涂在所述的第二主表面的四周边缘,通过所述的第一次热处理形成的所述的第二n型层(2b,2c,2d)的厚度和杂质浓底均低于在所述的掩膜层(23)下面的区域(2d)。
7.按照权利要求5或6所述的太阳能电池的制造方法,其特征在于,所述的掺杂剂(20)包括一种溶液,这种溶液含磷量每一摩尔TiO2为1.04-3.63克原子,通过所述的第一次热处理在第一主表面上形成所述的n+型层(2a),并形成一层TiO2抗反射膜(3)。
8.按照权利要求5至7中任何一项所述的太阳能电池的制造方法,其特征在于,在所述第一次热处理过程中通以预先确定分压的氧气,并在所述衬底的表面形成一层氧化钝化膜。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普株式会社,未经夏普株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/95104877.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:导流型锥管密封浮桶阀
- 下一篇:视频监视器系统
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





