[发明专利]具有隔离晶体管的EEPROM单元及其制造与操作方法

摘要

一种ＥＥＰＲＯＭ单元（４０）包括浮栅晶体管（４７）和一隔离晶体管（４５）。浮置栅极（４８）和隔离栅极（４６）两者都形成在单元内的隧道介质层（４４）上。该隔离栅极耦联到浮栅晶体管的掺杂源区（５２）。单元编程操作中不给隔离晶体管加偏压，而使单元内两栅极所有部分之下的薄隧道介质层（小于１２０埃）启动。于是，不需要常规的隧道介质层和栅极介质层。该单元容许过擦除，能以低编程电压编程，并因此薄隧道介质遍及整个单元而具有良好的电流驱动能力。

主权项

1.一种电可擦除的可编程只读存储单元(40)，具有一个半导体衬底(42)；一形成在所述衬底上的隧道介质层(44)；以及一个具有一浮置栅极(48)和重叠在所述浮置栅极上的控制栅极(58)的浮栅晶体管(47)，其中所述浮置栅极形成在所述隧道介质层上；其特征在于：一个具有一形成在所述隧道介质层上的隔离栅极(46)的隔离晶体管(45)；其中，在单元内的所述隧道介质层在浮置栅极和隔离栅极之下的厚度均匀，且其中所述厚度小于约120埃。