[发明专利]半导体器件

摘要

一种制造半导体器件，包括步骤在半导体层上形成第一绝缘膜，在绝缘膜上形成栅电极，将第一绝缘膜刻图成为第二绝缘膜，使半导体层一部分露出，而第二绝缘膜的延伸部分超过栅电极的侧边，用栅电极和栅绝缘膜的延伸部分作掩模进行离子掺杂，形成杂质区。改变离子掺杂条件来控制掺入杂质的半导体层的区域和其中的杂质浓度。

主权项

1．一种半导体器件，包括：一有源矩阵电路，包括在基片第一部分上形成的多个第一种薄膜晶体管，每一个所说多个第一种薄膜晶体管有一个包括非晶半导体的沟道区；以及一外围驱动电路，包括在该基片第二部分上形成的多个第二种薄膜晶体管，每一个所说多个第二种薄膜晶体管有一包括结晶半导体的沟道区；其特征在于：所说多个第二种薄膜晶体管的有源层包括：含有结晶半导体的所说沟道区，所说沟道区在其间延伸的一对第一杂质区，以及毗邻所说第一杂质区的第二杂质区，所说第一杂质区具有比所说第二杂质区的高的电阻，以及每一所说第一杂质区位于所说沟道区和其中一个所说第二杂质区之间。