[发明专利]半导体器件

权利要求书

1．一种半导体器件，包括：

一有源矩阵电路，包括在基片第一部分上形成的多个第一种薄膜晶体管，每一个所说多个第一种薄膜晶体管有一个包括非晶半导体的沟道区；以及

一外围驱动电路，包括在该基片第二部分上形成的多个第二种薄膜晶体管，每一个所说多个第二种薄膜晶体管有一包括结晶半导体的沟道区；

其特征在于：所说多个第二种薄膜晶体管的有源层包括：含有结晶半导体的所说沟道区，所说沟道区在其间延伸的一对第一杂质区，以及毗邻所说第一杂质区的第二杂质区，所说第一杂质区具有比所说第二杂质区的高的电阻，以及

每一所说第一杂质区位于所说沟道区和其中一个所说第二杂质区之间。

2．根据权利要求1的器件，其特征在于，所说多个第二种薄膜半导体的沟道区是通过用激光或具有等强度的光照射而结晶的。

3．根据权利要求1的器件，其特征在于，所说第二杂质区包括金属硅化物。

4．根据权利要求1的器件，其特征在于，所说第一杂质中区的杂质浓度低于所说第二杂质区中的杂质浓度。

5．根据权利要求1的器件，其特征在于，每说多个第一和第二种薄膜晶体管的每一个还包括：

在所说一对第一杂质区和所说沟道区上形成的栅绝缘膜；以及

在所说栅绝缘膜上形成的栅电极，

其中所说沟道区伸出所说栅电极的侧边缘。

6．根据权利要求1的器件，其特征在于，每一个所说多个第一种薄膜晶体管还包括；

在所说基片上形成的栅绝缘膜；

在所说栅绝缘膜上形成的栅电极；

在所说沟道区上形成的一对杂质区，

其中所说一对杂质区和所说沟道区位于所说栅电极上。

7．根据权利要求3的器件，其特征在于，所说金属硅化物包括从硅化钛、硅化镍、硅化钼、硅化钨、硅化铂和硅化钯选出的硅化物。

8．根据权利要求5或6的器件，其特征在于，所说栅电极覆以阴极氧化膜。

9．根据权利要求1或5的器件，其特征在于，所说多个第二种薄膜晶体管是顶栅型的。

10．根据权利要求1或5的器件，其特征在于，一个所说多个第二种薄膜晶体管是一个在所说一对第一和第二杂质区中包括n型杂质的n沟道型薄膜晶体管，而另一个所说多个第二种薄膜晶体管是一个在所说一对第一和第二杂质区中包括P型杂质的P沟道型薄膜晶体管。

11．根据权利要求1或5的器件，其特征在于，所说多个第一种薄膜晶体管是顶栅型的薄膜晶体管。

12．根据权利要求1或5的器件，其特征在于，所说多个第一种薄膜晶体管是倒转参差型的薄膜晶体管。

13．根据权利要求6的器件，其特征在于，所说多个第一种薄膜晶体管是在所说一对杂质区中包括n型杂质的n沟道型薄膜晶体管。

14．一种半导体器件，包括：

一有源矩阵电路，包括在基片第一部分上形成的多个第一种薄膜晶体管，每一个所说多个第一种薄膜晶体管有一个包括非晶半导体的沟道区；以及

一外围驱动电路，包括在该基片第二部分上形成的多个第二种薄膜晶体管，用以驱动所说有源矩阵电路；

其特征在于：所说多个第一种薄膜晶体管的有源层包括：含有非晶半导体的所说沟道区，所说包括非晶半导体的沟道区在其间延伸的一对较高电阻区，以及毗邻所说较高电阻区的一对较低电阻区。

15．根据权利要求14的器件，其特征在于，所说较高电阻区包括金属硅化物。