[发明专利]外延向上生长方法和器件无效
| 申请号： | 94117839.0 | 申请日： | 1994-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN1112731A | 公开（公告）日： | 1995-11-29 |
| 发明（设计）人： | 唐纳德·L·普拉姆汤 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种垂直场效应晶体管(100)和制造方法，其隐埋栅(104)具有间隔开的栅指和连接结构，并同源和沟道外延层一起向上生长，接着通过掺杂连接此栅指和连接结构。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 向上 生长 方法 器件 | ||
【主权项】：
1、一种制造隐埋掺杂区的方法，其特征在于包含有以下诸步骤：(a)在半导体层上形成第一和第二结构，所述半导体层为第一层电类，而所述第一和第二结构在空间上是分开的，且每种都为和第一导电类型相反的第二导电类型；(b)在所述第一和第二结构和所述的半导体层上形成外延层，所述外延层为有所述第一导电类型；以及(c)在所述外延层上形成所述第二层电类型的区域，所述区域连接所述的第一和第二结构。
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