[发明专利]室温制备具有周期电畴的ＬＴ、掺杂ＬＮ晶体的极化方法无效
| 申请号： | 94111519.4 | 申请日： | 1994-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN1045639C | 公开（公告）日： | 1999-10-13 |
| 发明（设计）人： | 祝世宁;朱永元;闵乃本 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C30B30/00 | 分类号： | C30B30/00 |
| 代理公司： | 南京大学专利事务所 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210008 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明的技术解决方案是采用厚０．２～０．５ｍｍＣ切ＬＴ或掺杂ＬＮ单畴晶片，±Ｃ面均精磨，抛光，用光刻技术在＋Ｃ面制作周期Ａ＝３～２０μｍ金属格栅作为电极，一Ｃ面对应区域镀平电极。高压矩形电脉冲正向施加于两电极间，其强度Ｅ＝２０kv～30KV/MM。施加的时间即脉冲宽度在１０ｍｓ～１Ｓ之间。 | ||
| 搜索关键词： | 室温 制备 具有 周期 lt 掺杂 ln 晶体 极化 方法 | ||
【主权项】：
1．一种室温制备具有周期电畴的LT、掺杂LN晶体的极化方法，其特征是采用厚0.2～0.5mmC切LT或掺杂LN单畴晶片，用光刻技术在+C面制作周期A=3～20μm、周期数为500-600的金属格栅作为电极，-C面对应区域镀电极，高压矩形电脉冲正向施加于两电极间，其强度E=20KV～30KV/mm；施加的时间即脉冲宽度在10ms～1s之间，一般定在电畴完全反向时极化电流持续时间t的二分之一左右，高压脉冲通过一保护电阻加在单畴样品上。
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