[发明专利]介质光波导器件无效
| 申请号： | 94102498.9 | 申请日： | 1994-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN1037996C | 公开（公告）日： | 1998-04-08 |
| 发明（设计）人： | 箱木浩尚;山根隆志 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/05 | 分类号： | G02F1/05;G02B6/10 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 姜华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在借以制成光波导管的LiNbO3晶体基片上制成SiO2绝缘缓冲层，在缓冲层上制作Si半导体薄膜。在半导体薄膜上制作SiO2绝缘扩散抑制层，在扩散抑制层上设置一对金电极。电极经固相扩散进入半导体薄膜而生成硅化物的问题，可用扩散抑制层来防止。 | ||
| 搜索关键词： | 介质 波导 器件 | ||
【主权项】：
1.一种介质光波导器件，它含有：一个电介质基片；一对在所述基片中制成的光波导管；一个在所述基片上形成的绝缘缓冲层；一个在所述缓冲层上形成的半导体薄膜；一对旨在与所述基片中制成的所述光波导管相对应，彼此以隔离关系设置的金属电极；其特征在于还含有一个为了置于所述半导体薄膜与所述电极之间而形成的绝缘扩散抑制层。
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