[发明专利]介质光波导器件

权利要求书

1.一种介质光波导器件，它含有：

一个电介质基片；

一对在所述基片中制成的光波导管；

一个在所述基片上形成的绝缘缓冲层；

一个在所述缓冲层上形成的半导体薄膜；

一对旨在与所述基片中制成的所述光波导管相对应，彼此以隔离关系设置的金属电极；其特征在于还含有

一个为了置于所述半导体薄膜与所述电极之间而形成的绝缘扩散抑制层。

2.根据权利要求1的介质光波导器件，其中所述的基片由铌酸锂(LiNbO₃)制成。

3.根据权利要求1的介质光波导器件，其中所述的半导体薄膜由硅(Si)制成，所述的电极由金(Au)制成。

4.根据权利要求3的介质光波导器件，其中所述的扩散抑制层由二氧化硅(SiO₂)制成。

5.根据权利要求4的介质光波导器件，其中所述的缓冲层由二氧化硅(SiO₂)制成。

6.根据权利要求5的介质光波导器件，其中所述的扩散抑制层的厚度小于所述缓冲层的厚度。

7.一种介质光波导器件，它含有：

一个电介质基片；

一对在所述基片中制成的光波导管；

一个在所述基片上形成的绝缘缓冲层；

一个在所述缓冲层上形成的半导体薄膜；

一对旨在与所述基片中制成的所述光波导管相对应，彼此以隔离关系设置的金属电极；其特征在于还含有

一对为了置于所述半导体薄膜与所述电极之间而形成的并为完全对应所述电极而彼此隔离的扩散抑制层，所述扩散制层由金属制成，其在与所述半导体薄膜发生固相合金化反应时的扩散常数，小于在所述电极与所述半导体薄膜发生固相合金化反应时的扩散常数。

8.根据权利要求7的介质光波导器件，其中所述基片由铌酸锂(LiNbO₃)制成。

9.根据权利要求7的介质光波导器件，其中所述半导体薄膜由硅(Si)制成，所述电极由金(Au)制成。

10.根据权利要求9的介质光波导器件，其中所述扩散抑制层由一种选自下列元素组的材料制成：铝(Al)，钛(Ti)，铬(Cr)，镍(Ni)，铜(Cu)，锌(Zn)，镓(Ga)，锗(Ge)，银(Ag)，铟(In)，和铂(Pt)。

11.一种介质光波导器件，它含有：

一个电介质基片；    

一对在所述基片中制成的光波导管；

一对旨在与所述基片中制成的所述光波导管相对应，而彼此间以隔离关系设置的金属电极；其特征在于还含有

一个在所述基片与所述电极之间形成的主层，所述的主层含有一个在与所述对电极之间区域相对应的区段中制成、以便在其长度上沿所述电极对置区段延伸的主半导体区段，和一个为包围所述主半导体区段而制成的主绝缘区段；以及

一个置于所述主层与所述电极之间的次层，所述的次层含有一个为了大体上对应所述主半导体区段而制成的次绝缘区段，和一个为了包围所述次绝缘区段并与所述主半导体区段的周围区段相连而制成的次半导体区段。

12.根据权利要求11的介质光波导器件，其中所述的基片由铌酸锂(LiNbO₃)制成。

13.根据权利要求11的介质光波导器件，其中所述主层的所述主半导体区段和所述次层的所述次半导体区段由硅(Si)制成，所述电极由金(Au)制成。

14.根据权利要求11的介质光波导器件，其中所述主层的所述主半导体区段含有多个互相隔离的半导体区段；所述次层的所述次绝缘区段含有多个互相隔离的绝缘区段。