[发明专利]生长激光二极管中量子阱的分子束外延系统的操作方法无效
| 申请号： | 93105939.9 | 申请日： | 1993-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN1034455C | 公开（公告）日： | 1997-04-02 |
| 发明（设计）人： | 程华;詹姆斯·M·德普伊特;迈克尔·A·哈泽;邱军 | 申请（专利权）人： | 明尼苏达州采矿制造公司 |
| 主分类号： | H01S3/19 | 分类号： | H01S3/19;H01L33/00;H01L21/20 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用原子层外延(ALE)和/或迁移增强外延(MEE)生长II-VI族激光二极管的高效率量子阱的方法。激光二极管衬底和初始生长层在MBE生长室内被加热至小于或等于约200℃的温度。Cd、Zn和Se被交替注入生长室以生长短周期应变层超晶格(SPSLS)量子阱层，其中包含重迭的Cd、Zn和Se单原子层。量子阱层用式[(CdSe)m(ZnSe)n]p表述，其中m、n和p为整数。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 激光二极管 量子 分子 外延 系统 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种生长激光二极管中量子阱的分子束外延(MBE)系统的操作方法，该系统有一个生长室和至少一种II族元素源及至少一种VI族元素源，用以在II-VI族化合物半导体电发光器件制作期间，在一衬底及任意初始生长层上生长量子阱有源层，该方法包括：在MBE生成室中加热衬底和初始生长层，把衬底和初始生长层加热到小于或等于200℃；向MBE生成室中交替注入II族和VI族元素；生长至少包含两层II族和VI族元素的重叠单原子层的量子阱层。
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