[发明专利]生长激光二极管中量子阱的分子束外延系统的操作方法无效
| 申请号： | 93105939.9 | 申请日： | 1993-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN1034455C | 公开（公告）日： | 1997-04-02 |
| 发明（设计）人： | 程华;詹姆斯·M·德普伊特;迈克尔·A·哈泽;邱军 | 申请（专利权）人： | 明尼苏达州采矿制造公司 |
| 主分类号： | H01S3/19 | 分类号： | H01S3/19;H01L33/00;H01L21/20 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 生长 激光二极管 量子 分子 外延 系统 操作方法 | ||
1.一种生长激光二极管中量子阱的分子束外延(MBE)系统的操作方法，该系统有一个生长室和至少一种II族元素源及至少一种VI族元素源，用以在II-VI族化合物半导体电发光器件制作期间，在一衬底及任意初始生长层上生长量子阱有源层，该方法包括：
在MBE生成室中加热衬底和初始生长层，把衬底和初始生长层加热到小于或等于200℃；
向MBE生成室中交替注入II族和VI族元素；
生长至少包含两层II族和VI族元素的重叠单原子层的量子阱层。
2.根据权利要求1的方法，其中MBE系统包含Cd、Zn和Se元素源，并且：
元素注入步骤包括交替注入Cd、Zn和Se元素；
生长量子阱层的步骤包括生长短周期应变层超晶格(SPSLS)层中含有Cd、Zn和Se的重叠单原子层，在形式上用式[(CdSe)m(ZnSe)n]p描述，其中m、n和p为整数。
3.根据权利要求1的方法，其中，MBE系统包含Zn、Te和Se元素源，并且：
元素注入步骤包括交替注入Zn、Te和Se元素；
SPSLS量子阱层生长步骤包括生长重叠的Zn、Te和Se单原子层，形式上用[(ZnTe)m|p表述，其中，m、n和p为整数。
4.根据权利要求1的方法，其中，SPSLS量子阱层生长包括生长m＝1至3、n＝1至5和p＝1至5的层。
5.根据权利要求1的方法，其中，SPSLS量子阱层的生长包括长长m＝1、n＝2、p＝3的层。
6.根据权利要求1的方法，其中，衬底和器件初始生长层加热包括加热衬底和初始生长层至小于或等于约190℃的温度。
7.根据权利要求1的方法，其中，衬底和器件初始生长层加热包括加热衬底和初始生长层至小于或等于约170℃的温度。
8.根据权利要求1的方法，其中，衬底和器件初始生长层加热包括加热衬底和初始生长层至小于或等于约150℃的温度。
9.按照权利要求1至8的方法制造的II-VI族激光二板管。
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